韩国将HBM内存上升为国家战略技术 三星等可享40%税收减免

韩国将HBM内存上升为国家战略技术 三星等可享40%税收减免 最主要的变化就是,扩大了有资格享受研发税收优惠的国家战略技术范围,与一般研发活动相比,企业对指定的国家战略技术可以获得更高的税收减免。中小企业可享受高达40%至50%的减免,而三星电子、SK海力士等中大型企业可享受高达30%至40%的减免。HBM全称为High Bandwich Memory,即高带宽内存,是一款的CPU/GPU内存芯片;其将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起,实现大容量、高位宽的DDR组合阵列。简单来讲,传统的DDR内存芯片是一层的平房结构,HBM结构的内存就是现代化的摩天大楼,在占地面积不变的基础上,向3维高度发展,从而可实现了更高的性能和带宽。随着AI应用的越来越广泛,HBM的相关应用也是越来越多,其需求也是水涨船高,目前HBM的平均售价至少是DRAM的三倍。 ... PC版: 手机版:

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英伟达正在努力认证三星 HBM 内存芯片 英伟达公司仍在致力于韩国三星电子高带宽内存 (HBM) 芯片的认证流程。英伟达首席执行官黄仁勋4日告诉记者,他的公司正在研究三星和美光科技公司提供的 HBM 芯片。“我们只需要完成工程工作。还没有完成。,”黄仁勋在台北国际电脑展的简报会上表示。“我希望昨天能完成。但还没完成。我们必须要有耐心。”黄仁勋发表上述言论之前,路透社报道称,三星最新高带宽内存 (HBM) 芯片由于散热和功耗问题,导致其尚未通过英伟达的测试认证。当被直接问及那篇文章时,黄仁勋说:"根本没有那回事。”

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三星和SK海力士推12层HBM3E内存

三星和SK海力士推12层HBM3E内存 3月19日消息,三星电子和 SK 海力士3月18日在人工智能芯片巨头英伟达年度开发者大会 (GTC) 上双双公开12层堆叠动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片的第五代高带宽存储器 (HBM3E) “HBM3E 12H DRAM”实物。高带宽存储器是指利用先进封装方法垂直堆叠多个DRAM芯片,使数据处理速度取得飞跃性提升的高性能内存。

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路透证实三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试

路透证实三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试 HBM 即高带宽存储器,这是一种基于 3D 堆栈工艺的高性能 DRAM,主要适用于高存储器带宽需求的场景组合,尤其是图形处理器、网络交换和转发设备。英伟达的 AI 加速产品都需要极高的带宽来提高性能,因此英伟达最初与 SK 海力士达成合作,由后者独家供应 HBM3 内存芯片。不过从今年开始英伟达已经开始接受三星电子和美光提供的 HBM3 内存芯片,三家供应商里当前似乎也只有三星电子遇到问题,目前英伟达的主力供应商仍然是 SK 海力士。消息称三星从去年开始就一直在尝试通过英伟达的 HBM3 和 HBM3E 的测试,其中 8 层和 12 层的 HBM3E 芯片最近的一次失败测试结果在 4 月公布。既然没有成功通过英伟达测试,那么三星电子自然还不算是该芯片的供应商,这种情况似乎也凸显三星在 HBM 芯片上落后于 SK 海力士和美光了。当然英伟达有自己的测试标准,三星其实也已经向其他客户供应此类芯片,可能是英伟达的要求更高所以暂时三星还不搞定技术难题,只能看着 SK 海力士和美光了。注:HBM3:指的是 HBM 第三个标准,每个标准里面还有不同的 “代” 比如 HBM3E,所以这里指的并不是第三代。相关文章:SK海力士正在HBM内存芯片领域处于领先地位 三星为此撤换芯片主管 ... PC版: 手机版:

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JEDEC 公布 HBM3 内存标准:带宽最高 819 GB/s,最多 16 层堆叠 64GB JEDEC 组织今日公布了 HBM3 内存标准,规范了产品的功能、性能以及容量、带宽等特性。这一代内存相比 HBM2,带宽增加了一倍。独立通道的数量从 8 个增加至 16 个,再加上虚拟通道,使得每个芯片支持 32 通道。芯片可以采用 4 层、9 层、12 层堆叠方式,未来可以扩展至 16 层堆叠,实现单片容量 64GB

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DDR3内存时代终结 三星、SK海力士停产 涨价20%

DDR3内存时代终结 三星、SK海力士停产 涨价20% 而在AI的驱动下,HBM高带宽内存需求飙升,产能远远无法满足,2024年和2025年的大部分产能都已经被订满,HBM2E、HBM3、HBM3E等的价格预计明年会上涨5-10%。数据显示,HBM内存在2023年的市占率只有2%,2024年可扩大至5%,2025年再次翻番到10%。在这种情况下,原厂停产DDR3、扩产HBM已是必然,直接导致DDR3内存近期价格明显上涨,最高幅度达20%。此举连带也会影响DDR5的供应,再加上存储行业处于上升周期,预测价格也会上涨20%。美光以及南亚等台系厂商将会继续生产DDR3,但美光也可能不会坚持太久。 ... PC版: 手机版:

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美光领先于SK Hynix 和三星 启动HBM3E内存的生产

美光领先于SK Hynix 和三星 启动HBM3E内存的生产 美光透露其正在大规模生产 24 GB 8-Hi HBM3E 设备,每个设备的数据传输速率为 9.2 GT/s,峰值内存带宽超过 1.2 TB/s。与 HBM3 相比,HBM3E 将数据传输速率和峰值内存带宽提高了 44%,这对于像 NVIDIA 的 H200 这样对带宽要求极高的处理器尤为重要。NVIDIA 的 H200 产品采用 Hopper 架构,计算性能与 H100 相同。同时,它配备了 141 GB HBM3E 内存,带宽达 4.8 TB/s,比 H100 的 80 GB HBM3 和 3.35 TB/s 带宽有了显著提升。美光使用其 1β(1-beta)工艺技术生产其 HBM3E,这对该公司来说是一项重大成就,因为该公司将其最新的生产节点用于数据中心级产品,这是对制造技术的一种考验。随着美光即将于 2024 年 3 月发布 36 GB 12-Hi HBM3E 产品,代表着公司的人工智能内存路线图得到了进一步巩固,与此同时这些设备接下来将用于何处还有待观察。领先于竞争对手 SK Hynix 和三星开始量产 HBM3E 内存是美光公司取得的一项重大成就,目前美光公司在 HBM 领域占据 10% 的市场份额。此举对该公司至关重要,因为它使美光能够比竞争对手更早推出高端产品,从而有可能增加收入和利润率,同时获得更大的市场份额。美光科技执行副总裁兼首席业务官 Sumit Sadana 表示:"美光在 HBM3E 这一里程碑上实现了三连冠:领先的上市时间、同类最佳的行业性能以及与众不同的能效特性。人工智能工作负载在很大程度上依赖于内存带宽和容量,美光通过我们业界领先的 HBM3E 和 HBM4 路线图,以及我们面向人工智能应用的全套 DRAM 和 NAND 解决方案组合,在支持未来人工智能的大幅增长方面处于非常有利的位置。" ... PC版: 手机版:

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