三星电子宣布扩大与Arm合作

三星电子宣布扩大与Arm合作 这将帮助三星电子的无晶圆厂客户增加获得最先进的GAA工艺的机会，并最大限度地减少下一代产品开发的时间和成本。GAA技术是克服工艺小型化导致晶体管性能下降，提高数据处理速度和功率效率的下一代关键半导体技术。三星电子于2022年在世界上率先推出了3纳米制程的GAA。此外，两家公司还计划重新开发用于下一代数据中心和基础设施定制芯片的2纳米GAA，以及将彻底改变未来生成式AI移动计算市场的开创性AI芯片解决方案。三星电子表示，最新的合作是基于多年来与数百万台搭载Arm CPU知识产权的设备的合作，这些设备采用了三星代工业务提供的各种工艺节点。三星电子代工设计平台开发负责人Kye Jong-wook表示：“随着我们进入生成式AI时代，我们很高兴与Arm扩大合作，推出下一代Cortex-X CPU，使我们的共同客户能够创造创新产品。” ... PC版： 手机版：

三星：2025年量产2nm工艺 2027年挺进1.4nm

三星：2025年量产2nm工艺 2027年挺进1.4nm 据悉，三星第一代2nm工艺SF2将于明年准备就绪，最先进的2nm工艺节点SF2Z将于2027年量产商用，它采用先进的后端供电网络（BSPDN）技术，可以提高电源效率。值得注意的是，三星2nm工艺进一步完善了多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构，具有独特的外延和集成工艺，与基于FinFET的工艺技术相比，晶体管性能提升了11%-46%，可变性降低26%，同时漏电降低约50%。值得注意的是，在今年2月，三星宣布与Arm展开合作，提供基于最新的GAA晶体管技术，优化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU内核，尽可能地提高了性能和效率。 ... PC版： 手机版：

三星Exynos 2500将与2400共享CPU结构 Cortex-X5核心频率和更多细节已公布

三星Exynos 2500将与2400共享CPU结构 Cortex-X5核心频率和更多细节已公布 此前曾有传言称 Exynos 2500 正在使用四个 Cortex-X 内核进行测试，但爆料人 @OreXda 分享了最新信息，透露三星方面正在测试不同的核心组合。使用过多的 Cortex-X 核心可能会导致功耗失控，而根据最新配置，10 核心CPU的组合与Exynos 2400 相比将保持不变。不同的是，据传 Exynos 2500 将改用 Cortex-X5 和 Cortex-A730，与 Exynos 2400 的 Cortex-X4 和 Cortex-A720 相比，性能可能会有所提升。遗憾的是，Cortex-X5 和 Cortex-X4 的时钟速度差异微乎其微，测试频率在 3.20GHz 和 3.30GHz 之间。根据三星的最终决定，我们要么会看到 100MHz 的微小差异，要么根本看不到任何差异。Exynos 2500 预计还将配备两个以不同时钟速度运行的 Cortex-A730 组合，这与 Exynos 2400 的设计风格非常相似。至于低功耗内核，该爆料者指出，在这一类别中绝对不会有任何区别，因为两代智能手机芯片都将采用相同的 Cortex-A520，但这些内核的频率尚未得到强调。三星梦想芯片很可能采用这家韩国巨头自家最先进的 3 纳米 GAA 工艺批量生产，该技术目前尚未用于任何智能手机或平板电脑芯片。Exynos 2400 是在 4LPP+ 节点上制造的，因此 Exynos 2500 采用先进的制造工艺是顺理成章的，这将使三星在旗舰芯片组领域达到新的高度。到目前为止，Exynos 2400 在各种 3DMark 基准测试中都给人留下了深刻印象，我们期待三星在下一个版本中能够进一步提高标准。 ... PC版： 手机版：

三星获得日本人工智能芯片初创公司2纳米晶圆订单

三星获得日本人工智能芯片初创公司2纳米晶圆订单 三星的 2 纳米节点被称为 SF2，有望在 2025 年交付量产芯片，这意味着 2024 年的大部分时间都将用于测试、验证和风险生产，预计该节点将在年底投入使用。与 SF3（3 纳米 EUV FinFET）相比，三星 SF2 的能效（等时钟）提高了 25%，性能提高了 12%。在半导体制造市场，三星 SF2 的竞争对手是台积电 N2 和英特尔 20A。 ... PC版： 手机版：

三星正在为高通制造 2nm 芯片原型

三星正在为高通制造 2nm 芯片原型 三星晶圆制造（Samsung Foundry）正在开发一种非常先进的 SF2 GAAFET 工艺。 其周二的新闻稿介绍称，三星已与 ARM 建立开发合作伙伴关系：“提供基于三星晶圆制造最新的全环绕栅极(GAA) 2nm 工艺技术开发的优化的下一代 ARM Cortex-X CPU。” 三星电子已经赢得了日本最大 AI 公司 PFN 生产 2nm 的 AI 加速芯片的订单。高通也已与设计高性能芯片的三星电子系统 LSI 部门讨论生产 2nm 原型。高通可能正在评估在骁龙 8 Gen 5 芯片组的制造中使用 2nm SF2 GAAFET 工艺，而三星 LSI 可能正在开发 2nm 的 Exynos 2600 SoC 设计。 ,,

三星目标2025年量产2nm工艺 期待获得显著的性能和效率提升

三星目标2025年量产2nm工艺 期待获得显著的性能和效率提升 据Business Korea报道，三星将在今年6月16日至20日举行的“VLSI Symposium 2024”上发表一篇关于2nm（SF2）工艺中应用第三代GAA（Gate-All-Around）晶体管工艺技术特性的论文，并带来更多关键细节。三星称，新工艺将进一步完善多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构，具有独特的外延和集成工艺。与基于FinFET的工艺技术相比，晶体管性能提升了11%至46%，可变性降低26%，同时漏电降低约50%。按照三星的规划，SF2的技术开发工作将于2024年第二季度完成，届时其芯片合作伙伴将可以选择在该制程节点设计产品。三星的努力不仅仅在突破技术界限上，过去一段时间里正不断加强2nm工艺生态系统的建设，已经拥有50多个合作伙伴。今年2月，三星宣布与Arm展开合作，提供基于最新的GAA晶体管技术，优化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU内核，尽可能地提高了性能和效率，以将用户体验提升到一个新的水平。与此同时，三星还计划推出第三代3nm工艺，继续提高密度并降低功耗，另外还需要继续提升良品率。三星初代3nm工艺很难说得上成功，传闻早期的良品率仅为20%，主要用于生产加密货币使用的芯片，缺乏大客户的订单支持。 ... PC版： 手机版：