三星和SK海力士推12层HBM3E内存

三星和SK海力士推12层HBM3E内存 3月19日消息，三星电子和 SK 海力士3月18日在人工智能芯片巨头英伟达年度开发者大会 (GTC) 上双双公开12层堆叠动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片的第五代高带宽存储器 (HBM3E) “HBM3E 12H DRAM”实物。高带宽存储器是指利用先进封装方法垂直堆叠多个DRAM芯片，使数据处理速度取得飞跃性提升的高性能内存。

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存 SK海力士出局

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存 SK海力士出局 而SK海力士因部分工程问题，未能推出12层HBM3E产品，但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。今年2月27日，三星电子官宣成功开发出业界首款36GB 12H（12层堆叠）HBM3E DRAM内存。据介绍，HBM3E 12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止最大的36GB容量，相比于8层堆叠的HBM3 8H，在带宽和容量上提升超过50%。同时相比于8层堆叠，其AI训练速度平均提高34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。在此前的GTC2024大会上，英伟达正式发布了B200和GB200系列芯片。据黄仁勋介绍，B200拥有2080亿个晶体管，采用台积电4NP工艺制程，可以支持多达10万亿个参数的AI大模型，还通过单个GPU提供20 petaflops的AI性能。 ... PC版： 手机版：

三星 HBM3E 没过 NVIDIA 验证，原因与台积电有关

三星 HBM3E 没过 NVIDIA 验证，原因与台积电有关 外媒报导，三星至今未通过 NVIDIA 验证，是卡在台积电。身为 NVIDIA 资料中心 GPU 制造和封装厂，台积电也是 NVIDIA 验证重要参与者，传闻采合作伙伴 SK 海力士 HBM3E 验证标准，而三星制程与 SK 海力士有差异，SK 海力士采 MR-RUF，三星则是 TC-NCF，对参数多少有影响。 2024-03-14

SK海力士将展示GDDR7、48GB 16层HBM3E和LPDDR5T-10533内存产品线

SK海力士将展示GDDR7、48GB 16层HBM3E和LPDDR5T-10533内存产品线 首先，SK 海力士将是继三星之后第二家展示 GDDR7 存储器芯片的公司。SK Hynix 芯片的速度为 35.4 Gbps，低于三星展示的 37 Gbps，但密度同样为 16 Gbit。这种密度允许在 256 位内存总线上部署 16 GB 视频内存。并不是所有的下一代 GPU 都能达到 37 Gbps 的最高速度，有些可能会以更低的显存速度运行，SK 海力士的产品线中也有合适的选择。与三星一样，SK Hynix 也采用了 PAM3 I/O 信号和专有的低功耗架构（不过该公司没有详细说明是否与三星芯片的四种低速时钟状态类似）。GDDR7 势必会在下一代游戏和专业视觉领域的显卡中占据主导地位；然而，人工智能 HPC 处理器市场仍将主要依靠 HBM3E。SK Hynix 在这方面进行了创新，并将展示全新的 16 层 48 GB（384 Gbit）HBM3E 堆栈设计，单个堆栈的速度可达 1280 GB/s。拥有四个这样堆栈的处理器将拥有 192 GB 内存，带宽为 5.12 TB/s。该堆栈采用了全功耗 TSV（硅通孔）设计和 6 相 RDQS（读取数据队列选通）方案，以优化 TSV 面积。最后，SK Hynix 还将在会上首次演示其面向智能手机、平板电脑和轻薄笔记本电脑的 LPDDR5T（LPDDR5 Turbo）内存标准。由于采用了专有的寄生电容降低技术和电压偏移校准接收器技术，该芯片可实现每引脚 10.5 Gb/s 的数据传输速率和 1.05 V 的 DRAM 电压。 ... PC版： 手机版：

HBM制造商良品率低 难以通过NVIDIA的供应商资格测试

HBM制造商良品率低 难以通过NVIDIA的供应商资格测试 韩国知名媒体DealSite 的一篇报道披露，美光（Micron）和 SK 海力士（SK Hynix）等制造商正在为通过英伟达（NVIDIA）下一代人工智能 GPU 的资格测试而正面交锋，而低良品率似乎阻碍了它们的发展。在 HBM 领域，良品率主要与堆叠架构的复杂性有关，它涉及多个存储器层和用于层间连接的复杂硅通孔 (TSV)。这种复杂性增加了制造过程中出现缺陷的几率，与较简单的存储器设计相比，可能会降低良品率。DealSite 重申，如果其中一个 HBM 芯片有缺陷，整个堆叠就会被丢弃，由此可见制造过程有多复杂。消息人士称，目前 HBM 内存的总体良品率约为 65%，如果各公司开始提高这一数字，产量就会下降，这就是为什么实际的竞争在于找到这两个问题之间的解决方案。不过，美光（Micron）和 SK 海力士（SK Hynix）似乎在这场竞争中处于领先地位，据报道，美光已经开始为英伟达（NVIDIA）的 H200 AI GPU生产 HBM3E，因为它已经通过了NVIDIA设定的认证阶段。现在，虽然对于 HBM 制造商来说，良品率现在还不是一个大问题，但从长远来看它又可能会成为一个大问题，因为随着时间的推移，我们会看到需求的增长，最终促使对更高产量的需求。 ... PC版： 手机版：

三星与AMD签订价值30亿美元的HBM3E 12H供货协议

三星与AMD签订价值30亿美元的HBM3E 12H供货协议 这笔交易意义重大，因为如果分析师知道内存堆栈在 AI GPU 的物料清单中占多大比例，他们就能对 AMD 准备推向市场的 AI GPU 的数量有一定的了解。考虑到竞争对手英伟达（NVIDIA）几乎只使用 SK 海力士（Hynix）生产的 HBM3E，AMD 很可能已经为三星的 HBM3E 12H 堆栈谈好了价格。随着英伟达的"Hopper"H200 系列、"Blackwell"、AMD 的 MI350X CDNA3 以及英特尔的 Gaudi 3 生成式 AI 加速器的推出，AI GPU 市场有望升温。三星于 2024 年 2 月首次推出了HBM3E 12H 内存。每个堆栈有 12 层，比第一代 HBM3E 增加了 50%，每个堆栈的密度为 36 GB。AMD CDNA3 芯片有 8 个这样的堆栈，包装上就有 288 GB 内存。AMD 预计将于 2024 年下半年推出 MI350X。这款芯片的最大亮点是采用台积电 4 纳米 EUV 代工节点制造的全新 GPU 片，这似乎是 AMD 首次推出 HBM3E 12H 的理想产品。 ... PC版： 手机版：