三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额 在去年内存半导体低迷之后，三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对 DRAM 的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM 和 DDR5 的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和 SK 海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向 10nm 第四代 (1a) 和第五代 (1b) 节点的过渡，以生产 HBM、DDR5 和 LPDDR5 等高价值产品。但另一方面，由于 NAND Flash 存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。

DDR3内存时代终结 三星、SK海力士停产 涨价20％

DDR3内存时代终结 三星、SK海力士停产 涨价20％ 而在AI的驱动下，HBM高带宽内存需求飙升，产能远远无法满足，2024年和2025年的大部分产能都已经被订满，HBM2E、HBM3、HBM3E等的价格预计明年会上涨5-10％。数据显示，HBM内存在2023年的市占率只有2％，2024年可扩大至5％，2025年再次翻番到10％。在这种情况下，原厂停产DDR3、扩产HBM已是必然，直接导致DDR3内存近期价格明显上涨，最高幅度达20％。此举连带也会影响DDR5的供应，再加上存储行业处于上升周期，预测价格也会上涨20％。美光以及南亚等台系厂商将会继续生产DDR3，但美光也可能不会坚持太久。 ... PC版： 手机版：

韩联社：SK海力士（000660）因内存不景气长期化，仅今年第一季度就出现了超过3.4万亿韩元的赤字。这是自2012年SK集团编

韩联社：SK海力士（000660）因内存不景气长期化，仅今年第一季度就出现了超过3.4万亿韩元的赤字。这是自2012年SK集团编入以来的最大赤字。SK海力士26日公布，以合并为准，今年第一季度的营业亏损为3.423万亿韩元，与去年同期（营业利润2.8639万亿韩元）相比，暂时转为亏损。 这低于联合信息MAX统计的3.5604万亿韩元的4.4%。SK hynix解释说：“存储器半导体下行（下降局面）情况在第一季度仍然存在，需求不振和产品价格下降趋势持续，导致销售额比前一季度减少，营业亏损扩大。”

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度 22日讯，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。

内存市场暖意回归 SK海力士迎业绩暴涨：Q1营收增速创14年新高

内存市场暖意回归 SK海力士迎业绩暴涨：Q1营收增速创14年新高 截至发稿，SK海力士在韩股市场下跌3.84%，而其主要竞争对手三星电子下跌2.3%。SK海力士将迎来创纪录的一年财报显示，在截至今年3月的第一财季中，SK海力士的营收达到12.4万亿韩圆（约合90亿美元），高于预期，较上年同期增长144%，为2010年以来最快增速。该财季营业利润为2.89万亿韩圆（约合20.98亿美元），为有史以来第二高的第一财季营利表现，也大幅超过了市场预期的1.8万亿韩圆。在财报会上，SK海力士表示，正在增加其尖端HBM3E芯片的供应，并正在与一些客户就这类半导体的长期合同进行谈判。Counterpoint Research董事Tom Kang表示，SK海力士今年的高端内存芯片产能已被预订一空，需要新工厂来满足需求。他预计，SK海力士今年的营收将达到近61万亿韩圆，利润率将超过20%。他表示：“这是一个明显的转机，也是SK海力士创纪录一年的开始。”内存芯片正稳步复苏SK海力士表示，整体内存芯片需求正在稳步增长，并且DRAM市场价格的涨幅已达到两位数，NAND价格也出现反弹。这也是推动该公司一季度营收大涨的重要原因。对AI服务器产品的强劲需求也有助于提高DRAM的价格。SK海力士首席运营官Kim Woo Hyun在财报电话会议上表示，对企业固态硬盘的需求帮助该公司NAND业务在第一季恢复盈利。值得一提的是，近期全球的几家芯片巨头都给出了不错的初步财报数据，为芯片市场复苏铺垫了暖意。就在SK海力士公布财报前几天，德州仪器公司公布了乐观的季度收入预测，表明工业和汽车零部件需求下滑的趋势可能有所缓解。而三星最近公布的第一季度初步营业利润数据也现了大幅反弹，而美光科技公司上个月给出了强劲的销售预测。SK海力士将加大支出SK海力士首席运营官Kim表示，2024年的投资将略高于年初的计划，大部分支出将集中在高利润产品和基础设施上，以实现中期持续增长。他表示：“对短期常规产品供需的任何影响都将是有限的。鉴于我们目前的现金流水平，我们将在投资未来增长与确保财务稳健之间取得平衡。”今年早些时候，SK海力士曾表示，将在韩国投资约150亿美元，以满足市场对HBM芯片不断飙升的需求。此外，该公司还计划投资39亿美元，在美国印第安纳州建立一家先进的封装厂和人工智能产品研究中心。 ... PC版： 手机版：

SK海力士四季度意外盈利：HBM3增长超过五倍 正在开发HBM4

SK海力士四季度意外盈利：HBM3增长超过五倍 正在开发HBM4 周四公布的财报显示，SK海力士去年Q4营收同比增长47%至11.31万亿韩元，高于分析师预期的10.4万亿韩元。运营利润3460.3亿韩元，好于分析师预期的亏损1699.1亿韩元，好于Q3的亏损1.79万亿韩元；净亏损1.38万亿韩元，超过了分析师预期的亏损0.41万亿韩元，但较前一季度亏损大幅缩窄。另外，Q4毛利润为2.23亿韩元，同比大增9404%；毛利润率为20%，为连续第三个季度回升；EBITDA（税息折旧及摊销前利润）为3.58亿韩元，同比增长99%。产品方面最亮眼的是，DDR5销售增长超过四倍，HBM3增长超过五倍。SK海力士表示，公司在筹备支持HBM3E方面稳步地取得进展，将推进大规模生产HBM3E，公司正处于开发下一代HBM4产品的正轨之上。DRAM销售稳步增长，由于平均售价上涨，芯片价格在减产后趋于稳定，该部门连续两个季度亏损后，在去年Q3开始扭亏为盈，相比之下，NAND复苏“相对缓慢”，公司将优先简化NAND（产品线的）投资流程和成本。2023年全年，SK海力士营收32.77万亿韩元，运营亏损达7.73万亿韩元。展望2024年，SK海力士预计2024年资本开支将较上年增加，今年将把资本开支的增幅最小化。公司预计2024年一季度DRAM BIT环比增速将位于10%-20%区间的中部，NAND BIG环比增速将位于0%-10%区间的中部，NAND BIT环比增速将位于0%-10%区间的中部。SK海力士发布财报的几天前，三星公布了令人失望的四季报，利润暴跌35%，反映出半导体市场低迷。但行业高管预计从2024年开始芯片行业将逐步反弹，特别是随着AI技术的加速发展以及更多利用新芯片技术的服务的出现。一些芯片巨头对行业复苏也持较为乐观的态度，台积电上周预计2024年收入将强劲增长，高端光刻设备制造商ASML Q4订单收入创纪录，净利润创历史新高。 ... PC版： 手机版：