三星基本完成8nm eMRAM内存开发 速度是NAND的1000倍

三星基本完成8nm eMRAM内存开发 速度是NAND的1000倍 此外,eMRAM的写入速度达到了NAND内存的1000倍,这使得它能够支持对写入速率有更高要求的应用场景。三星电子目前具备28nm eMRAM的生产能力,并已开始向智能手表等终端产品供货。根据此前报道,三星电子曾计划在2024年量产14nm eMRAM,并在2026年实现8nm eMRAM的量产。现在,随着8nm eMRAM开发的基本完成,公司正朝着2027年推出5nm eMRAM的目标稳步前进。同时三星对eMRAM在未来车用领域的应用充满信心,并表示其产品耐温能力已达到150~160℃,完全能够满足汽车行业对半导体的严苛要求。 ... PC版: 手机版:

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三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产 首先,三星已开始量产其 HBM3E"Shinebolt"内存,本月将首先出货 8-Hi 堆栈,随后将在第二季度推出 12-Hi 变体。下一代内存解决方案将在 8 模块芯片(如 AMD 的 MI300X)上提供每个堆栈 36 GB 的容量,最高可达 288 GB 的产品。据报道,AMD 已经与三星代工厂签订了协议,后者将提供 HBM3E DRAM,用于现有和下一代产品,如更新的MI350/MI370 GPU,据说这些产品的内存容量都会增加。在 DDR5 DRAM 方面,三星将于 2024 年第二季度推出 1b(nm) 32 Gb 内存模块,并投入量产。这些内存 IC 将用于开发高达 128 GB 的模块。三星已经向客户交付了下一代 DDR5 解决方案的首批样品。最后,三星将在固态硬盘 V-NAND 领域推出 64 TB 数据中心固态硬盘。这些固态硬盘将于 2024 年第二季度向客户提供样品,该公司还预计将于第三季度开始量产第 9 代 V-NAND 固态硬盘。第 9 代 V-NAND 固态硬盘将采用 QLC(四层单元)设计。有报道称, TLC V-NAND(第 9 代)将于本月开始生产,其传输速度将提高 33%,达到 3200 MT/s。这些固态硬盘将采用最新的 PCIe Gen5 标准。 ... PC版: 手机版:

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