抛三星、买海力士 市场认定了HBM赢家？

抛三星、买海力士 市场认定了HBM赢家？ SK海力士在外资净买入排名中上升同样引人注目，1月份时位居第三，2月份跃升至第二，本月超越现代成为最受青睐的股票。截至3月8日，SK海力士净买入额达到4900亿韩元，本月股价涨超10%，达到了171900韩元/股的新高。而三星则与SK海力士的强劲表现形成鲜明对比，本月股价略微下跌了0.14%，年内跌近7%。外资大幅抛售三星电子，1月份三星曾是最受外资欢迎的股票，到了2月份却跌至第七位，而在本月成为被外资抛售最多的股票之一。分析指出，由于英伟达业绩强劲，增加了对高带宽存储芯片（HBM）需求的预期，不少投资者转向在HBM市场拥有较大份额的SK海力士，去年其在HBM市场的份额达到54%。高盛研究员Kim Sun-woo指出：SK海力士在HBM市场的领先地位令其在AI发展趋势中受益，目前它与三星在下一代HBM技术上的差距正在扩大，这可能会进一步推动对SK海力士的需求。在HBM芯片领域，竞争已经达到了前所未有的高度。SK海力士仅今年就先进封装技术上已投资1.3万亿韩元，以提升其生产高端芯片的能力。今年它是Nvidia H100处理器的唯一HBM3芯片供应商，与英伟达签订HBM3E（H200的重要组成部分）优先供应协议。三星也在全速迎头赶上，该公司最近宣布已开发出36GB HBM3E 12H DRAM，是业内容量最大的HBM，凭借12层堆叠技术，其性能和容量可大幅提升50%以上。三星希望在今年上半年开始量产。美光也后来者居上，宣布开始量产HBM3E内存，将用于英伟达H200 AI芯片，对SK海力士和三星电子构成了挑战。 ... PC版： 手机版：

三星 HBM3E 没过 NVIDIA 验证，原因与台积电有关

三星 HBM3E 没过 NVIDIA 验证，原因与台积电有关 外媒报导，三星至今未通过 NVIDIA 验证，是卡在台积电。身为 NVIDIA 资料中心 GPU 制造和封装厂，台积电也是 NVIDIA 验证重要参与者，传闻采合作伙伴 SK 海力士 HBM3E 验证标准，而三星制程与 SK 海力士有差异，SK 海力士采 MR-RUF，三星则是 TC-NCF，对参数多少有影响。 2024-03-14

路透证实三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试

路透证实三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试 HBM 即高带宽存储器，这是一种基于 3D 堆栈工艺的高性能 DRAM，主要适用于高存储器带宽需求的场景组合，尤其是图形处理器、网络交换和转发设备。英伟达的 AI 加速产品都需要极高的带宽来提高性能，因此英伟达最初与 SK 海力士达成合作，由后者独家供应 HBM3 内存芯片。不过从今年开始英伟达已经开始接受三星电子和美光提供的 HBM3 内存芯片，三家供应商里当前似乎也只有三星电子遇到问题，目前英伟达的主力供应商仍然是 SK 海力士。消息称三星从去年开始就一直在尝试通过英伟达的 HBM3 和 HBM3E 的测试，其中 8 层和 12 层的 HBM3E 芯片最近的一次失败测试结果在 4 月公布。既然没有成功通过英伟达测试，那么三星电子自然还不算是该芯片的供应商，这种情况似乎也凸显三星在 HBM 芯片上落后于 SK 海力士和美光了。当然英伟达有自己的测试标准，三星其实也已经向其他客户供应此类芯片，可能是英伟达的要求更高所以暂时三星还不搞定技术难题，只能看着 SK 海力士和美光了。注：HBM3：指的是 HBM 第三个标准，每个标准里面还有不同的 “代” 比如 HBM3E，所以这里指的并不是第三代。相关文章:SK海力士正在HBM内存芯片领域处于领先地位 三星为此撤换芯片主管 ... PC版： 手机版：

英伟达寻求从三星采购HBM芯片

英伟达寻求从三星采购HBM芯片 黄仁勋表示，英伟达正在对三星的HBM芯片进行资格认证，并将在未来开始使用它们。HBM已成为人工智能热潮的重要组成部分，因为与传统存储芯片相比，它提供了更快的处理速度。黄仁勋表示：“HBM是一个技术奇迹。”他补充说，HBM还可以提高能效，并且随着耗电的人工智能芯片变得更加普遍，将帮助世界保持可持续发展。SK海力士实际上是AI芯片领导者英伟达的HBM3芯片的唯一供应商。虽然没有透露新HBM3E的客户名单，但SK海力士高管透露，新芯片将首先供货英伟达并用于其最新的Blackwell GPU。三星一直在HBM上投入巨资，以追赶竞争对手。三星于2月宣布开发出HBM3E 12H，这是业界首款12层堆栈HBM3E DRAM，也是迄今为止容量最高的HBM产品。三星表示，将于今年上半年开始量产该芯片。 ... PC版： 手机版：

消息称三星电子新设HBM芯片开发团队

消息称三星电子新设HBM芯片开发团队 三星电子副总裁、高性能DRAM设计专家Sohn Young-soo将领导该团队。新团队将专注于下一代HBM4产品以及HBM3和HBM3E产品的研发。此举表明，三星电子将加强对HBM的研发结构。该公司已开发出了业界领先的12层HBM3E产品，并通过了英伟达的质量测试。但该市场一直由三星的竞争对手SK海力士凭借其最新的HBM3E而占据主导地位。为巩固自己的地位，三星电子还重组了先进封装团队和设备技术实验室，以提高整体技术竞争力。最新的举措是为了提高三星在蓬勃发展的HBM市场上的竞争力。 ... PC版： 手机版：

三星和SK海力士推12层HBM3E内存

三星和SK海力士推12层HBM3E内存 3月19日消息，三星电子和 SK 海力士3月18日在人工智能芯片巨头英伟达年度开发者大会 (GTC) 上双双公开12层堆叠动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片的第五代高带宽存储器 (HBM3E) “HBM3E 12H DRAM”实物。高带宽存储器是指利用先进封装方法垂直堆叠多个DRAM芯片，使数据处理速度取得飞跃性提升的高性能内存。