中国最大闪存芯片制造商长江存储在美起诉美光

中国最大闪存芯片制造商长江存储在美起诉美光 中国最大闪存芯片制造商长江存储,在美国法院起诉美国存储芯片公司美光科技以及子公司侵犯其八项美国专利。 第一财经星期六(11月11日)从美国加利福尼亚北区法院公布的信息了解到,长江存储已于星期四(11月9日)起诉美光及全资子公司美光消费产品集团侵犯其八项美国专利。长江存储在专利侵权起诉书中称,诉讼是为了终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新。 长江存储是中国最大的闪存芯片(3D NAND Flash)制造厂商。长江存储在起诉书中提到,美光使用长江存储的专利技术,以抵御来自长江存储的竞争,并获得和保护市场份额。诉讼旨在解决以下问题的一个方面:美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash市场来阻止竞争和创新。 长江存储也在起诉书中称,长江存储不再是新秀,而已成为全球3D NAND市场的重要参与者。长江存储称,去年11月,分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论:长江存储是3D NAND闪存领域的领导者,超过了美光。 根据第一财经,NAND Flash和DRAM是目前最主要的两种存储介质,NAND Flash可制造固态硬盘(SSD)等存储器,用于手机、服务器、PC等产品。集邦咨询数据显示,今年第二季度,全球NAND Flash品牌厂商中,三星、铠侠、SK Group、西部数据、美光的市占率分别为31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%,其他厂商占比仅3.8%。 美国商务部工业和安全局2022年10月发布出口管制新规,限制对中国出口芯片制造设备等,将长江存储NAND Flash芯片层数卡在已量产的最新工艺上。当年12月,美国又将长江存储纳入出口管制实体清单。 ... 2023年11月12日 2:32 PM

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长江存储起诉美光资助的咨询公司及其副总裁 指控其散布虚假信息 根据“出口管制合规研究”称,起诉书(案号5:24-cv-03454-SVK)显示,长江存储通过其律师事务所Latham & Watkins LLP表示,Strand Consult及其副总裁雷顿通过其运营的网站“China Tech Threat”上发布了多篇不实报道,对长江存储及其产品进行恶意抹黑。比如,指控长江存储与中国军方有联系,并暗示其产品可能被用于间谍活动等多项不实指控,严重损害了长江存储公司的声誉。相关不实指控如下:虚假关联:Strand Consult及其运营的“China Tech Threat”网站声称YMTC与中国军方存在关联,甚至称其为“Chinese Military Chip Maker”(中国军用芯片制造商)。长江存储坚决否认这一指控,指出公司既不为中国军方提供技术或产品,也未被任何实体指示为军方供应。诽谤性谣言:其网站上的一篇文章题为“China’s Army to Infiltrate iPhones with YMTC Chips”,声称长江存储的芯片可能会“窃取数据并传输至北京”,并且会“危害iPhone用户的安全和隐私”。长江存储反驳称,这纯属无稽之谈,因为存储芯片仅能存储数据,而无法执行代码或进行无线通信。商业抹黑:起诉书还提到,Strand Consult的“China Tech Threat”网站发布了一份题为《Silicon Sellout: How Apple’s Partnership with Chinese Military Chip Maker YMTC Threatens National Security》,呼吁苹果公司终止与长江存储的合作,并转而采购美光(Micron)等美国供应商的产品。报告还警告称,苹果与长江存储的合作可能会导致非中国半导体制造商的退出。长江存储在起诉书中详细描述了这些不实指控对公司的负面影响,称这些虚假信息不仅严重损害了其在全球市场的声誉,还对其商业关系造成了不可挽回的破坏。长江存储强调,作为全球3D NAND闪存市场的重要参与者,公司一直致力于技术创新和市场竞争,这些不实报道无疑是在阻碍公司前进的步伐。长江存储还提到,Strand Consult和雷顿的行为背后可能存在更深层次的市场竞争动机。根据长江存储的调查,Strand Consult获得了美光(Micron)的资金支持,而美光是长江存储在全球3D NAND市场上的主要竞争对手之一。报告指出,美光等公司通过资助“China Tech Threat”这样的平台,试图通过不正当手段打压竞争对手,维护自身的市场地位。值得一提的是,在去年11月,长江存储还在美国加州北区地方法院对美国美光科技公司(MICRON)和美光消费类产品事业部(MICRON CONSUMER PRODUCTS GROUP, LLC)(以下统称“美光”)提起诉讼,指控美光侵犯了其8项与3D NAND相关的美国专利。资料显示,长江存储科成立于2016年7月,总部位于“江城”武汉, 是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业,同时也提供完整的存储器解决方案。2017年10月,长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式,成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2019年9月,搭载长江存储自主创新 Xtacking® 架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。2020年4月,长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功,其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存,拥有发布之时*业界*最高的I/O速度,最高的存储密度和最高的单颗容量。截至目前长江存储已在武汉、北京等地设有研发中心,全球共有员工8000余人,其中研发工程技术人员6000余人。作为国内最大的3D NAND制造厂商,长江存储经过多年的发展,目前在技术上已经达到了三星、SK海力士、美光等一线NAND技术厂商的水平,并且凭借创新的Xtacking架构实现了存储密度上的领先。不过,自去年以来,由于受到美方的打压,无法获取先进的美日荷设备,产能扩张受到了限制。此次,长江存储开始持续在境外通过法律武器维护自身权益,不仅反应了自身技术的领先性以及经营的正当性,也体现了国内受制企业敢于“亮剑”的精神。 ... PC版: 手机版:

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