三星DRAM部门业绩表现走向复苏 预计产量将提高

三星DRAM部门业绩表现走向复苏 预计产量将提高 23 财年，该公司的盈利能力下降了 95%，可持续发展出现了问题。不过，经过公司不断努力纠正库存水平并逐步提高价格，这家韩国巨头似乎正朝着正确的方向前进。据韩国媒体报道，市场调研机构Omdia对三星 2024 年的 DRAM 晶圆产量持乐观态度，随着市场进入升级周期，消费者希望更换现有的存储和内存产品，预计产量将逐年增长。据悉，到 2024 年第四季度，该公司的晶圆产量将达到 200 万片，比去年同期增长 41%。三星现在的目标是通过提高生产水平来挽回损失的利润，因为该公司预计未来会有更多的需求。除此之外，随着人工智能产业需求的增加，三星正寻求"重塑"其市场战略，将重点更多地转向HBM 生产。随着三星获得英伟达（NVIDIA）和 AMD 等巨头的信任，预计三星将提升现有设施的规模，以满足人工智能产品（如加速器）中即将出现的 HBM 需求。三星已经收到了 HBM3e 的订单，并希望在下一代人工智能 GPU 中得到应用。该公司将在 DRAM 部门采取"谨慎而积极"的方法，寻求从这里开始扩张。 ... PC版： 手机版：

三星CXL全球首创 3D DRAM路线图公布

三星CXL全球首创 3D DRAM路线图公布 该扩展卡混合了高速DRAM和NAND闪存，旨在提供一种经济高效的方式来提高服务器的内存容量，而无需使用本地安装的DDR5内存，而这在超额认购的服务器中通常是不可行的。三星的解决方案在Compute Express Link (CXL)上运行，这是一种开放式行业标准，可在 CPU 和加速器之间提供缓存一致性互连，从而允许 CPU 使用与利用 CXL 的连接设备相同的内存区域。远程存储器（或者在本例中为混合 RAM/闪存设备）可通过 PCIe 总线访问，但代价是大约 170-250 纳秒的延迟，或者大约是 NUMA 跳的成本。CXL 于 2019 年推出，目前处于第三个版本，支持 PCIe 6.0。CXL 规范支持三种类型的设备：Type 1 设备是缺乏本地内存的加速器，Type 2 设备是具有自己内存的加速器（例如具有 DDR 或 HBM 的 GPU、FPGA 和 ASIC），Type 3 设备由内存设备组成。三星设备属于 Type 3 类别。CMM-H TM 是三星CMM-H CXL 内存解决方案的一个分支。三星表示，它是世界上第一个基于FPGA的分层 CXL 内存解决方案，旨在“应对内存管理挑战，减少停机时间，优化分层内存的调度，并最大限度地提高性能，同时显着降低总拥有成本。”这种新的 CMM-H 速度不如 DRAM；然而，它通过闪存增加了强大的容量，但通过扩展卡内置的巧妙的内存缓存功能隐藏了大量延迟。热数据被转移到卡的 DRAM 芯片中以提高速度，而较少使用的数据则存储在 NAND 存储中。三星表示，这种行为会自动发生，但某些应用程序和工作负载可以通过 API 向设备发出提高性能的提示。当然，这会增加缓存数据的一些延迟，这并不适合所有用例，特别是那些依赖严格 99% 性能的用例。三星的新型扩展卡将为客户提供扩展服务器内存容量的新方法。随着更先进的大型语言模型继续要求其主机和加速器提供更多内存，这种新的设计范例变得越来越重要。三星公布3D DRAM规划全球最大的存储芯片制造商三星电子公司计划于2025年推出人工智能行业游戏规则改变者三维(3D) DRAM，目前以规模较小的竞争对手SK海力士公司主导的全球人工智能半导体市场。3D为主导的DRAM芯片通过垂直互连单元而不是像目前那样水平放置它们，能将单位面积的容量增加了三倍。相比之下，高带宽内存（HBM）垂直互连多个DRAM芯片。据首尔的半导体行业消息知情人士周二透露，三星上个月在加利福尼亚州圣何塞举行的全球芯片制造商聚会Memcon 2024上公布了其3D DRAM开发路线图。这家总部位于韩国水原的巨头计划于2025年推出基于垂直沟道晶体管技术的早期版本3D DRAM，该技术在构成单元的晶体管中该垂直设置沟道（电子流动的通道），并用充当开关的门。公司还计划在2030年推出一个式DRAM，将包括在内部的所有单元都在一起。目前 DRAM 在主板上包含多达 620 亿个单元，晶体管在平面上密集集成，这使得不可能避免漏电流和干扰。由于 3D DRAM 中的晶体管由于可以在同一上放置更多单元，因此3D DRAM预计将增加单位芯片内的容量。3D DRAM的基本容量为100 GB，几乎是当前可用DRAM最大容量36 GB的三倍。有消息称，到2030年，全球3D DRAM市场可能会增长到1000亿美元，但由于市场仍处于起步阶段AI半导体市场的领导者该技术有望帮助三星审视全球AI半导体行业的王座，击败目前在AI芯片领域主导地位的SK海力士，他们在AI应用的HBM、DRAM全球市场中占有90%的份额”业内人士表示。尽管三星的竞争对手（包括SK海力士和美光科技公司）一直在研究该技术，但尚未公布任何3D DRAM的路线图。SK海力士在各个行业会议上介绍了其3D DRAM的概念。美光于2019年开始开发3D DRAM，拥有约30项该技术专利，是三大芯片制造商中最多的。十多年来，随着智能手机等配备DRAM的电子设备变得更小、功能更多，全球DRAM行业一直在开发具有更大数据处理能力的更小芯片。人工智能的快速发展需要快速大规模处理数据，这一趋势正在加剧。3DDRAM预计将满足此类芯片的需求，因为它比现有的DRAM更小，容量更大。短期内，新型半导体可能用于智能手机和笔记本电脑等小型信息技术设备，这些设备需要高性能 DRAM 来实现设备上的 AI 功能。汽车行业预计将长期使用 3D DRAM，因为电动汽车和自动驾驶汽车需要能够实时处理从道路收集的 DRAM 的大数据。三星正在开发主导3D DRAM领域的技术，以期到2027年至2028年将其关键尺寸缩小到8-9纳米(nm)。最新的DRAM预计为12 nm左右。该公司还积极扩大3D DRAM研发人员队伍它在其半导体研究中心针对该技术成立了下一代工艺开发团队。 ... PC版： 手机版：

三星为下一代3D DRAM做准备 堆叠16层大幅提升容量

三星为下一代3D DRAM做准备 堆叠16层大幅提升容量 在韩国首尔举行的 2024 年国际内存研讨会（IMW）上，三星电子副总裁Lee Si-woo展示了新的 3D DRAM 技术，称随着市场的快速发展，尤其是人工智能领域，对先进 DRAM 技术的需求比以往任何时候都更加迫切。在 3D DRAM 架构的基础上，三星通过 DRAM 集成和性能的大幅提升，成功地大幅缩小了单元面积。图片来源：Samsung / Memcon三星/Memcon新的工艺采用了著名的"4F Square"单元结构，但 DRAM 晶体管是垂直安装的，这就是所谓的 VCT（垂直通道晶体管）技术。通过结合 4F Square 和 VCT 来改变单元结构，三星的目标是堆叠尽可能多的单元层，并以 16 层为目标，该公司很可能见证巨大的内存容量和性能提升。由于人工智能的炒作和消费者的需求，DRAM 市场出现了潜在的经济好转，看到市场上出现这样的发展令人兴奋，因为这不仅会带来创新，还会增加市场竞争，最终有利于普通消费者。不过，3D DRAM 目前仍是一个概念，三星自己也表示，该标准涉及复杂的制造技术，导致生产价格高昂。 ... PC版： 手机版：

三星取得今年来最高季度盈利 内存晶片料从低谷复苏

三星取得今年来最高季度盈利 内存晶片料从低谷复苏 三星电子（Samsung Electronics）今年第三季取得今年迄今的最高季度盈利，公司表示内存晶片市场开始出现从严重低谷复苏的迹象，明年的需求将逐渐恢复。 全球最大的内存晶片和智能手机制造商三星电子星期二（10月31日）在一份声明中指出，设备人工智能功能的普及将增加明年市场对高端产品DRAM晶片的需求。明年，个人电脑和移动设备的需求可能会受益于一些产品的更换周期。 三星在星期二发布今年7月至9月的第三季业绩。第三季营运盈利达到2.4万亿韩元（约24亿3000万新元），营收下跌12％至67.4万亿韩元。虽然盈利较去年同期的10.85万亿韩元减少78％，但仍高于第一季的6400亿韩元和第二季的6700亿韩元。 内存晶片业务在第三季的亏损，从第二季的4.36万亿韩元收窄至3.75万亿韩元，主要是因为三星专注于更有利可图的先进晶片，后者用于人工智能用途。同时，公司也在继续削减旧晶片的生产。 分析师指出，智能手机和个人电脑制造商因消费者需求疲软，而逐渐降低晶片库存水平以恢复采购活动，释放行业已经走出低迷的信号。 随着需求的改善，一些内存晶片的价格在第三季反弹，而韩国9月份整体工厂产出连续第二个月增长，主要受益于晶片产量的增加。 三星的竞争对手SK海力士（SK Hynix）上周表示，人工智能的蓬勃发展正在推动DRAM晶片的需求，而内存晶片制造商的产量削减举措所带来的效应正在显现，客户在下新的订单，晶片价格开始稳定下来。 三星股价在星期二早盘上涨0.7％。投资者看好内存晶片市场的反弹，推动该股股价今年迄今上扬约22％。 三星在星期二透露，公司今年预计创下53.7万亿韩元资本支出的纪录，其中47.5万亿韩元用于晶片，以应付中长期需求的增加。 移动设备业务第三季的营运盈利为3.3万亿韩元，略高于去年同期的3.24万亿韩元。尽管整体智能手机市场疲软，但三星在该季度推出高端折叠智能手机，推动了销售表现。 一般上，三星第三季的移动设备和显示面板业务表现强劲，因为正好碰上公司推出旗舰智能手机。 2023年10月31日 11:31 AM

三星电子展示下一代3D DRAM技术 发布时间预计是2025年后

三星电子展示下一代3D DRAM技术 发布时间预计是2025年后 根据在网络上曝光的内部演示幻灯片，DRAM 行业正在向 10 纳米以下的压缩线迈进。为了打破现代 DRAM 技术创新的僵局，三星计划推出两种新方法，即垂直通道晶体管和堆叠式 DRAM，这两种方法都涉及元件定位的差异，最终会减少器件面积的占用，从而确保更高的性能。同样，为了提高内存容量，三星计划利用堆叠 DRAM 概念，使公司能够实现更高的存储空间比，从而在未来将芯片容量提高到可能的 100 GB。据预测，到 2028 年，3D DRAM 市场将增长到 1000 亿美元。从目前来看，三星的发展相对较早，这可能意味着这家韩国巨头在未来将引领 DRAM 行业的发展。 ... PC版： 手机版：

三星和美光29日公告说，西安防疫封锁可能会影响他们在当地的内存生产供应。

三星和美光29日公告说，西安防疫封锁可能会影响他们在当地的内存生产供应。 三星在西安有两条NAND闪存生产线，占其总产能的42.5%、或是全球总产能的15.3%，但主要售向中国境内。美光则在西安生产DRAM内存。 （路透社）