消息称中芯国际成功开发出5纳米DUV工艺 华为Mate 70系列可能成为首批受益者

消息称中芯国际成功开发出5纳米DUV工艺 华为Mate 70系列可能成为首批受益者 华为最近发布的智能手机 Pura 70 的拆解图，显示了主板上的圈点，主板上的应用处理器（AP）由中芯国际生产，NAND 闪存由华为子公司 Hysilicon 封装目前还没有产量方面的消息，但中芯国际的 5 纳米工艺此前曾被认为由于缺乏下一代设备而生产成本较高。由于美国的贸易禁令禁止像荷兰的 ASML 这样的公司向任何中国公司提供最先进的 EUV 设备，因此对于中芯国际来说，成功在现有技术基础商发展 5 纳米工艺已经是一项艰巨的任务。在竞争优势被扼杀的情况下，中芯国际不得不利用现有的 DUV 设备来实现这一目标。据一位芯片大师说，5 纳米晶圆可以用老式设备增加工序批量生产，但因此成本高昂，产量也会受到影响。据估计，中芯国际的 5 纳米芯片价格将比台积电在相同光刻工艺下的芯片价格高出 50%，这意味着如果华为试图吸收这些组件的大部分成本，将很难用具有竞争力的价格消费者销售其 Mate 70 系列，同时又获得足够的利润。据报道，HarmonyOS Next 将随 Mate 70 系列亮相，据说与Google的Android平台相比，HarmonyOS Next 的内存管理效率更高。虽然中芯国际可能打算在几年内生产 5 纳米晶圆，但它不会一直局限于旧的制造工艺，因为有传言称它将组建一个研发团队，致力于开发 3 纳米芯片工艺。消息来源：Hankyung ... PC版： 手机版：

华为与中芯国际据报去年利用美国技术生产七纳米芯片

华为与中芯国际据报去年利用美国技术生产七纳米芯片 要求匿名的知情人士说，中国通讯设备巨头华为和芯片制造商中芯国际，去年依靠美国技术在中国生产了一款先进的七纳米芯片。 彭博社星期五（3月8日）引述知情人士报道，总部位于上海的中芯国际去年利用美国应用材料公司（Applied Materials）和半导体生产设备制造商泛林集团（Lam Research）的设备为华为生产了一款先进的七纳米芯片。 知情人士说，中芯国际是在2022年10月美国对先进半导体设备实施禁令前，取得这些设备。 美国近年来与日本、荷兰等半导体生产大国合作对中国实施科技围堵，以期达到遏制其科技进步并获得军事优势的目的。 不过，华为去年8月仍出人意料地推出具有5G功能和尖端处理器的新款智能手机。彭博社委托半导体行业观察机构Tech Insights拆解这款手机后发现，这款芯片由中芯国际生产，且采用了七纳米芯片技术，表明其制造能力远远超出美国试图阻止中国达到的技术水平。 美国去年11月发布的报告认为，尽管面临大范围的限制，中国依然能绕过限制取得先进的半导体制造设备。彭博社去年10月报道，华为新款智能手机的先进处理器，是由中芯国际使用荷兰半导体设备巨头阿斯麦设备生产。 但美国商务部官员认为，他们还没有看到证据表明中芯国际能大规模生产七纳米芯片。阿斯麦首席执行官温彼得（Peter Wennink）也认同这一说法。 温彼得1月底接受彭博社采访时说，如果中芯国际想要在没有阿斯麦最先进极紫外光刻系统的情况下推进技术，他们将面临技术挑战而无法生产具有商业意义的芯片。 2024年3月8日 11:18 AM

中芯国际公布2023年四季度财报

中芯国际公布2023年四季度财报 财报显示，公司上季营收16.78亿美元，略高于指引，较去年3季度的16.2亿美元增长3.6%。 周二有报道称，中芯国际已经在上海筹组全新的芯片生产线，或将用以大规模生产华为设计的芯片。英国传媒引述知情人士消息称，中芯将利用现有的美国和荷兰的设备，生产更为先进的5纳米芯片，此外，该生产线还将生产华为的麒麟芯片，用于华为的新版高端智能手机。 报道指出，如果该款智能手机生产成功，华为最强大的AI处理器芯片Ascend 920亦将由中芯以5纳米制程生产。不过生产更先进的芯片，将产生额外成本。据悉，中芯国际的5纳米及7纳米的产品收费，要较台积电生产同级产品高40%至50%。 标签: #中芯国际 #芯片 频道: @GodlyNews1 投稿: @GodlyNewsBot

彭博社：华为Mate 60 Pro使用中芯国际7纳米芯片

彭博社：华为Mate 60 Pro使用中芯国际7纳米芯片 彭博社委托半导体行业观察机构TechInsights对华为新机进行了拆解，并在星期一（9月4日）报道称，拆解显示，Mate 60 Pro所使用的新型麒麟9000s芯片，由中国顶级芯片制造商中芯国际制造，并采用了中芯国际最先进的7纳米芯片技术。 TechInsights副主席哈彻生（Dan Hutcheson）说，这对于中国来说是相当重要的一个标志，显示中芯国际的技术进步正在加速，并且似乎已经解决了7纳米技术中影响产量的问题。 不过，TechInsights报告也指出，中芯国际和华为的进展仍有许多未知数，包括它们能否批量或以合理的成本生产该芯片。 频道：@kejiqu 群组：@kejiquchat

华为专利披露三纳米级工艺技术规划

华为专利披露三纳米级工艺技术规划 今年早些时候， 当华为和中芯国际为生产先进微芯片而申请自对准四重图案化 (SAQP) 光刻方法专利时，大多数人都认为这两家公司正在使用其 5 纳米级制造工艺制造芯片。显然，这并不是他们计划的极限，因为华为现在也期待将四重图案化用于 3 纳米级制造技术。与华为合作的中国芯片制造设备开发商深圳新凯来公司 (SiCarrier) 也获得了 SAQP 专利，这证实了中芯国际计划将该技术用于未来的芯片制造。SAQP 指的是在硅片上反复雕刻线条，以提高晶体管的密度，降低功耗，从而提高性能。

华为和中芯国际为 5 纳米生产准备四重半导体图案化技术

华为和中芯国际为 5 纳米生产准备四重半导体图案化技术 在 7 纳米工艺中，中芯国际最有可能使用自对准双图案技术（SADP）和 DUV 工具，但为了提高 5 纳米节点的密度，需要将 SAQP 提高一倍。在半导体制造过程中，光刻工具需要多次转动来蚀刻硅晶片上的设计。特别是随着更小的节点对密度的要求越来越高，使用 DUV 工具蚀刻 10 纳米以下的设计变得越来越具有挑战性。这就是 ASML 的极紫外光 (EUV) 工具发挥作用的地方。使用 EUV，光刻打印机的波长比 DUV 小 14 倍，仅为 13.5 nm，而 ArF 浸透 DUV 系统的波长为 193 nm。这就意味着，如果没有 EUV，中芯国际就必须寻找 SAQP 等替代方案来提高节点密度，结果会增加复杂性，并可能降低产量。例如，英特尔曾试图在其首批 10 纳米节点中使用 SAQP，以减少对 EUV 的依赖，结果造成了一系列延误和并发症，最终将英特尔本身也推向了 EUV。虽然华为和中芯国际可能会为 SAQP 开发出更高效的解决方案，但由于普通 DUV 无法跟上半导体节点密度的不断提高，因此使用 EUV 已迫在眉睫。鉴于 ASML 无法将其 EUV 设备运到中国，据称华为正在开发自己的 EUV 设备，但可能还需要几年时间才能展示出来。 ... PC版： 手机版：