三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产

三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产 首先，三星已开始量产其 HBM3E"Shinebolt"内存，本月将首先出货 8-Hi 堆栈，随后将在第二季度推出 12-Hi 变体。下一代内存解决方案将在 8 模块芯片（如 AMD 的 MI300X）上提供每个堆栈 36 GB 的容量，最高可达 288 GB 的产品。据报道，AMD 已经与三星代工厂签订了协议，后者将提供 HBM3E DRAM，用于现有和下一代产品，如更新的MI350/MI370 GPU，据说这些产品的内存容量都会增加。在 DDR5 DRAM 方面，三星将于 2024 年第二季度推出 1b(nm) 32 Gb 内存模块，并投入量产。这些内存 IC 将用于开发高达 128 GB 的模块。三星已经向客户交付了下一代 DDR5 解决方案的首批样品。最后，三星将在固态硬盘 V-NAND 领域推出 64 TB 数据中心固态硬盘。这些固态硬盘将于 2024 年第二季度向客户提供样品，该公司还预计将于第三季度开始量产第 9 代 V-NAND 固态硬盘。第 9 代 V-NAND 固态硬盘将采用 QLC（四层单元）设计。有报道称， TLC V-NAND（第 9 代）将于本月开始生产，其传输速度将提高 33%，达到 3200 MT/s。这些固态硬盘将采用最新的 PCIe Gen5 标准。 ... PC版： 手机版：

三星正在为 Galaxy S26 系列开发 2nm 芯片

三星正在为 Galaxy S26 系列开发 2nm 芯片 三星电子已经开始开发2纳米 (nm) 移动应用处理器 (AP)。2nm 是全球尚未实现商业化的最先进半导体技术。据业内人士5月22日透露，三星电子近期启动了 2nm AP开发项目。 这是一个名为“Thetis” (开发代号) 的开发项目，计划以自己的品牌 Exynos AP 发布。预计将于2025年下半年量产，并搭载于2026年发布的三星电子智能手机“Galaxy S26”。三星电子去年宣布将从2025年开始量产移动设备的2nm工艺。

三星宣布启动首批第九代V-NAND闪存量产

三星宣布启动首批第九代V-NAND闪存量产 据悉，第九代V-NAND闪存凭借其超小的单元尺寸和极致的叠层厚度，实现了比上一代产品高约50%的位密度。新技术的运用，如单元干扰避免和单元寿命延长，不仅提升了产品的质量和可靠性，而且通过消除虚通道孔显著减少了存储单元的平面面积。此外，三星展现了其在制造工艺上的卓越能力，通过采用先进的“通道孔蚀刻”技术，该技术能够在双层结构中同时钻孔，达到业界最高的单元层数，从而最大限度地提高了生产效率。随着闪存单元层数的增加，对更复杂蚀刻技术的需求也日益凸显。值得一提的是，第九代V-NAND还配备了新一代的NAND闪存接口“Toggle 5.1”，使数据传速速度提升了33%，最高可达到每秒3.2Gbps。同时，三星还计划通过增强对PCIe 5.0的支持来进一步巩固在高性能固态硬盘市场的地位。与上一代相比，第九代V-NAND还在低功耗设计上取得了显著进步，功耗降低了10%，这一改进使得新型闪存成为未来低能耗应用的理想选择。目前，三星已经开始了第九代1Tb TLC V-NAND的量产，并计划在今年下半年推出四层单元（QLC）的第九代V-NAND产品。 ... PC版： 手机版：

性能暴增3.7倍 三星发布首款3nm芯片Exynos W1000

性能暴增3.7倍 三星发布首款3nm芯片Exynos W1000 Exynos W1000芯片采用了三星最新的3nm GAA工艺，搭载了1个Cortex-A78大核心和4个Cortex-A55小核心，其中大核心的主频达到1.6GHz，小核心主频为1.5GHz。与前代产品Exynos W930相比，W1000在单核性能上实现了3.4倍的提升，在多核性能上更是达到了3.7倍的显著增长，应用启动速度也提升了2.7倍。除了CPU的大幅提升，Exynos W1000还配备了Mali-G68 MP2 GPU，支持AOD（Always on Display）引擎，能够驱动分辨率高达640*640像素的屏幕。芯片采用了FOPLP封装技术，支持LPDDR5内存，并内部集成了32GB eMMC存储。Exynos W1000还具备2.5D始终显示功能，支持蓝牙LE音频技术，此外，芯片还支持4G LTE、Wi-Fi b/g/n、GPS和NFC等连接功能。 ... PC版： 手机版：

三星谋划3D堆叠内存：10nm以下一路奔向2032年

三星谋划3D堆叠内存：10nm以下一路奔向2032年 就在进入10nm之后，三星将全面开启3D内存时代，首先引入VCT(垂直通道晶体管)，看起来应该是基础的FinFET类型，而非更先进的GAA。大约2030-2031年的时候，三星将升级到堆叠DRAM，将多组VCT堆在一起，从而获得更大容量、更高性能，看起来还会引入电容器作为辅助。 ... PC版： 手机版：

三星电子NAND厂开工率已提高至90%

三星电子NAND厂开工率已提高至90% 据业内人士21日透露，近期三星电子NAND开工率已提高至90%，与三星电子因半导体衰退而开始减产时下降的60%开工率相比，这是一个显着的增长。三星电子去年年底开始出现复苏迹象，据悉在今年第一季度超过80%然后达到目前水平。多位业内人士表示，整体工厂平均开工率已达到90%，一些主要晶圆厂实际上已经“全面开工”了。据了解，三星位于中国西安的工厂开工率大幅提升，该厂是核心生产基地，占三星电子NAND产量的30-40%，决定着三星整体产量。三星首先提高了西安工厂的开工率，并逐步提高了韩国平泽工厂的开工率。