三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产

三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产 首先，三星已开始量产其 HBM3E"Shinebolt"内存，本月将首先出货 8-Hi 堆栈，随后将在第二季度推出 12-Hi 变体。下一代内存解决方案将在 8 模块芯片（如 AMD 的 MI300X）上提供每个堆栈 36 GB 的容量，最高可达 288 GB 的产品。据报道，AMD 已经与三星代工厂签订了协议，后者将提供 HBM3E DRAM，用于现有和下一代产品，如更新的MI350/MI370 GPU，据说这些产品的内存容量都会增加。在 DDR5 DRAM 方面，三星将于 2024 年第二季度推出 1b(nm) 32 Gb 内存模块，并投入量产。这些内存 IC 将用于开发高达 128 GB 的模块。三星已经向客户交付了下一代 DDR5 解决方案的首批样品。最后，三星将在固态硬盘 V-NAND 领域推出 64 TB 数据中心固态硬盘。这些固态硬盘将于 2024 年第二季度向客户提供样品，该公司还预计将于第三季度开始量产第 9 代 V-NAND 固态硬盘。第 9 代 V-NAND 固态硬盘将采用 QLC（四层单元）设计。有报道称， TLC V-NAND（第 9 代）将于本月开始生产，其传输速度将提高 33%，达到 3200 MT/s。这些固态硬盘将采用最新的 PCIe Gen5 标准。 ... PC版： 手机版：

三星正在为 Galaxy S26 系列开发 2nm 芯片

三星正在为 Galaxy S26 系列开发 2nm 芯片 三星电子已经开始开发2纳米 (nm) 移动应用处理器 (AP)。2nm 是全球尚未实现商业化的最先进半导体技术。据业内人士5月22日透露，三星电子近期启动了 2nm AP开发项目。 这是一个名为“Thetis” (开发代号) 的开发项目，计划以自己的品牌 Exynos AP 发布。预计将于2025年下半年量产，并搭载于2026年发布的三星电子智能手机“Galaxy S26”。三星电子去年宣布将从2025年开始量产移动设备的2nm工艺。

【三星正式发布 UFS . 闪存：顺序读取速度 MB/s】

【三星正式发布 UFS . 闪存：顺序读取速度 MB/s】 今日，三星正式公布了 UFS（通用闪存）. 存储解决方案。 据介绍，UFS . 提供每通道高达 .Gbps 的速度，是三星前代产品 UFS . 的两倍。 借助三星第 代 V-NAND 技术和专有的控制器，UFS . 将提供 MB/s的顺序读取速度和 MB/s的顺序写入速度。 同时，UFS . 的能效也得到了提高，UFS . 将提供每 mA（毫安）.MB/s的顺序读取速度，比上一代提高了 %，因此，在消耗同等电量下，用户可以传输更多数据。 三星指出，为了实现更有效的空间利用和设计便利，UFS . 将采用尺寸为 毫米 x 毫米 x 毫米的紧凑型封装，并将提供可达 TB 的各种容量选择，计划于今年第三季度开始量产。

三星谋划3D堆叠内存：10nm以下一路奔向2032年

三星谋划3D堆叠内存：10nm以下一路奔向2032年 就在进入10nm之后，三星将全面开启3D内存时代，首先引入VCT(垂直通道晶体管)，看起来应该是基础的FinFET类型，而非更先进的GAA。大约2030-2031年的时候，三星将升级到堆叠DRAM，将多组VCT堆在一起，从而获得更大容量、更高性能，看起来还会引入电容器作为辅助。 ... PC版： 手机版：

三星宣布与新思科技合作优化2nm芯片 明年量产

三星宣布与新思科技合作优化2nm芯片 明年量产 按照计划，三星在明年量产2nm芯片，据了解，三星2nm优化了多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构，还引入了独特的外延和集成工艺，与现有的FinFET相比，新工艺显著提升了晶体管性能，幅度高达11%至46%，同时可变性降低了26%，漏电现象减少了约50%。业内人士指出，苹果、英伟达、AMD、英特尔和高通一直都是先进工艺的预定者，在3nm制程争夺战中，三星由于良率问题，导致客户订单都向台积电倾斜。因此，2nm制程对三星来说至关重要，如果三星在2nm工艺上做出成绩，想必会得到客户的青睐。之前高通曾表示，正在考虑三星、台积电双代工模式，因此，不排除骁龙8 Gen5交给三星代工的可能。 ... PC版： 手机版：

【三星年度代工论坛干货：首发17nm专业工艺】三星首批3nm芯片将于2022年上半年开始生产，而2nm工艺节点将于2025年进入

【三星年度代工论坛干货：首发17nm专业工艺】三星首批3nm芯片将于2022年上半年开始生产，而2nm工艺节点将于2025年进入量产。在本次活动上，三星电子还首次推出了17nm FinFET专业工艺技术，该工艺比28nm工艺性能提升了39%，功率效率提高了49%。 #抽屉IT