SK海力士2025年HBM产品基本售罄

SK海力士2025年HBM产品基本售罄 SK 海力士公司计划在今年第三季度开始量产其下一代内存芯片，以期利用对人工智能发展至关重要的半导体需求激增的机会。这家韩国公司在一份声明中表示，其 2025 年高带宽存储器 (HBM) 产能几乎已被全部预订。海力士上个月表示，计划斥资约 146 亿美元在韩国构建新的存储芯片产能。

SK hynix宣布2026年量产HBM4 为下一代AI GPU做准备

SK hynix宣布2026年量产HBM4 为下一代AI GPU做准备 随着人工智能在市场上的应用迅速增加，我们在迈向未来的过程中需要更强的计算能力，值得注意的是，HBM 在人工智能计算如何定位自己的现代生活中发挥了至关重要的作用，因为它是制造人工智能加速器的关键部件。SK hynix 副总裁 Kim Chun-hwan 在 2024 年韩国半导体展（SEMICON Korea 2024）上发表主题演讲时透露，该公司打算在 2026 年之前开始量产 HBM4，并声称这将推动人工智能市场的巨大增长。他认为，除了早日实现下一代产品过渡之外，重要的是要认识到 HBM 行业面临着巨大的需求；因此，创造一种既能无缝供应又具有创新性的解决方案更为重要。Kim 认为，到 2025 年，HBM 市场预计将增长高达 40%，并已提前定位，以充分利用这一市场。关于对 HBM4 的期待，Trendforce分享的路线图预计，首批 HBM4 样品的每个堆栈容量将高达 36 GB，而完整规格预计将在 2024-2025 年下半年左右由 JEDEC 发布。首批客户样品和可用性预计将于 2026 年推出，因此距离我们看到新的高带宽内存人工智能解决方案的实际应用还有很长的时间。目前还不确定哪种类型的人工智能产品将采用新工艺，因此我们暂时无法做出任何预测。随着 SK hynix 的加入，HBM 市场的竞争似乎会变得更加激烈，哪家公司会崛起并登上王者宝座，让我们拭目以待。 ... PC版： 手机版：

SK hynix宣布与台积电合作开发用于HBM4存储芯片的封装技术

SK hynix宣布与台积电合作开发用于HBM4存储芯片的封装技术 SK hynix 表示，与全球顶级代工厂台积电的合作将带来更多的 HBM 技术创新。通过产品设计、代工厂和存储器供应商之间的三方合作，此次合作有望在存储器性能方面实现突破。两家公司将首先致力于提高安装在 HBM 封装最底部的基础芯片的性能。HBM 是在采用 TSV 技术的基底芯片上堆叠核心 DRAM 芯片，并通过 TSV 将 DRAM 堆叠中的固定层数与核心芯片垂直连接成 HBM 封装。位于底部的基础芯片连接到 GPU，由 GPU 控制 HBM。SK hynix 采用专有技术制造 HBM3E 以下的基础芯片，但计划在 HBM4 的基础芯片上采用台积电的先进逻辑工艺，这样就可以在有限的空间内封装更多的功能。这也有助于 SK hynix 生产定制的 HBM，满足客户对性能和能效的需求。SK hynix和台积电还同意合作优化SK hynix的HBM和台积电的CoWoS技术的整合，同时合作应对客户在HBM方面的共同要求。K hynix 总裁兼 AI Infra 负责人 Justin Kim 说："我们期待与台积电建立强大的合作伙伴关系，帮助我们加快与客户的开放式合作，并开发出业界性能最佳的 HBM4。有了这次合作，我们将通过增强在定制存储器平台领域的竞争力，进一步巩固我们作为全面人工智能存储器供应商的市场领导地位。""多年来，台积电和 SK hynix 已经建立了牢固的合作伙伴关系。多年来，台积电与SK hynix已经建立了稳固的合作关系，我们共同致力于整合最先进的逻辑和最先进的HBM，提供全球领先的人工智能解决方案。展望下一代 HBM4，我们有信心继续紧密合作，提供最佳集成解决方案，为我们的共同客户开启新的人工智能创新。" ... PC版： 手机版：

SK海力士已售出2025年的大部分人工智能芯片产能

SK海力士已售出2025年的大部分人工智能芯片产能 在媒体招待会上，韩国存储芯片巨头SK海力士CEO介绍，由于AI爆发对先进存储产品HBM的需求，公司按量产计划2025年生产的HBM产品也基本售罄。此前，公司对外宣布2024年HBM的产能已被客户抢购一空。公司预测，未来专门用于人工智能的“超高速、高容量、低电力”存储器需求将会暴增，目前像HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%，预计到2028年可以达到61%。SK 海力士上个月表示，它计划斥资约 146 亿美元在韩国建造一座新的存储芯片工厂以满足这一需求。此外，该公司还将在印第安纳州建造一座耗资 40 亿美元的封装厂，这也是该公司在美国的第一座封装厂。在回答关于公司如何支付投资的问题时，首席财务官 Kim Woo-hyun 表示，他预计公司将从运营中产生足够的现金，为必要的项目提供资金。从中长期来看，公司计划在考虑现金生成和财务健康之间的平衡的情况下获得资金。 ... PC版： 手机版：

美光2024年和2025年大部分的HBM3E供应已经售罄

美光2024年和2025年大部分的HBM3E供应已经售罄 美光公司首席执行官 Sanjay Mehrotra 在本周财报电话会议的准备发言中表示："我们 2024 年的 HBM 已经售罄，2025 年的绝大部分供应也已经分配完毕。我们仍然预计，在 2025 年的某个时候，HBM 位数份额将与我们整体 DRAM 位数份额相当"。美光的首款 HBM3E 产品是一个 8-Hi 24 GB 堆栈，具有 1024 位接口、9.2 GT/s 数据传输速率和 1.2 TB/s 的总带宽。英伟达用于人工智能和高性能计算的H200加速器将使用6个这样的立方体，提供总计141 GB的可访问高带宽内存。Mehrotra说："我们有望在2024财年从HBM获得数亿美元的收入，预计从第三财季开始，HBM收入将增加我们的DRAM和整体毛利率。"该公司还开始为其 12-Hi 36 GB 堆栈提供样品，容量提高了 50%。这些 KGSD 将于 2025 年量产，并将用于下一代人工智能产品。与此同时，英伟达的 B100 和 B200 看起来不会使用 36 GB HBM3E 堆栈，至少在初期不会。人工智能服务器的需求在去年创下了纪录，看来今年也将保持高位。一些分析师认为，英伟达的 A100 和 H100 处理器（以及它们的各种衍生产品）在 2023 年占据了整个人工智能处理器市场高达 80% 的份额。虽然今年英伟达在推理方面将面临来自 AMD、AWS、D-Matrix、英特尔、Tenstorrent 和其他公司更激烈的竞争，但英伟达的 H200 看起来仍将是人工智能训练的首选处理器，尤其是对于 Meta 和微软这样的大公司来说，它们已经运行着由数十万英伟达加速器组成的舰队。考虑到这一点，成为英伟达 H200 的 HBM3E 的主要供应商对美光来说是一件大事，因为它使美光最终能够在 HBM 市场上占据相当大的份额。同时，由于 HBM 堆栈中的每个 DRAM 器件都有一个较宽的接口，因此在物理尺寸上要大于普通的 DDR4 或 DDR5 IC。因此，HBM3E 内存的量产将影响美光公司商品 DRAM 的位数供应。"HBM产量的增长将限制非HBM产品的供应增长，"Mehrotra说。"从整个行业来看，在相同的技术节点上生产一定数量的位，HBM3E 消耗的晶圆供应量大约是 DDR5 的三倍。" ... PC版： 手机版：

NVIDIA据称正在测试SK Hynix的12层HBM3E原型样品

NVIDIA据称正在测试SK Hynix的12层HBM3E原型样品 2023 年年中的报道称，NVIDIA在夏季前后获得了8 层 HBM3E（第 4 代）单元的样品，SK Hynix 也很快收到了批准通知。另一家韩国媒体DealSite 认为，英伟达的内存认证流程暴露了多家制造商的 HBM 产量问题。SK 海力士、三星和美光在 HBM3E 领域展开了激烈的竞争，希望能将各自的产品应用到英伟达的 H200 AI GPU 上。DigiTimes Asia称，SK Hynix准备在本月某个时间点"开始量产第五代HBM3E"。业内人士认为，SK Hynix 的良品率足以通过NVIDIA的早期认证，先进的 12 层样品有望在不久的将来获得批准。ZDNet认为，SK Hynix 的发展势头使其处于有利地位："（他们）在去年下半年提供了 8 层 HBM3E 样品，并通过了最近的测试。虽然官方时间表尚未公布，但预计最早将于本月开始量产。此外，SK Hynix 上个月还向英伟达提供了 12 层 HBM3E 样品。该样品属于极早期版本，主要用于建立新产品的标准和特性。SK Hynix 将其称为 UTV（Universal Test Vehicle）。由于海力士已经完成了 8 层 HBM3E 的性能验证，预计 12 层 HBM3E 的测试不会花费太多时间"SK Hynix副总裁最近透露，公司 2024 年的 HBM 产能已经预定一空，领导层已经在为 2025 年及以后的创新做准备。 ... PC版： 手机版：