华为四重曝光工艺专利公开，国产5nm芯片有戏

华为四重曝光工艺专利公开，国产5nm芯片有戏 去年国外权威科技媒体对通过双重曝光实现的7nm工艺麒麟芯片分析后认为，制造良率可能在50%，而通过SAQP实现的5nm芯片，良率可能低至20%左右。 2023-11-28

华为公开四重曝光工艺专利 猜测能造5nm芯片

华为公开四重曝光工艺专利 猜测能造5nm芯片 比如为了造出2nm级工艺芯片，ASML已经打造了0.55 NA的新一代EUV极紫外光刻机，价格高达惊人的4亿美元左右。极其复杂的现代光刻机的一小部分在受到外部条件严重制约的情况下，以华为为代表的国内半导体企业已经不可能接触到这些尖端工艺，只能另辟蹊径，比如先进封装技术，比如多重曝光技术。简单地说，多重曝光就是将芯片电路掩膜图案的蚀刻分成多次完成，可以使用相对落后的技术和设备，达成和更先进工艺类似甚至更先进的结果，比如用7nm设备造出5nm芯片。其实，多重曝光也不是新鲜事物，半导体巨头们都尝试过，但它太过于复杂，需要执行的步骤更多，良品率和质量都难以保障。比如说，Intel第一代10nm工艺就尝试过多重曝光，最终也没能成功，对应的处理器(Cannon Lake)最终被迫取消，第二代成功量产但性能也达不到要求，频率根本就上不去，甚至无法用于桌面台式机。再比如，Intel即将量产的18A 1.8nm工艺，就因为等不到ASML的新一代高NA光刻机，只能使用现有设备加双重曝光来实现。华为这项专利早在2021年9月就申请了，正是华为被美国宣布制裁后的几个月。显然，华为早就有了技术储备，在危难时刻几乎立即就开始行动，深入相关研究，如今专利公开则意味着华为和相关行业伙伴已经取得了实质性的突破，甚至可能已经投入实用！华为这次公开的专利显示，其自对准四重图案化工艺可以分为七个步骤：1、在待刻蚀层的表面依次形成第一抗反射层、第一牺牲层、第二抗反射层和第一图案化硬掩膜层；2、对第一图案化硬掩膜层进行光刻形成第二图案化硬掩膜层；3、基于第二图案化硬掩膜层为掩膜对第二抗反射层和第一牺牲层进行刻蚀，形成第二图案化牺牲层；4、去除第二图案化硬掩膜层和第二抗反射层，并基于第二图案化牺牲层形成第三图案化硬掩膜层；5、对第三图案化硬掩膜层进行光刻形成第四图案化硬掩膜层；6、基于第四图案化硬掩膜层对第一抗反射层和待刻蚀层进行刻蚀，形成图案化的待刻蚀层。7、去除第四图案化硬掩膜层和第一抗反射层。也就是说，华为把传统一次完成的工作拆分成了四次，需要多达四层蚀刻，其难度可想而知。华为在专利中表示：“实施本申请实施例，可以提高电路图案设计的自由度。”外媒猜测，华为应该是和中芯等联合搞定的自对准四重图案化技术，完全可以造出5nm工艺的芯片。 ... PC版： 手机版：

华为和中芯国际为 5 纳米生产准备四重半导体图案化技术

华为和中芯国际为 5 纳米生产准备四重半导体图案化技术 在 7 纳米工艺中，中芯国际最有可能使用自对准双图案技术（SADP）和 DUV 工具，但为了提高 5 纳米节点的密度，需要将 SAQP 提高一倍。在半导体制造过程中，光刻工具需要多次转动来蚀刻硅晶片上的设计。特别是随着更小的节点对密度的要求越来越高，使用 DUV 工具蚀刻 10 纳米以下的设计变得越来越具有挑战性。这就是 ASML 的极紫外光 (EUV) 工具发挥作用的地方。使用 EUV，光刻打印机的波长比 DUV 小 14 倍，仅为 13.5 nm，而 ArF 浸透 DUV 系统的波长为 193 nm。这就意味着，如果没有 EUV，中芯国际就必须寻找 SAQP 等替代方案来提高节点密度，结果会增加复杂性，并可能降低产量。例如，英特尔曾试图在其首批 10 纳米节点中使用 SAQP，以减少对 EUV 的依赖，结果造成了一系列延误和并发症，最终将英特尔本身也推向了 EUV。虽然华为和中芯国际可能会为 SAQP 开发出更高效的解决方案，但由于普通 DUV 无法跟上半导体节点密度的不断提高，因此使用 EUV 已迫在眉睫。鉴于 ASML 无法将其 EUV 设备运到中国，据称华为正在开发自己的 EUV 设备，但可能还需要几年时间才能展示出来。 ... PC版： 手机版：

华为测试蛮力方式制造更先进的芯片

华为测试蛮力方式制造更先进的芯片 华为公司和中国一家秘密的芯片制造合作伙伴已为一种低技术但可能有效的先进半导体制造方法申请了专利。根据提交的专利申请，这两家公司正在开发涉及自对准四重成像 (SAQP) 的技术，这可能使他们无需 ASML 最先进的 EUV 光刻设备即可生产先进芯片。国资背景的硅开利、北方华创也在探索 SAQP 技术。尽管美国试图阻止中国制造先进芯片，但该方法仍有可能帮助中国使用过时工具制造某些 5nm 芯片。该技术曾在 10nm 以前的工艺中使用，但因为多重步骤带来制造成本上升和良率下降，在 7nm 以后的先进制程节点中现已被 EUV 全面替代。

消息称中芯国际成功开发出5纳米DUV工艺 华为Mate 70系列可能成为首批受益者

消息称中芯国际成功开发出5纳米DUV工艺 华为Mate 70系列可能成为首批受益者 华为最近发布的智能手机 Pura 70 的拆解图，显示了主板上的圈点，主板上的应用处理器（AP）由中芯国际生产，NAND 闪存由华为子公司 Hysilicon 封装目前还没有产量方面的消息，但中芯国际的 5 纳米工艺此前曾被认为由于缺乏下一代设备而生产成本较高。由于美国的贸易禁令禁止像荷兰的 ASML 这样的公司向任何中国公司提供最先进的 EUV 设备，因此对于中芯国际来说，成功在现有技术基础商发展 5 纳米工艺已经是一项艰巨的任务。在竞争优势被扼杀的情况下，中芯国际不得不利用现有的 DUV 设备来实现这一目标。据一位芯片大师说，5 纳米晶圆可以用老式设备增加工序批量生产，但因此成本高昂，产量也会受到影响。据估计，中芯国际的 5 纳米芯片价格将比台积电在相同光刻工艺下的芯片价格高出 50%，这意味着如果华为试图吸收这些组件的大部分成本，将很难用具有竞争力的价格消费者销售其 Mate 70 系列，同时又获得足够的利润。据报道，HarmonyOS Next 将随 Mate 70 系列亮相，据说与Google的Android平台相比，HarmonyOS Next 的内存管理效率更高。虽然中芯国际可能打算在几年内生产 5 纳米晶圆，但它不会一直局限于旧的制造工艺，因为有传言称它将组建一个研发团队，致力于开发 3 纳米芯片工艺。消息来源：Hankyung ... PC版： 手机版：

华为与中芯国际据报去年利用美国技术生产七纳米芯片

华为与中芯国际据报去年利用美国技术生产七纳米芯片 要求匿名的知情人士说，中国通讯设备巨头华为和芯片制造商中芯国际，去年依靠美国技术在中国生产了一款先进的七纳米芯片。 彭博社星期五（3月8日）引述知情人士报道，总部位于上海的中芯国际去年利用美国应用材料公司（Applied Materials）和半导体生产设备制造商泛林集团（Lam Research）的设备为华为生产了一款先进的七纳米芯片。 知情人士说，中芯国际是在2022年10月美国对先进半导体设备实施禁令前，取得这些设备。 美国近年来与日本、荷兰等半导体生产大国合作对中国实施科技围堵，以期达到遏制其科技进步并获得军事优势的目的。 不过，华为去年8月仍出人意料地推出具有5G功能和尖端处理器的新款智能手机。彭博社委托半导体行业观察机构Tech Insights拆解这款手机后发现，这款芯片由中芯国际生产，且采用了七纳米芯片技术，表明其制造能力远远超出美国试图阻止中国达到的技术水平。 美国去年11月发布的报告认为，尽管面临大范围的限制，中国依然能绕过限制取得先进的半导体制造设备。彭博社去年10月报道，华为新款智能手机的先进处理器，是由中芯国际使用荷兰半导体设备巨头阿斯麦设备生产。 但美国商务部官员认为，他们还没有看到证据表明中芯国际能大规模生产七纳米芯片。阿斯麦首席执行官温彼得（Peter Wennink）也认同这一说法。 温彼得1月底接受彭博社采访时说，如果中芯国际想要在没有阿斯麦最先进极紫外光刻系统的情况下推进技术，他们将面临技术挑战而无法生产具有商业意义的芯片。 2024年3月8日 11:18 AM