台积电2纳米节点将于2024年第四季度进入风险生产
台积电2纳米节点将于2024年第四季度进入风险生产 这是 FinFET 的后继技术,FinFET 推动了硅制造节点从 16 纳米到 3 纳米近十年的发展。GAAFET 技术对于代工厂在 2 纳米和 1 纳米之间的发展至关重要。 台积电预计将在位于台湾北部新竹科学园区宝山园区的新晶圆厂冒险生产 2 纳米节点的芯片。如果风险生产一切顺利,预计将于 2025 年第二季度实现芯片量产。在此之前,该公司最终 FinFET 节点 N3 系列的改进仍将是硅制造的最前沿。三星也为其 2 纳米节点(被称为 SF2)的量产设定了类似的 2025 年目标。在太平洋彼岸,英特尔代工服务公司的英特尔 20A 节点采用了 GAAFET(又称 RibbonFET)技术,其目标时间类似,包括雄心勃勃的 2024 年量产目标。 ... PC版: 手机版:
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