华为和中芯国际为 5 纳米生产准备四重半导体图案化技术

华为和中芯国际为 5 纳米生产准备四重半导体图案化技术 在 7 纳米工艺中,中芯国际最有可能使用自对准双图案技术(SADP)和 DUV 工具,但为了提高 5 纳米节点的密度,需要将 SAQP 提高一倍。在半导体制造过程中,光刻工具需要多次转动来蚀刻硅晶片上的设计。特别是随着更小的节点对密度的要求越来越高,使用 DUV 工具蚀刻 10 纳米以下的设计变得越来越具有挑战性。这就是 ASML 的极紫外光 (EUV) 工具发挥作用的地方。使用 EUV,光刻打印机的波长比 DUV 小 14 倍,仅为 13.5 nm,而 ArF 浸透 DUV 系统的波长为 193 nm。这就意味着,如果没有 EUV,中芯国际就必须寻找 SAQP 等替代方案来提高节点密度,结果会增加复杂性,并可能降低产量。例如,英特尔曾试图在其首批 10 纳米节点中使用 SAQP,以减少对 EUV 的依赖,结果造成了一系列延误和并发症,最终将英特尔本身也推向了 EUV。虽然华为和中芯国际可能会为 SAQP 开发出更高效的解决方案,但由于普通 DUV 无法跟上半导体节点密度的不断提高,因此使用 EUV 已迫在眉睫。鉴于 ASML 无法将其 EUV 设备运到中国,据称华为正在开发自己的 EUV 设备,但可能还需要几年时间才能展示出来。 ... PC版: 手机版:

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华为专利披露三纳米级工艺技术规划 今年早些时候, 当华为和中芯国际为生产先进微芯片而申请自对准四重图案化 (SAQP) 光刻方法专利时,大多数人都认为这两家公司正在使用其 5 纳米级制造工艺制造芯片。显然,这并不是他们计划的极限,因为华为现在也期待将四重图案化用于 3 纳米级制造技术。与华为合作的中国芯片制造设备开发商深圳新凯来公司 (SiCarrier) 也获得了 SAQP 专利,这证实了中芯国际计划将该技术用于未来的芯片制造。SAQP 指的是在硅片上反复雕刻线条,以提高晶体管的密度,降低功耗,从而提高性能。

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传中芯国际将成立内部研发团队 年内启动3纳米工艺研发工作 《中央日报》提到,中芯国际的初步目标是开始运营其 5 纳米生产线,该生产线不仅将批量生产用于各种产品的华为芯片,还将批量生产人工智能芯片。据悉,这家中国制造商将利用现有的 DUV 设备来实现这一目标,由于全球唯一能提供尖端 EUV 技术的 ASML 公司已被禁止向中芯国际以及任何中国公司提供该设备,因此中芯国际可能会重新利用现有的 DUV 设备。然而,中芯国际正把目光投向 5 纳米节点之外,就像它与华为合作推出 7 纳米麒麟 9000S 时一样。最新报道称,这家半导体制造商已经组建了一个内部研发团队,将开始 3 纳米节点的研发工作。阻碍中芯国际实现目标的最大障碍之一是低产量和高生产成本,但据说该公司的策略是接受中国政府的巨额补贴。获得补贴对中芯国际来说至关重要,尤其是考虑到早前有报道称,由于使用了较旧的 DUV 设备,中芯国际5 纳米芯片的成本将比采用相同制造工艺的台积电高50%。不过,预计该公司的首批 3 纳米晶圆要等到几年后才会推出。首先,华为 5 纳米芯片的商业化将得到优先考虑,在我们目睹向 3 纳米晶圆过渡之前,这种技术可能还要沿用几年。无论中芯国际将做出何种决定,有一点是明确的:这将是该公司承担的最具挑战性的任务。 ... PC版: 手机版:

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消息称华为与国内半导体公司武汉新芯合作 将于2026年建成HBM生产线 华为已决定加入这场竞争,该公司与长江存储的子公司武汉新芯以及多家国内半导体公司合作开发内部解决方案。DigiTimes报道称,除了武汉新芯,华为还与江苏长电科技(JCET)和通富微电子合作,后者负责晶圆封装或 CoWoS。这并不是中国厂商的第一次"HBM 风险投资",因为此前厦华电子曾透露,他们已经建立了一个每月生产 3000 块 12 英寸晶圆的工厂。虽然我们还没有听说中国 HBM 生产何时可以生效的确切时间框架,但有传言称华为和其他公司计划在2026 年之前启动国内生产,因此中国在这一领域实现自给自足的可能性比以往任何时候都要大。尽管受到美国法规的制裁,但华为似乎还没有停下脚步,鉴于该公司的 Ascend AI 芯片大受欢迎,这样的举动当然在意料之中然而,仅国内市场的巨大需求就给华为带来了重大的供应问题,英伟达在中国市场的影响力由此再次显现。目前,SK hynix 和三星是领先的 HBM 供应商,其次是美光。虽然我们还不能确定中国的 HBM 公司是否能在全球份额中占有一席之地,但这一发展态势无疑是充满希望的,如果华为能在本国获得 HBM 供应,那么可以想象未来其人工智能芯片能力的提升。 ... PC版: 手机版:

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