美放宽对三星、SK海力士在华工厂的芯片设备出口管制

美放宽对三星、SK海力士在华工厂的芯片设备出口管制 美国允许韩国三星电子和SK海力士在中国的工厂进口美国半导体设备。这些韩国芯片制造商在进口过程中，也无需经过单独的审批程序。 根据韩联社，韩国总统办公室经济首席秘书崔相穆星期一（10月9日）在记者会上宣布上述消息。 报道称，美国政府近期通过出口管制部门和国家安全委员会（NSC）经济安全对话渠道向韩方通报，决定将三星电子和SK海力士在华半导体工厂指定为“经验证最终用户”（VEU）。若被纳入该清单，便无需额外获得许可，相当于美国对其出口管制无限期暂停。 来源：

美国或无限期豁免三星海力士对华出口管制

美国或无限期豁免三星海力士对华出口管制 韩联社星期三（9月27日）引述消息人士报道，美国政府可能最早于本周宣布，无限期豁免韩国三星电子和SK海力士对中国出口美国晶片设备的禁令。 三星电子和SK海力士去年获得美国商务部给予的一年期豁免，将于10月11日到期。 多名消息人士透露，美国商务部将更新“最终民用厂商”（validated end user）名单，显示哪些实体可取得技术出口，以准许三星和SK海力士能持续取得某些美国的晶片制造工具。 一旦被列入这项名单，就不需要为个别的出口案件取得许可。三星和SK海力士拒绝评论。 报道称，美国商务部一直在与三星和SK海力士进行讨论，考虑到这些公司的未来计划，指定可以引入其中国生产线的设备，因为在未来几年还需要升级设备才能开展业务。 美国政府去年对中国实施了一系列贸易限制措施，包括三星和SK海力士在内的韩国企业是在获得美国制裁豁免才可继续在中国运营。

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额 在去年内存半导体低迷之后，三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对 DRAM 的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM 和 DDR5 的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和 SK 海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向 10nm 第四代 (1a) 和第五代 (1b) 节点的过渡，以生产 HBM、DDR5 和 LPDDR5 等高价值产品。但另一方面，由于 NAND Flash 存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。