三星获得日本人工智能芯片初创公司2纳米晶圆订单

三星获得日本人工智能芯片初创公司2纳米晶圆订单 三星的 2 纳米节点被称为 SF2，有望在 2025 年交付量产芯片，这意味着 2024 年的大部分时间都将用于测试、验证和风险生产，预计该节点将在年底投入使用。与 SF3（3 纳米 EUV FinFET）相比，三星 SF2 的能效（等时钟）提高了 25%，性能提高了 12%。在半导体制造市场，三星 SF2 的竞争对手是台积电 N2 和英特尔 20A。 ... PC版： 手机版：

三星从决定放弃台积电的日本初创公司获得首批2纳米芯片订单

三星从决定放弃台积电的日本初创公司获得首批2纳米芯片订单 Preferred Networks（PFN）专门从事物联网应用深度学习的研究和开发，在开发定制软件和向各类客户提供超级计算机方面拥有丰富的资源和专业知识，因此被认为是日本最先进的公司。《首尔经济日报》的报道称，PFN 和三星之间的潜在合作关系将使双方受益。PFN 可以获得更新的芯片技术，使其在竞争中获得优势，而三星在落后台积电多年后，终于可以在其代工业务中产生动力。此外，报告还指出，与 PFN 的联盟能为三星打开多个通道，使其 2 纳米芯片开始获得更多客户。据说，PFN 与英伟达（NVIDIA）和英特尔（Intel）都有合作关系，是三星的强大盟友。三星也完全有可能为 PFN 的 2 纳米晶圆提供诱人的折扣，以吸引其成为下一代节点的第一个客户。此前有报道称，该公司曾探索过这一策略，以缩小与竞争对手台积电的市场份额差距。不过，这家韩国巨头是否已经成功解决了据称一直困扰其 3 纳米 GAA 工艺的良率问题，目前尚未得到证实。众所周知，台积电的尖端技术定价较高，因此三星可能会在这方面为自己赢得优势，但还有更多细节有待挖掘。 ... PC版： 手机版：

三星电子将为日本 Preferred Networks 生产人工智能芯片

三星电子将为日本 Preferred Networks 生产人工智能芯片 三星电子赢得日本 Preferred Networks, Inc. 的订单，生产采用 2 纳米工艺和先进芯片封装的人工智能芯片。

三星电子计划加强芯片代工业务 挑战台积电

三星电子计划加强芯片代工业务 挑战台积电 三星电子正在提高芯片代工产能并引进更先进的制程技术，希望从市场领导者台积电手中抢夺更多订单。 三星电子表示，将不晚于2025年推出2纳米手机部件制程。三星6月27日在加州圣何塞表示，还将大幅提高韩国平泽和美国德州Taylor工厂的产量，以扩大芯片代工业务规模。 这家全球最大的存储芯片生产商正在追赶台积电，同时抵御来自英特尔的挑战，后者也在进入芯片代工市场。虽然芯片业总体上仍然受制于手机和个人电脑零部件需求低迷，但人工智能热潮提振了高端处理器的需求。 三星分享了关于2纳米制程技术的细节，与目前最先进的3纳米技术比较，2纳米制程将提高性能12%并节能25%。 与其他芯片制造商一样，三星也希望分散其制造业务的地理布局。该公司大约20年前就在德州奥斯汀运营一家工厂，预计在Taylor的新工厂今年建成，目标2024年下半年投产。 标签: #三星 #台积电 #芯片 频道: @GodlyNews1 投稿: @Godlynewsbot

消息称三星代工厂正在为高通公司生产2纳米原型产品

消息称三星代工厂正在为高通公司生产2纳米原型产品 智能手机芯片组行业观察人士认为，三星 3 纳米 GAA 工艺由于据称的良品率问题，没有达到客户的预期。而台积电似乎在这一领域取得了胜利。有报道称，下一代 3 纳米节点的生产目标已确定为"到 2024 年底每月生产 10 万片晶圆"。Sedaily的一篇文章认为，该公司的尖端制造技术已经引起了知名厂商的兴趣："三星电子正在利用这些优势赢得 2 纳米项目的订单，赢得了日本最大的人工智能公司 Preferred Networks（PFN）生产 2 纳米人工智能加速器的订单，从而迈出了第一步。全球最大的系统半导体设计公司高通公司也已与三星电子设计高性能芯片的系统 LSI 部门就生产 2 纳米原型进行了讨论。"2023 年 12 月的新闻报道称，三星领导层正在为考虑 2 纳米晶圆的代工价格提供折扣，以保持与对手的竞争力。高通公司有可能正在评估2纳米SF2 GAAFET工艺，以用于未来的骁龙8"Gen 5"芯片组，而三星LSI可能正在开发2纳米"Exynos 2600"SoC设计。KB Securities 研究员 Kim Dong-won 提供了一些专家分析："由于开工率下降，三星代工业务自去年（2023 年）下半年以来一直表现不佳......最近包括 2 纳米在内的先进工艺订单增加，为三星代工业务的扭亏为盈提供了机会，使其未来能够与台积电展开对等竞争。" ... PC版： 手机版：

AMD与三星将联手开发先进的3纳米芯片

AMD与三星将联手开发先进的3纳米芯片 相比之下，三星为客户提供了使用更新的全周栅极（GAAFET）晶体管的能力，这种晶体管可以让芯片设计人员改善产品内部的电力流动，但也有一些缺点。据《韩国经济日报》报道，三星和 AMD 预计将深化合作，利用 3 纳米工艺技术生产下一代芯片。目前，由于只有苹果公司的 Mac 系列使用台湾台积电生产的芯片，因此大多数个人电脑都无法使用这种技术生产的芯片。三星的 3 纳米与台积电的 3 纳米不同，因为它使用的是栅极环绕（GAAFET）晶体管。GAAFET 是一种升级版晶体管设计，优于 FinFET，它允许设计人员改进电流量，因为改进后晶体管的沟道可以完全被栅极环绕。GAAFET 晶体管使用纳米线或纳米片导电。这些都需要对导线或薄片进行权衡。虽然导线提高了效率，但其较小的面积限制了它们在某些产品（如应用处理器）中的应用。另一方面，纳米片允许更多电流流过，但传导效率却有所降低。三星代工厂的图表显示了晶体管从 FinFET 到 GAAFET 再到 MBCFET 的演变过程。 图片：三星电子报道援引 AMD 首席执行官苏姿丰（Lisa Su）最近在比利时举行的一次会议上分享的 GAAFET 晶体管优于 FinFET 晶体管的观点，证明两家公司有意深化合作关系。据《韩国经济日报》报道，苏姿丰介绍了她的公司采用全方位栅极技术批量生产 AMD 下一代产品的计划。由于三星是世界上唯一一家生产 3 纳米 GAAFET 产品的公司，分析家们认为，苏的评论是这家韩国公司生产 AMD 新芯片的线索，他还认为 3 纳米 GAAFET 在性能和效率方面都优于以前的技术。合同半导体制造行业目前的态势是三星和英特尔与台积电对峙。台积电在市场上占据主导地位，而它的两个大型竞争对手正忙于采用新技术，以确保在实力雄厚的竞争对手面前取得优势。英特尔正在研究名为高 NA EUV 的先进芯片制造设备，看能否降低制造成本和复杂性。另一方面，三星不仅比台积电更早开始生产 3 纳米产品，还在其产品路线图中更早引入先进的 GAAFET 晶体管，试图从台湾公司手中夺走 3 纳米产品的市场份额。另一方面，台积电多年来一直强调可以使用传统的 EUV 机器制造芯片，并宣布将在其 2 纳米工艺中改用纳米片晶体管。栅极周围晶体管也是更小特征尺寸的结果，因为这些晶体管越小，制造商在制造 FinFET 时就越困难。 ... PC版： 手机版：