三星组建全新HBM提升团队 并加速AI芯片Mach系列开发

三星组建全新HBM提升团队 并加速AI芯片Mach系列开发 业内消息人士3月29日透露，新团队将负责DRAM、NAND的开发和销售，三星执行副总裁兼DRAM产品和技术主管Hwang Sang-joon将领导新团队，但团队人数尚未确认。据悉，这是三星自2024年1月创建由100名设备和解决方案（DS）部门组成的HBM专职团队之后，成立的第二个HBM专职团队。为了在人工智能芯片市场抢占先机，三星将采取“双轨”战略，同时开发两种类型的尖端存储芯片：HBM和Mach系列。三星计划在年内量产HBM3E，并在2025年量产HBM4。池庆贤3月29日表示，“想要开发定制化HBM4芯片的客户将与我们合作。得益于专业团队的努力，三星将获得HBM市场的领导地位。”此前三星HBM负责人预计，2024年该公司HBM芯片产量将比去年增加2.9倍。三星人工智能芯片Mach-1目前正在开发中，预计今年年内将推出原型产品。这款芯片采用SoC（片上系统）形式，用于人工智能推理加速，可减少GPU与HBM的瓶颈。此外，三星未来还将推出Mach-2芯片，该公司高管表示，客户对此表现出浓厚的兴趣。 ... PC版： 手机版：

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额 在去年内存半导体低迷之后，三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对 DRAM 的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM 和 DDR5 的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和 SK 海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向 10nm 第四代 (1a) 和第五代 (1b) 节点的过渡，以生产 HBM、DDR5 和 LPDDR5 等高价值产品。但另一方面，由于 NAND Flash 存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。

三星DRAM部门在挣扎多年之后终于看到了盈利的希望

三星DRAM部门在挣扎多年之后终于看到了盈利的希望 DRAM 行业，尤其是与消费类内存和存储相关的行业多年来一直在走下坡路。这主要是由于后 COVID 时代的库存水平达到了历史最高点，但消费者需求的急剧下降却给三星等 DRAM 公司带来了巨大的麻烦。通过采取有力的库存修正措施，这家韩国巨头终于迎来了月度业绩盈余，预示着可能出现好转。据韩国消息来源称，三星电子的 DRAM 和 NAND 销售已进入"积极"区间，并可能在五年来首次实现盈利。考虑到他们一直在实施大规模措施，该公司预计会出现好转。我们还没有收到该公司的利润数据，但这对 DRAM 行业来说确实是个利好消息，如果这一趋势持续下去，我们可能会看到未来的盈利季度，这对整个行业来说都是相当利好的。看来，DRAM 和 NAND 领域的坏日子终于结束了，随着人工智能热潮的涌入，我们可能会看到可持续的增长。不过，这也意味着消费者有可能在未来看到 DRAM 产品的激增，正如之前多次强调的那样，如果库存调整的速度保持不变，那么购买存储和内存的成本可能会变得更高。 ... PC版： 手机版：

三星将加强联合开发制造商合作伙伴关系提高手机产量 预计提高到670万部

三星将加强联合开发制造商合作伙伴关系提高手机产量 预计提高到670万部 韩国科技媒体TheElec的报道称，三星计划今年在 JDM 合作伙伴的帮助下，将其智能手机的产量从 440 万部提高到 670 万部。JDM 战略要求设计过程由三星及其中国合作伙伴共同负责。设计完成后，公司再将设计进行批量生产。产量的跃升意味着外包设备将占到该公司设定的 2024 年目标产量的 25%。JDM 合作伙伴一般会被分配到设计和处理零部件的预算手机。Wintech 等合作伙伴极大地帮助三星实现了削减成本和灵活生产的目标。三星不仅与合作伙伴分担预生产任务，还分享智能手机销售利润的一部分。与 JDM 的合作还有助于公司利用当地的专业知识来了解发展趋势。例如，在 JDM 合作伙伴关系的帮助下， Galaxy C55针对中国市场进行了本地优化。报告还透露了越南作为外包合作伙伴将发挥的重要作用，其目标是利用当地的专业技术和设施生产约 2800 万部产品。通过优化战略，三星通过发售经济实惠的Android设备占据了市场的大部分份额，从而保持了其在市场上的地位。虽然三星的这一策略在过去的大规模生产和降低成本方面都起到了一定的效果，但有时也会导致部件质量无法保证。借助外包提前推出的 Galaxy A03s 确实对用户体验造成了负面影响。另一个因调配生产任务而面临的困难是中美贸易争端中的出口限制，导致先进芯片组的获取受到限制。所有这些问题都是在共享前期生产、多个合作伙伴共同负责公司产品生产的情况下出现的。该公司过去曾因产品性能的延迟实现和制造质量出现瑕疵而饱受批评，因此寄希望于提升制造能力和降低成本能掩盖外包模式带来的缺陷。 ... PC版： 手机版：

HBM3e产量激增 机构预计到2024年底将占先进工艺晶圆产量的35%

HBM3e产量激增 机构预计到2024年底将占先进工艺晶圆产量的35% HBM 的生产将因其盈利能力和不断增长的需求而得到优先考虑。然而，约 50-60% 的有限产量和比 DRAM 产品大 60% 的晶圆面积意味着需要更高的晶圆投入比例。根据各公司的 TSV 容量，预计到今年年底，HBM 将占先进工艺晶圆投入的 35%，其余晶圆容量将用于 LPDDR5(X) 和 DDR5 产品。关于HBM的最新发展，TrendForce指出，HBM3e将成为今年的市场主流，出货量将集中在下半年。目前，SK hynix 和美光仍是主要供应商，两者都采用 1beta 纳米工艺，并已向英伟达出货。采用 1Alpha nm 工艺的三星公司预计将在第二季度完成认证，并于今年年中开始供货。除了 HBM 需求的比例不断增加外，个人电脑、服务器和智能手机的单位容量不断增长也推动了先进工艺产能的逐季增长。其中，服务器的产能增幅最大，主要是由单位容量达 1.75 TB 的人工智能服务器推动的。随着英特尔蓝宝石 Rapids 和 AMD Genoa 等需要 DDR5 内存的新平台的量产，预计到今年年底，DDR5 的渗透率将超过 50%。同时，由于 HBM3e 的出货量预计将集中在下半年，而下半年又是内存需求的旺季，因此市场对 DDR5 和 LPDDR5(X) 的需求预计也将增加。不过，由于 2023 年出现财务亏损，制造商对产能扩张计划持谨慎态度。总体而言，由于 HBM 生产的晶圆投入比例较高，先进工艺的产出将受到限制。因此，下半年的产能分配将是决定供应能否满足需求的关键。如果不充分扩大先进工艺的产能，对 HBM 生产的更多关注可能会导致 DRAM 供应短缺。目前，新工厂计划如下：三星预计到 2024 年底，现有设施将全部使用完毕。新的 P4L 工厂计划于 2025 年完工，而 15 号生产线工厂将从 1Y 纳米工艺过渡到 1beta 纳米及以上工艺。SK hynix 的 M16 工厂的产能预计将在明年扩大，而 M15X 工厂也计划于 2025 年竣工，并在明年年底开始量产。美光在台湾的工厂将于明年恢复满负荷生产，未来的扩产重点将放在美国。博伊西工厂预计将于 2025 年竣工，随后进行设备安装，并计划于 2026 年量产。TrendForce 指出，虽然新工厂计划于 2025 年竣工，但量产的确切时间表仍不确定，取决于 2024 年的盈利情况。这种依靠未来利润为进一步购买设备提供资金的做法，加强了制造商今年维持内存涨价的决心。此外，英伟达（NVIDIA）将于 2025 年量产的 GB200 将采用 HBM3e 192/384 GB，有可能使 HBM 产量翻番。随着 HBM4 的开发在即，如果不在扩大产能方面进行大量投资，HBM 的优先发展可能会导致 DRAM 因产能限制而供应不足。 ... PC版： 手机版：

三星CXL全球首创 3D DRAM路线图公布

三星CXL全球首创 3D DRAM路线图公布 该扩展卡混合了高速DRAM和NAND闪存，旨在提供一种经济高效的方式来提高服务器的内存容量，而无需使用本地安装的DDR5内存，而这在超额认购的服务器中通常是不可行的。三星的解决方案在Compute Express Link (CXL)上运行，这是一种开放式行业标准，可在 CPU 和加速器之间提供缓存一致性互连，从而允许 CPU 使用与利用 CXL 的连接设备相同的内存区域。远程存储器（或者在本例中为混合 RAM/闪存设备）可通过 PCIe 总线访问，但代价是大约 170-250 纳秒的延迟，或者大约是 NUMA 跳的成本。CXL 于 2019 年推出，目前处于第三个版本，支持 PCIe 6.0。CXL 规范支持三种类型的设备：Type 1 设备是缺乏本地内存的加速器，Type 2 设备是具有自己内存的加速器（例如具有 DDR 或 HBM 的 GPU、FPGA 和 ASIC），Type 3 设备由内存设备组成。三星设备属于 Type 3 类别。CMM-H TM 是三星CMM-H CXL 内存解决方案的一个分支。三星表示，它是世界上第一个基于FPGA的分层 CXL 内存解决方案，旨在“应对内存管理挑战，减少停机时间，优化分层内存的调度，并最大限度地提高性能，同时显着降低总拥有成本。”这种新的 CMM-H 速度不如 DRAM；然而，它通过闪存增加了强大的容量，但通过扩展卡内置的巧妙的内存缓存功能隐藏了大量延迟。热数据被转移到卡的 DRAM 芯片中以提高速度，而较少使用的数据则存储在 NAND 存储中。三星表示，这种行为会自动发生，但某些应用程序和工作负载可以通过 API 向设备发出提高性能的提示。当然，这会增加缓存数据的一些延迟，这并不适合所有用例，特别是那些依赖严格 99% 性能的用例。三星的新型扩展卡将为客户提供扩展服务器内存容量的新方法。随着更先进的大型语言模型继续要求其主机和加速器提供更多内存，这种新的设计范例变得越来越重要。三星公布3D DRAM规划全球最大的存储芯片制造商三星电子公司计划于2025年推出人工智能行业游戏规则改变者三维(3D) DRAM，目前以规模较小的竞争对手SK海力士公司主导的全球人工智能半导体市场。3D为主导的DRAM芯片通过垂直互连单元而不是像目前那样水平放置它们，能将单位面积的容量增加了三倍。相比之下，高带宽内存（HBM）垂直互连多个DRAM芯片。据首尔的半导体行业消息知情人士周二透露，三星上个月在加利福尼亚州圣何塞举行的全球芯片制造商聚会Memcon 2024上公布了其3D DRAM开发路线图。这家总部位于韩国水原的巨头计划于2025年推出基于垂直沟道晶体管技术的早期版本3D DRAM，该技术在构成单元的晶体管中该垂直设置沟道（电子流动的通道），并用充当开关的门。公司还计划在2030年推出一个式DRAM，将包括在内部的所有单元都在一起。目前 DRAM 在主板上包含多达 620 亿个单元，晶体管在平面上密集集成，这使得不可能避免漏电流和干扰。由于 3D DRAM 中的晶体管由于可以在同一上放置更多单元，因此3D DRAM预计将增加单位芯片内的容量。3D DRAM的基本容量为100 GB，几乎是当前可用DRAM最大容量36 GB的三倍。有消息称，到2030年，全球3D DRAM市场可能会增长到1000亿美元，但由于市场仍处于起步阶段AI半导体市场的领导者该技术有望帮助三星审视全球AI半导体行业的王座，击败目前在AI芯片领域主导地位的SK海力士，他们在AI应用的HBM、DRAM全球市场中占有90%的份额”业内人士表示。尽管三星的竞争对手（包括SK海力士和美光科技公司）一直在研究该技术，但尚未公布任何3D DRAM的路线图。SK海力士在各个行业会议上介绍了其3D DRAM的概念。美光于2019年开始开发3D DRAM，拥有约30项该技术专利，是三大芯片制造商中最多的。十多年来，随着智能手机等配备DRAM的电子设备变得更小、功能更多，全球DRAM行业一直在开发具有更大数据处理能力的更小芯片。人工智能的快速发展需要快速大规模处理数据，这一趋势正在加剧。3DDRAM预计将满足此类芯片的需求，因为它比现有的DRAM更小，容量更大。短期内，新型半导体可能用于智能手机和笔记本电脑等小型信息技术设备，这些设备需要高性能 DRAM 来实现设备上的 AI 功能。汽车行业预计将长期使用 3D DRAM，因为电动汽车和自动驾驶汽车需要能够实时处理从道路收集的 DRAM 的大数据。三星正在开发主导3D DRAM领域的技术，以期到2027年至2028年将其关键尺寸缩小到8-9纳米(nm)。最新的DRAM预计为12 nm左右。该公司还积极扩大3D DRAM研发人员队伍它在其半导体研究中心针对该技术成立了下一代工艺开发团队。 ... PC版： 手机版：