消息称中芯国际成功开发出5纳米DUV工艺 华为Mate 70系列可能成为首批受益者

消息称中芯国际成功开发出5纳米DUV工艺 华为Mate 70系列可能成为首批受益者 华为最近发布的智能手机 Pura 70 的拆解图，显示了主板上的圈点，主板上的应用处理器（AP）由中芯国际生产，NAND 闪存由华为子公司 Hysilicon 封装目前还没有产量方面的消息，但中芯国际的 5 纳米工艺此前曾被认为由于缺乏下一代设备而生产成本较高。由于美国的贸易禁令禁止像荷兰的 ASML 这样的公司向任何中国公司提供最先进的 EUV 设备，因此对于中芯国际来说，成功在现有技术基础商发展 5 纳米工艺已经是一项艰巨的任务。在竞争优势被扼杀的情况下，中芯国际不得不利用现有的 DUV 设备来实现这一目标。据一位芯片大师说，5 纳米晶圆可以用老式设备增加工序批量生产，但因此成本高昂，产量也会受到影响。据估计，中芯国际的 5 纳米芯片价格将比台积电在相同光刻工艺下的芯片价格高出 50%，这意味着如果华为试图吸收这些组件的大部分成本，将很难用具有竞争力的价格消费者销售其 Mate 70 系列，同时又获得足够的利润。据报道，HarmonyOS Next 将随 Mate 70 系列亮相，据说与Google的Android平台相比，HarmonyOS Next 的内存管理效率更高。虽然中芯国际可能打算在几年内生产 5 纳米晶圆，但它不会一直局限于旧的制造工艺，因为有传言称它将组建一个研发团队，致力于开发 3 纳米芯片工艺。消息来源：Hankyung ... PC版： 手机版：

中芯国际公布2023年四季度财报

中芯国际公布2023年四季度财报 财报显示，公司上季营收16.78亿美元，略高于指引，较去年3季度的16.2亿美元增长3.6%。 周二有报道称，中芯国际已经在上海筹组全新的芯片生产线，或将用以大规模生产华为设计的芯片。英国传媒引述知情人士消息称，中芯将利用现有的美国和荷兰的设备，生产更为先进的5纳米芯片，此外，该生产线还将生产华为的麒麟芯片，用于华为的新版高端智能手机。 报道指出，如果该款智能手机生产成功，华为最强大的AI处理器芯片Ascend 920亦将由中芯以5纳米制程生产。不过生产更先进的芯片，将产生额外成本。据悉，中芯国际的5纳米及7纳米的产品收费，要较台积电生产同级产品高40%至50%。 标签: #中芯国际 #芯片 频道: @GodlyNews1 投稿: @GodlyNewsBot

彭博社：华为Mate 60 Pro使用中芯国际7纳米芯片

彭博社：华为Mate 60 Pro使用中芯国际7纳米芯片 彭博社委托半导体行业观察机构TechInsights对华为新机进行了拆解，并在星期一（9月4日）报道称，拆解显示，Mate 60 Pro所使用的新型麒麟9000s芯片，由中国顶级芯片制造商中芯国际制造，并采用了中芯国际最先进的7纳米芯片技术。 TechInsights副主席哈彻生（Dan Hutcheson）说，这对于中国来说是相当重要的一个标志，显示中芯国际的技术进步正在加速，并且似乎已经解决了7纳米技术中影响产量的问题。 不过，TechInsights报告也指出，中芯国际和华为的进展仍有许多未知数，包括它们能否批量或以合理的成本生产该芯片。 频道：@kejiqu 群组：@kejiquchat

华为和中芯国际为 5 纳米生产准备四重半导体图案化技术

华为和中芯国际为 5 纳米生产准备四重半导体图案化技术 在 7 纳米工艺中，中芯国际最有可能使用自对准双图案技术（SADP）和 DUV 工具，但为了提高 5 纳米节点的密度，需要将 SAQP 提高一倍。在半导体制造过程中，光刻工具需要多次转动来蚀刻硅晶片上的设计。特别是随着更小的节点对密度的要求越来越高，使用 DUV 工具蚀刻 10 纳米以下的设计变得越来越具有挑战性。这就是 ASML 的极紫外光 (EUV) 工具发挥作用的地方。使用 EUV，光刻打印机的波长比 DUV 小 14 倍，仅为 13.5 nm，而 ArF 浸透 DUV 系统的波长为 193 nm。这就意味着，如果没有 EUV，中芯国际就必须寻找 SAQP 等替代方案来提高节点密度，结果会增加复杂性，并可能降低产量。例如，英特尔曾试图在其首批 10 纳米节点中使用 SAQP，以减少对 EUV 的依赖，结果造成了一系列延误和并发症，最终将英特尔本身也推向了 EUV。虽然华为和中芯国际可能会为 SAQP 开发出更高效的解决方案，但由于普通 DUV 无法跟上半导体节点密度的不断提高，因此使用 EUV 已迫在眉睫。鉴于 ASML 无法将其 EUV 设备运到中国，据称华为正在开发自己的 EUV 设备，但可能还需要几年时间才能展示出来。 ... PC版： 手机版：

华为专利披露三纳米级工艺技术规划

华为专利披露三纳米级工艺技术规划 今年早些时候， 当华为和中芯国际为生产先进微芯片而申请自对准四重图案化 (SAQP) 光刻方法专利时，大多数人都认为这两家公司正在使用其 5 纳米级制造工艺制造芯片。显然，这并不是他们计划的极限，因为华为现在也期待将四重图案化用于 3 纳米级制造技术。与华为合作的中国芯片制造设备开发商深圳新凯来公司 (SiCarrier) 也获得了 SAQP 专利，这证实了中芯国际计划将该技术用于未来的芯片制造。SAQP 指的是在硅片上反复雕刻线条，以提高晶体管的密度，降低功耗，从而提高性能。

拆解显示华为Pura 70 Ultra的麒麟9010仍采用中芯国际的7nm工艺

拆解显示华为Pura 70 Ultra的麒麟9010仍采用中芯国际的7nm工艺 由于缺乏先进的制造设备，华为无法为 Pura 70 系列打造"下一代"5 纳米麒麟芯片，但它可能会在今年晚些时候的 Mate 70 系列中出现。尽管麒麟 9010 被认为是麒麟 9000S 的直接继承者，但 TechInsights 在对 Pura 70 Ultra 的最新拆解中发现，该芯片组仍坚持使用中国最大的半导体制造商中芯国际的 7nm 节点。当下华为除了重新使用这一技术别无选择，但据报道中芯国际将在今年晚些时候建立新的生产线来大规模生产 5nm 晶圆。这意味着麒麟 9010 需要推迟使用 5nm 工艺，或者华为将采用相同的 7nm 节点，这意味着华为必须对 SoC 进行大量调整，使其在性能和效率上与麒麟 9000S 有所区别。在与竞争对手的对比中，一系列测试显示，麒麟 9010 的性能比高通公司的 Snapdragon 8 Plus Gen 1 略低，而功耗却高出 30%，这一切都因为其使用了效率较低的架构。由于美国的出口管制禁令，华为无法使用台积电当前一代和更老的节点，现在只能依靠中芯国际。遗憾的是，这并不能解决问题。向包括台积电在内的全球客户提供尖端超紫外光（EUV）设备的荷兰公司 ASML 已被禁止向中国实体出售任何设备，这迫使中芯国际不得不重新利用其较旧的 DUV 硬件。虽然量产 5 纳米麒麟芯片组是可能的，但之前的一份报告称，在相同的光刻工艺下，芯片价格可能比台积电的芯片价格高出 50%。无论如何，华为能在贸易禁令下坚持生产麒麟 9010 芯片本身就是一个奇迹，因此该公司很可能很快就会找到某种方法，为即将推出的 Mate 70 系列量产 5nm SoC。 ... PC版： 手机版：