2nm时代来临：ASML本周交付第三代EUV光刻机

2nm时代来临：ASML本周交付第三代EUV光刻机 ASML Twinscan NXE:3800E代表了低数值孔径 EUV光刻技术在性能（每小时处理的晶圆数量）和匹配的加工覆盖方面的飞跃。新系统每小时可在 30 mJ/cm^2 剂量下处理超过 195 个晶圆，并有望通过吞吐量升级将性能进一步提高至 220 wph。此外，新工具还提供小于 1.1 nm 的匹配机器覆盖（晶圆对准精度）。ASML 在 X 上发布的一份声明中透露：“芯片制造商需要速度。第一台 Twinscan NXE:3800E 现已安装在一家芯片工厂中。凭借其新的晶圆台，该系统将为打印先进芯片技术提供领先的生产力。”我们正在将光刻技术推向新的极限。”在为逻辑制造商生产采用4nm/5nm和 3nm 级工艺技术的芯片时，吞吐量的增加将提高 Twinscan NXE:3800E 机器的经济效益。ASML Twinscan NXE:3800E 的性能改进预计将显着缓解EUV 技术的主要缺点之一，即性能相对较低，从而实现更高效、更具成本效益的芯片生产。这将使依赖 EUV 的工艺技术更容易被预算不像苹果、AMD、英特尔、英伟达和高通那样庞大的芯片设计者所接受。此外，该工具对于美光、三星和 SK 海力士等内存制造商也至关重要。此外，Twinscan NXE:3800E 的增强性能对于采用 2nm 以及需要 EUV 双图案化的后续制造技术制造芯片特别有用。匹配机器覆盖层的改进将有利于 3nm 以下生产节点。（图片来源：ASML）然而，像 NXE:3800E 这样的机器的复杂性和功能的代价是高昂的成本，每台的价格约为 1.8 亿美元。如此高的成本意味着这些光刻工具的成本需要一段时间才能折旧。然而，对于 ASML 的客户（包括一组精选的重要逻辑和内存制造公司）来说，NXE:3800E 提供了一条增强其尖端芯片生产能力的途径。这对于这些公司来说至关重要，因为他们努力满足全球对半导体不断增长的需求，扩大生产能力并管理芯片制造的经济性。引入 NXE:3800E 等更先进、更高效的 EUV 扫描仪对于实现这些目标至关重要。展望未来，ASML并没有满足于现状，计划以Twinscan NXE:4000F 的形式进行进一步创新，这是另一代低数值孔径 EUV 扫描仪，预计于 2026 年左右发布。这一持续开发强调了 ASML 致力于推进低数值孔径的承诺-NA EUV 制造技术，尽管即将采用高数值孔径光刻工具。 ... PC版： 手机版：

ASML High NA EUV光刻机晶圆制造速度提升150% 可打印8nm线宽

ASML High NA EUV光刻机晶圆制造速度提升150% 可打印8nm线宽 根据ASML前总裁兼首席技术官、现任公司顾问的Martin van den Brink的说法，新的High NA EUV光刻机晶圆生产速度达到了每小时400至500片晶圆，是当前标准EUV每小时200片晶圆的2-2.5倍的速度，即提升了100%至150%，将进一步提升产能，并降低成本。现阶段经过进一步调整，ASML已经可用其试验性质High-NA EUV光刻机打印生产8nm线宽，这是的新纪录，这打破了该公司在4月初当时创下的记录。当时ASML宣布，已使用位于ASML荷兰总部与imec联合实验室的试验型High-NA EUV光刻机打印了10nm线宽。就发展路线来说，ASML的标准EUV光刻机可以打印13.5nm的线宽，而新的High-NA EUV光刻机则是可以通过打印8nm线宽来创建更小的晶体管。ASML现在已经证明其设备可以满足其基本规格。Martin van den Brink强调，ASML当前已经取得了进展，能够在整个打印线宽作业上将其低至8奈米记录，并进行校正，而且还具有一定程度的重叠覆盖。因此，ASML对High NA EUV光刻机的发展充满信心，预计未来将能够在突破其极限。而除了ASML自己在进行High NA EUV光刻机的测试之外，目前唯一安装完成High NA EUV光刻机的英特尔，也在美国俄勒冈州的D1X工厂投入测试工作。预计将在Intel 18A节点制程上进行技术的研发与训练工作，之后再将其投入到Intel 14A节点制程的大量生产当中。Martin van den Brink指出，ASML已经可以开发更新一代的Hyper-NA EUV光刻机了，以进一步扩展其High-NA EUV光刻机的潜在路线图。 ... PC版： 手机版：

ASML庆祝Twinscan NXE:3800E Low-NA EUV Litho光刻设备首次安装成功

ASML庆祝Twinscan NXE:3800E Low-NA EUV Litho光刻设备首次安装成功 "芯片制造商需要速度！第一台 Twinscan NXE:3800E 现已安装在一家芯片制造厂。 凭借其新型晶圆平台，该系统将为先进芯片的印刷提供领先的生产率。我们正在将光刻技术推向新的极限。"Twinscan NXE:3800E 是 ASML 0.33 数值孔径（Low-NA）光刻扫描仪系列中的最新平台。相关信息很少，因为ASML公司尚未发布 3800E 产品页面。而前一个型号Twinscan NXE:3600D 支持3纳米和5纳米的 EUV 量产。ASML 的路线图表明，Twinscan NXE:3800E 是为生产 2 纳米和 3 纳米级技术的芯片而设计的。该公司最先进的高纳极致紫外线（EUV）芯片制造工具（High NA Twinscan EXE）预计成本约为 3.8 亿美元。上个月的报道指出，现有的低纳极致紫外线光刻系统"的价格可能为 1.83 亿美元。另一台低噪点EUV设备将于2026年发布ASML的下一代Twinscan NXE:4000F型号将与新兴的（更昂贵的）高噪点解决方案并存。 ... PC版： 手机版：

ASML正研发超级NA光刻机 2036年冲击0.2nm工艺

ASML正研发超级NA光刻机 2036年冲击0.2nm工艺 ASML第一代Low NA EUV光刻机只有0.33 NA(孔径数值)，临界尺寸(CD)为13.5nm，最小金属间距为26nm，单次曝光下的内连接间距约为25-30nm，适合制造4/5nm工艺。使用双重曝光，可将内连接间距缩小到21-24nm，就能制造3nm工艺了，比如台积电N3B。第二代EUV光刻机提高到了0.55 NA，临界尺寸缩小到8nm，金属间距最小约为16nm，可制造3-1nm，比如Intel就透露会在1.4nm节点上首次使用。ASML CTO Martin van den Brink在接受采访时确认，ASML正在调查开发Hyper NA技术，继续推进各项光刻指标，其中NA数值将超过0.7，预计在2030年左右完成。它表示，这种新型EUV光刻机适合制造逻辑处理器芯片，相比高NA双重曝光成本更低，也可用来制造DRAM内存芯片。ASML已披露的数据显示，低NA光刻机的成本至少1.83亿美元，高NA光刻机更是3.8亿美元起步。根据微电子研究中心(IMEC)的路线图，2030年左右应该能推进到A7 0.7nm工艺，之后还有A5 0.5nm、A3 0.3nm、A2 0.2nm，但那得是2036年左右的事儿了。 ... PC版： 手机版：

ASML 正在开发 Hyper-NA EUV 光刻机

ASML 正在开发 Hyper-NA EUV 光刻机 Van den Brink进一步强调了Hyper-NA EUV工具的重要性，指出它能够简化复杂的双重图案工艺，降低生产难度。他解释说，这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。 ASML 正在规划 0.77 NA 的 EUV 光刻机 ASML首席技术官Martin van den Brink在ASML 2023年年度报告中写道：“NA高于0.7的Hyper-NA无疑是一个机会，从2030年左右开始，这种机会将变得更加明显。”“它可能与Logic最相关，并且需要比“高NA EUV”双图案化更实惠，但它也可能是DRAM的一个机会。对我们来说，关键是Hyper-NA正在推动我们的整体EUV能力平台，以改善成本和交货时间。” 台积电 “冷落” High-NA EUV 光刻机启示录 尤其是在当下大陆在EUV光刻机获取全面受阻的情况下，李弈建议，台积电通过深入挖掘现有EUV光刻机的潜力，可支撑未来的1.6nm工艺，而大陆代工业如何借助DUV光刻机向7nm乃至下一步5nm制程发起冲刺应当有希望，应着力在光刻胶、光罩、多重曝光技术等领域持续创新突破，以全面提升利用DUV实现更先进制程的可能性。

ASML 首次公开展示 High NA EUV 光刻机

ASML 首次公开展示 High NA EUV 光刻机 2月10日，ASML 在荷兰总部向媒体展示新一代 High NA EUV 光刻机 Twinscan EXE:5000。 这台光刻机尺寸等同于一台双层巴士；重达150吨，相当于两架空客A320客机；价值高达3.5亿欧元（约合27亿元人民币）；全套系统需要250个货箱装运，需要250名工程人员、历时6个月才能安装完成，不仅价格高昂也相当耗时。 Twinscan EXE:5000 可以制造8nm线宽电路，从而实现晶体管密度比前一代提高至2.9倍。