美放宽对三星、SK海力士在华工厂的芯片设备出口管制

美放宽对三星、SK海力士在华工厂的芯片设备出口管制 美国允许韩国三星电子和SK海力士在中国的工厂进口美国半导体设备。这些韩国芯片制造商在进口过程中，也无需经过单独的审批程序。 根据韩联社，韩国总统办公室经济首席秘书崔相穆星期一（10月9日）在记者会上宣布上述消息。 报道称，美国政府近期通过出口管制部门和国家安全委员会（NSC）经济安全对话渠道向韩方通报，决定将三星电子和SK海力士在华半导体工厂指定为“经验证最终用户”（VEU）。若被纳入该清单，便无需额外获得许可，相当于美国对其出口管制无限期暂停。 来源：

SK海力士砸900多亿美元建半导体厂 南韩政府承诺支持

SK海力士砸900多亿美元建半导体厂 南韩政府承诺支持 南韩经济日报报导，SK海力士21日说，明年3月将在该厂区著手兴建四座工厂中的第一座，将是全球最大的三层楼晶圆厂。虽然SK海力士在2019年就宣布整个计划，但场址开发的进度却因许可程序的问题而延宕。SK海力士表示，透过中央和地方政府以及企业2022年达成的协议，这项计划已有进展。

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额 在去年内存半导体低迷之后，三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对 DRAM 的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM 和 DDR5 的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和 SK 海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向 10nm 第四代 (1a) 和第五代 (1b) 节点的过渡，以生产 HBM、DDR5 和 LPDDR5 等高价值产品。但另一方面，由于 NAND Flash 存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。

SK 海力士计划斥资40亿美元在美国建首家芯片工厂

SK 海力士计划斥资40亿美元在美国建首家芯片工厂 SK 海力士公司计划斥资38.7亿美元在印第安纳州建造一座先进的封装厂和人工智能产品研究中心。这标志着拜登政府在寻求增加美国本土半导体产量方面的胜利。这家全球第二大的内存芯片制造商表示，将在美国西拉斐特市建设首个工厂，并计划于2028年下半年开始量产。该工厂将重点建设下一代高带宽存储芯片生产线，这些芯片是训练人工智能系统图形处理器的关键组件。在美国当地建厂的决定是在 SK 海力士宣布投资美国的计划约两年后作出的。当时，SK 集团董事长崔泰源表示，该企业将拨出大约150亿美元，在美国建设芯片设施和加强研究项目。这家韩国公司表示，周三的公告是这一总体承诺的一部分。SK 海力士还申请了《芯片与科学法案》的拨款，该法案旨在促进半导体制造业回归美国。

SK 海力士希望与铠侠合作在日本生产 AI 用 HBM

SK 海力士希望与铠侠合作在日本生产 AI 用 HBM 韩国 SK海力士已与铠侠 (Kioxia) 提案，希望在日本生产下一代 HBM 内存，因为生成式 AI 的需求正在迅速增长，以英伟达为首的芯片制造商正在大量购买 HBM 内存。预计生产将在铠侠和美国西部数据 (WD) 合资的工厂进行。 铠侠正在根据半导体市场状况及其与西部数据的关系考虑下一步行动。 SK海力士有全球顶尖 HBM 市占率， 若能使用铠侠位于日本的现有工厂生产 HBM 的话，将能迅速增产；另一方面，铠侠、西部数据共同营运的日本工厂目前仅生产 NAND Flsah，而之后若能生产最先进 DRAM 的话，也有助于日本半导体产业复兴计划。 铠侠和西部数据均生产 NAND Flash 产品，双方曾计划合并，若合并完成规模将直指全球市占龙头三星电子。不过因间接对铠侠进行出资的 SK海力士反对，让合并谈判在去年秋天破裂。

SK加入美国半导体供应链 在华投资或受限

SK加入美国半导体供应链 在华投资或受限 4月4日，韩国SK海力士发布消息称，将在美国建设半导体工厂。在用于生成式AI（人工智能）的高性能半导体需求猛增的情况下，SK海力士将顺应美国拜登政府推进半导体国产化的意图，加入美国半导体供应链。该企业也在中国设有主力工厂，可能会夹在中美之间左右为难。“很高兴能在美国建设业界首座AI半导体尖端封装生产设施”，SK首席执行官（CEO）郭鲁正在于4月4日美国印第安纳州举行的仪式上，向美国政府相关人士等表达了自己的心情。SK将投资38.7亿美元，新建在美国的第一家半导体工厂。争取2028年开始量产，将以驱动生成式AI所需的被称为“高带宽存储器（HBM）”的高性能半导体为中心实施最后的生产工序。HBM是负责短期存储的DRAM存储器的一种。向美国总统承诺建厂事情的开端要追溯到2022年。SK集团会长崔泰源与拜登举行了视频会谈。我们将向美国半导体产业投资150亿美元，崔泰源的公开表态受到了美国政府的热烈欢迎。在中美对立导致地缘政治风险高涨的情况下，美国一直在促进半导体产业回归国内。2022年新设了《芯片和科学法案》，准备了总额达到约500亿美元的补贴，开始吸引半导体产业。为了吸引更多的企业在本国生产半导体，韩国政府也在通过税收优惠等政策促使工厂开工，SK也在进行增产。但如果生产基地扩大到美国，就能够实现供应链分散，以应对紧急事态。美国的补贴和尖端技术研发环境也对SK具有吸引力。在逻辑半导体领域，台积电（TSMC）和韩国三星电子两大亚洲巨头已经决定在美建厂。如果在存储器方面拥有强大技术实力的SK也加入的话，美国半导体供应链的竞争力将进一步提高。“Chat GPT”等生成式AI的普及也对SK作出这一决定起到了推动作用。要高速处理大量数据，HBM不可或缺。SK通过与美国英伟达（NVIDIA）合作，迅速确立了量产技术，目前正在迎来大量特需。在1月的结算会上，SK解释说：“HBM从中长期来看需求年均增长60％”。台湾调查公司TrendForce在3月分析称，在目前主流的HBM3产品市场上，SK的份额将达到90％以上。向三星发起攻势对SK而言，在国内同行中排名世界第一的三星电子是长年的眼中钉。据英国Omdia公司统计，2022年DRAM份额三星占43％，而SK仅占28％。凭借HBM这一新技术一跃占据优势的SK将加快量产计划，与三星拉开差距。SK在美国建设的是将半导体晶圆分割成芯片进行组装的“后工序”工厂。制造生成式AI半导体，需要层叠多个晶圆及贯通孔等复杂技术。位于建设工厂的印第安纳州普渡大学从事最尖端的半导体研究，学生等人才也很丰富。SK有一边抢夺美国的“半导体头脑”，一边对抗三星的野心。SK越是与美国加深蜜月关系，越难以处理与中国的关系。SK在中国运营着3家工厂，中国占到其半导体产能的约3成。2023年各国和地区的半导体销售额占比中，中国达到31％，仅次于美国的47％。SK在美国新建工厂时向美国政府申请了基于CHIPS法的补贴。如果接受这项补贴，就要受制于在美国存在经济安全保障担忧的中国等地投资被限制10年的条款。SK评论称：“如果能够拿到补贴，我们将遵守条款，努力将对经营的影响降到最小限度”。进驻美国拖累中国投资的情况也发生在正在德克萨斯州建设逻辑半导体工厂的三星身上。作为接受补贴的条件，三星的西安和苏州半导体工厂扩大产能受到了限制。存储器产业的技术革新很快。如果不进行尖端投资，现有中国工厂的技术水平将在几年内落后。关于中国工厂，据说三星正在考虑出售及折旧后停产等方案，没有找到摆脱困境的方法。韩国有进投资证券的研究中心负责人李承禹认为：“SK在中美纠葛之下，难以对中国进行尖端投资，将转而投向美国”。以进入从生成式AI设计到客户拥有大量科技企业的美国供应链为条件，SK等韩国企业已开始远离中国。 ... PC版： 手机版：