三星电子宣布扩大与Arm合作

三星电子宣布扩大与Arm合作 这将帮助三星电子的无晶圆厂客户增加获得最先进的GAA工艺的机会,并最大限度地减少下一代产品开发的时间和成本。GAA技术是克服工艺小型化导致晶体管性能下降,提高数据处理速度和功率效率的下一代关键半导体技术。三星电子于2022年在世界上率先推出了3纳米制程的GAA。此外,两家公司还计划重新开发用于下一代数据中心和基础设施定制芯片的2纳米GAA,以及将彻底改变未来生成式AI移动计算市场的开创性AI芯片解决方案。三星电子表示,最新的合作是基于多年来与数百万台搭载Arm CPU知识产权的设备的合作,这些设备采用了三星代工业务提供的各种工艺节点。三星电子代工设计平台开发负责人Kye Jong-wook表示:“随着我们进入生成式AI时代,我们很高兴与Arm扩大合作,推出下一代Cortex-X CPU,使我们的共同客户能够创造创新产品。” ... PC版: 手机版:

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三星正在为高通制造 2nm 芯片原型

三星正在为高通制造 2nm 芯片原型 三星晶圆制造(Samsung Foundry)正在开发一种非常先进的 SF2 GAAFET 工艺。 其周二的新闻稿介绍称,三星已与 ARM 建立开发合作伙伴关系:“提供基于三星晶圆制造最新的全环绕栅极(GAA) 2nm 工艺技术开发的优化的下一代 ARM Cortex-X CPU。” 三星电子已经赢得了日本最大 AI 公司 PFN 生产 2nm 的 AI 加速芯片的订单。高通也已与设计高性能芯片的三星电子系统 LSI 部门讨论生产 2nm 原型。高通可能正在评估在骁龙 8 Gen 5 芯片组的制造中使用 2nm SF2 GAAFET 工艺,而三星 LSI 可能正在开发 2nm 的 Exynos 2600 SoC 设计。 ,,

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三星宣布3nm芯片成功流片 采用GAA工艺

三星宣布3nm芯片成功流片 采用GAA工艺 三星称,与传统3nm芯片相比,自家3nm GAA设计的产品功率损耗可降低50%,性能也将得到改善,与之前的4nm FinFET工艺相比,能效和密度有着20%至30%的提升。按照计划,三星接下来会大规模生产下一代Soc,这颗芯片应该是传闻中的Exynos 2500,Galaxy S25系列将会首发搭载,其性能对标高通骁龙8 Gen4以及联发科天玑9400,后两款芯片则是采用台积电3nm工艺。除了旗舰手机,三星自家的Galaxy Watch 7系列智能手表也有可能会搭载3nm芯片。 ... PC版: 手机版:

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三星:2025年量产2nm工艺 2027年挺进1.4nm

三星:2025年量产2nm工艺 2027年挺进1.4nm 据悉,三星第一代2nm工艺SF2将于明年准备就绪,最先进的2nm工艺节点SF2Z将于2027年量产商用,它采用先进的后端供电网络(BSPDN)技术,可以提高电源效率。值得注意的是,三星2nm工艺进一步完善了多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)架构,具有独特的外延和集成工艺,与基于FinFET的工艺技术相比,晶体管性能提升了11%-46%,可变性降低26%,同时漏电降低约50%。值得注意的是,在今年2月,三星宣布与Arm展开合作,提供基于最新的GAA晶体管技术,优化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU内核,尽可能地提高了性能和效率。 ... PC版: 手机版:

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Arm与三星宣布共同开发2纳米GAA优化Cortex处理器核心

Arm与三星宣布共同开发2纳米GAA优化Cortex处理器核心 根据该计划,两家公司的目标是为各种应用(包括智能手机、数据中心、基础设施和各种定制的片上系统)提供基于三星 2 纳米级工艺技术的定制版 Cortex-A 和 Cortex-X 内核。目前,这两家公司还没有透露他们的目标是为三星第一代 2 纳米生产节点 SF2(将于 2025 年推出)共同优化 Arm 的 Cortex 内核,还是计划为所有 SF2 系列技术(包括 SF2 和 SF2P)优化这些内核。通道四面都被栅极包围的 GAA 纳米片晶体管有很多优化选择。例如,可以拓宽纳米片沟道以增加驱动电流并提高性能,或者缩小沟道以降低功耗和成本。根据不同的应用,Arm 和三星将有大量的设计选择。考虑到面向各种应用的 Cortex-A 内核,以及专为提供最高性能而设计的 Cortex-X 内核,双方合作的成果将是相当可观的。尤其期待性能最大化的 Cortex-X 内核、性能和功耗最优化的 Cortex-A 内核以及功耗更低的 Cortex-A 内核。如今,Arm 等 IP(知识产权)开发商与三星代工厂等代工厂之间的合作对于最大限度地提高性能、降低功耗和优化晶体管密度至关重要。与 Arm 的合作将确保三星的代工合作伙伴能够获得完全符合他们需求的处理器内核。 ... PC版: 手机版:

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Google 将Tensor G5芯片的代工合作伙伴从三星转移到台积电

Google 将Tensor G5芯片的代工合作伙伴从三星转移到台积电 不过,据业内人士3日透露,台积电与Google近期已进入第五代处理器“Tensor G5”量产的“流片”阶段,该处理器将搭载于定于明年发布的下一代智能手机“Pixel 10”系列。流片是半导体量产前的最后一个阶段,在这一阶段,最终的设计蓝图将被输入生产线。业内人士表示:“这款智能手机搭载的‘Tensor G5’将采用台积电3纳米工艺生产,预计性能将比现有产品(Tensor G4)大幅提升。Google计划借此增强其在高端人工智能(AI)智能手机市场的能力。”此前业界只是猜测台积电与Google在 Tensor G5 上合作的可能性,但最近两家公司似乎正在进入全面量产阶段。这一发展表明Google的代工合作伙伴关系发生了重大转变,其下一代 AP 将从三星转向台积电。业内人士指出,去年三星电子拿下GoogleTensor G4订单,人们期待三星电子能继续缩小与台积电在代工领域的差距。不过,随着Google与台积电合作开发下一代AP Tensor G5,未来AP生产委托台积电的可能性正在增加。从三星电子的角度来看,这一转变使该公司面临主要客户转向竞争对手台积电的可能性。据了解,三星电子在晶圆代工领域尚未获得任何明确的大规模客户订单。因此,三星电子今年第一季度的市场份额较上一季度(14%)下降了1个百分点至13%。相比之下,台积电的市场份额同期从61%上升了1个百分点至62%。三星电子未来能否通过“全环绕栅极技术”(GAA)吸引到多少大客户,是其3纳米工艺的一大优势。目前三星电子是唯一一家在3纳米工艺中采用GAA技术的代工企业。随着半导体行业不断发展,台积电与三星电子之间的竞争依然激烈。 ... PC版: 手机版:

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三星目标2025年量产2nm工艺 期待获得显著的性能和效率提升

三星目标2025年量产2nm工艺 期待获得显著的性能和效率提升 据Business Korea报道,三星将在今年6月16日至20日举行的“VLSI Symposium 2024”上发表一篇关于2nm(SF2)工艺中应用第三代GAA(Gate-All-Around)晶体管工艺技术特性的论文,并带来更多关键细节。三星称,新工艺将进一步完善多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)架构,具有独特的外延和集成工艺。与基于FinFET的工艺技术相比,晶体管性能提升了11%至46%,可变性降低26%,同时漏电降低约50%。按照三星的规划,SF2的技术开发工作将于2024年第二季度完成,届时其芯片合作伙伴将可以选择在该制程节点设计产品。三星的努力不仅仅在突破技术界限上,过去一段时间里正不断加强2nm工艺生态系统的建设,已经拥有50多个合作伙伴。今年2月,三星宣布与Arm展开合作,提供基于最新的GAA晶体管技术,优化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU内核,尽可能地提高了性能和效率,以将用户体验提升到一个新的水平。与此同时,三星还计划推出第三代3nm工艺,继续提高密度并降低功耗,另外还需要继续提升良品率。三星初代3nm工艺很难说得上成功,传闻早期的良品率仅为20%,主要用于生产加密货币使用的芯片,缺乏大客户的订单支持。 ... PC版: 手机版:

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