美放宽对三星、SK海力士在华工厂的芯片设备出口管制

美放宽对三星、SK海力士在华工厂的芯片设备出口管制 美国允许韩国三星电子和SK海力士在中国的工厂进口美国半导体设备。这些韩国芯片制造商在进口过程中，也无需经过单独的审批程序。 根据韩联社，韩国总统办公室经济首席秘书崔相穆星期一（10月9日）在记者会上宣布上述消息。 报道称，美国政府近期通过出口管制部门和国家安全委员会（NSC）经济安全对话渠道向韩方通报，决定将三星电子和SK海力士在华半导体工厂指定为“经验证最终用户”（VEU）。若被纳入该清单，便无需额外获得许可，相当于美国对其出口管制无限期暂停。 来源：

美国放宽对三星、SK在华工厂的芯片设备出口管制

美国放宽对三星、SK在华工厂的芯片设备出口管制 美国允许了三星电子和SK海力士在中国的工厂进口美国半导体设备。这些韩国芯片制造商在进口过程中，也无需经过单独的审批程序。 根据韩联社，韩国总统办公室经济首席秘书崔相穆星期一（10月9日）在记者会上，宣布上述消息。 报道称，美国政府近期通过出口管制部门和国家安全委员会（NSC）经济安全对话渠道向韩方通报，决定将三星电子和SK海力士在华半导体工厂指定为“经验证最终用户”（VEU）。若被纳入该清单，便无需额外获得许可，相当于美国对其的出口管制无限期暂停。 崔相穆还提到，据他所知，美国政府已向三星电子和SK海力士通报上述决定，该决定一经通报即生效。 他说：“美国政府的决定，意味着我们半导体公司最重要的贸易问题，已经得到解决。” 去年10月，美国商务部出台一系列出口管制措施，以限制中国获取或生产高端芯片。三星和SK海力士当时获得一年宽限期，可继续为它们的中国工厂提供美国芯片设备，无须申请额外许可。 中美之间的贸易和科技之争，引起美国长期盟友韩国的担忧。韩国经济高度依赖半导体领域，三星和SK海力士都在中国投入巨资，中国也是韩国芯片的大客户。美国对华实施芯片出口限制后，首尔一直设法减轻韩国半导体产业受到的冲击。

韩国总统府：“美国同意三星、SK 海力士在未经单独许可的情况下向中国工厂供应半导体设备”

韩国总统府：“美国同意三星、SK 海力士在未经单独许可的情况下向中国工厂供应半导体设备” 韩国总统府 9 日宣布，美国政府已做出最终决定，在未经批准的情况下，向三星电子和 SK 海力士的中国工厂提供美国制造的半导体设备，将不需要单独许可程序或豁免期限。 美国政府最近通过美国国家安全委员会(NSC)通知韩国，他们打算将三星电子和 SK 海力士在中国的半导体工厂指定为“已验证最终用户”(VEU)。 VEU 是一种允许出口仅限于预先批准企业的特定物品的综合许可方式。被纳入在 VEU 中实际上意味着美国的出口控制实际上将无限期推迟，因为无需单独的逐案发放许可证。

三星和SK海力士能获得美国特许，免受因针对中国芯片业制裁所带来的影响

三星和SK海力士能获得美国特许，免受因针对中国芯片业制裁所带来的影响 华盛顿，10月6日（路透社），消息人士称，拜登政府计划让SK海力士和三星免受对中国内存芯片制造商的新限制的影响，这些限制旨在挫败中国政府的技术野心并阻止其军事进展。 消息人士称，美国商务部计划在本周发布对中国技术出口的新限制措施，如果扬子内存技术有限公司(YMTC)和长信内存技术有限公司(CXMT)等中国企业正在生产先进的DRAM或闪存芯片，那么美国供应商可能会拒绝向这些企业发送设备的请求。 然而，消息人士称，向在中国生产先进内存芯片的外国公司出售设备的许可申请将被逐一审查，可能允许他们获得设备。 其中一位知情人士说："我们的目标是不伤害非本土公司"。 白宫和商务部拒绝发表评论。SK海力士公司、三星电子有限公司、YMTC和CXMT没有对评论请求作出回应。

抛三星、买海力士 市场认定了HBM赢家？

抛三星、买海力士 市场认定了HBM赢家？ SK海力士在外资净买入排名中上升同样引人注目，1月份时位居第三，2月份跃升至第二，本月超越现代成为最受青睐的股票。截至3月8日，SK海力士净买入额达到4900亿韩元，本月股价涨超10%，达到了171900韩元/股的新高。而三星则与SK海力士的强劲表现形成鲜明对比，本月股价略微下跌了0.14%，年内跌近7%。外资大幅抛售三星电子，1月份三星曾是最受外资欢迎的股票，到了2月份却跌至第七位，而在本月成为被外资抛售最多的股票之一。分析指出，由于英伟达业绩强劲，增加了对高带宽存储芯片（HBM）需求的预期，不少投资者转向在HBM市场拥有较大份额的SK海力士，去年其在HBM市场的份额达到54%。高盛研究员Kim Sun-woo指出：SK海力士在HBM市场的领先地位令其在AI发展趋势中受益，目前它与三星在下一代HBM技术上的差距正在扩大，这可能会进一步推动对SK海力士的需求。在HBM芯片领域，竞争已经达到了前所未有的高度。SK海力士仅今年就先进封装技术上已投资1.3万亿韩元，以提升其生产高端芯片的能力。今年它是Nvidia H100处理器的唯一HBM3芯片供应商，与英伟达签订HBM3E（H200的重要组成部分）优先供应协议。三星也在全速迎头赶上，该公司最近宣布已开发出36GB HBM3E 12H DRAM，是业内容量最大的HBM，凭借12层堆叠技术，其性能和容量可大幅提升50%以上。三星希望在今年上半年开始量产。美光也后来者居上，宣布开始量产HBM3E内存，将用于英伟达H200 AI芯片，对SK海力士和三星电子构成了挑战。 ... PC版： 手机版：

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额 在去年内存半导体低迷之后，三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对 DRAM 的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM 和 DDR5 的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和 SK 海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向 10nm 第四代 (1a) 和第五代 (1b) 节点的过渡，以生产 HBM、DDR5 和 LPDDR5 等高价值产品。但另一方面，由于 NAND Flash 存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。