韩国4月芯片库存下降33.7% 创十年来最大降幅

韩国4月芯片库存下降33.7% 创十年来最大降幅 这也标志着库存连续第四个月下降，与此同时，韩国半导体出口持续回升。此外，4月份芯片产量增长22.3%，低于3月份的30.2%。工厂发货量增长18.6%，也低于3月份的16.4%。韩国拥有世界上最大的两家存储芯片生产商三星电子和SK海力士。这两家公司正在竞争向英伟达供货，竞相开发一种更先进、利润更丰厚的内存，尤其是名为HBM的内存。 ... PC版： 手机版：

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度 22日讯，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。

三星电子迎接史上最大规模罢工 存储芯片涨价浪潮难停

三星电子迎接史上最大规模罢工 存储芯片涨价浪潮难停 据了解，这也是三星电子成立55年以来规模最大的罢工行动，三星电子乃全球存储芯片市场份额最高的领导者，此次罢工可能对全球存储芯片供应造成一定程度影响，自今年以来的这波DRAM与NAND存储芯片涨价浪潮可能停不下来。据了解，韩国最规模工会之一的三星电子工会（NSEU）大约3万名成员占三星电子韩国员工总数的约24%，该工会希望公司对于工会的员工给予更多的年假，并且希望改变员工奖金制度。然而，有分析师对此表示，低参与率和自动化生产规模意味着这一次大规模罢工不太可能对这家全球最大存储芯片制造商的产量产生重大性质的影响，但不排除存储芯片继续涨价趋势。此外，随着全球科技公司纷纷拥抱人工智能，在芯片行业的关键产能提升和创新时刻，这标志着三星电子员工忠诚度明显下降。上个月，工会进行了第一次劳工罢工行动，主要是协调更多的年假，有效地发动了大规模罢工。三星电子在当时表示，这一罢工行动对商业活动没有重大影响。但是该公司拒绝就周一的罢工置评。该工会没有透露上个月具体的工人罢工情况。该工会近日表示，本周将有6540名工人参加现场罢工集会，主要集中在三星电子的生产基地和产品开发部门，还包括监控自动化生产线和设备的工人，因此可能会影响正常的生产运营。周一，工人们聚集在首尔以南华城的三星总部附近。工会主席Son Woo-mok反驳了媒体关于低参与率的报道，他告诉媒体，这个五年前成立的新工会没有足够的时间来教育普通工会成员。“对工会成员和雇员们的工会教育还不够。但我不认为参与率低，因为我们的工会与其他工会相比还很年轻。”工会高级领导人Lee Hyun-kuk上周曾表示，如果这次的要求得不到满足，可能还会出现新一轮大规模罢工。这位高级领导人表示，三星方面的提议包括提高薪资和年假条件方面的灵活性，但并未满足工会增加薪资和更多休假的要求。此外，工会官员们坚称三星电子的奖金制度非常不公平，因为它是通过从营业利润中扣除资本成本来进行测算，而高管们的奖金则基于个人绩效目标。。自从这家韩国科技巨头在2020年承诺不再阻碍有组织劳工的发展以来，三星工会的成员人数大幅增加。有分析师表示，这一增长表明员工忠诚度下降，这是三星在人工智能（AI）应用芯片竞争中面临的除HBM认证资质以外的另一个难题。“我告诉人们，我为在三星电子工作而感到自豪，但事实并非如此，”20 岁的Park Jun-ha接受采访时说道。他是三星芯片先进封装线的一名重要工程师，于今年 1 月加入该公司。他还表示，自己对三星“不透明”的奖金计划感到不满。AI热潮刺激存储需求激增，三星电子Q2利润料迎来爆炸式增长上周五，三星电子预计第二季度营业利润将增长逾15倍，因为人工智能热潮推动HBM存储系统，以及更广泛的DRAM和NAND存储价格大幅反弹，提振了一年前较低的比较基数。尽管如此，其股价表现，以及HBM认证进度仍远远落后于同类型芯片的竞争对手SK海力士（SK Hynix）。三星电子公布了多年来最快的销售和利润增长速度，反映出随着全球人工智能发展加速，存储芯片需求呈现激增态势。在全球企业纷纷斥巨资布局AI的这股狂热浪潮中，存储需求可谓迈入迅猛增长阶段。这家全球最大规模存储芯片以及智能手机制造商上周五公布，截至6月30日的第二季度初步统计业绩显示，营业利润增长逾15倍，至10.4万亿韩元（合75亿美元），大幅超出市场预期。销售额增长约23%，是自2021年新冠疫情以来的最大增幅。三星电子将于7月31日公布包括各部门详细数据在内的最终业绩。随着人工智能技术发展迭代，全球企业对存储芯片需求激增。SK海力士已成为英伟达核心的HBM供应商，三星也在力争加入这一行列。在当前存储领域最为火热的HBM市场方面，截至2022年，三大原厂HBM市占率分别为SK海力士50%、三星电子约40%、美光约10%，由于SK海力士在HBM领域最早发力，早在2016年已涉足这一领域，因此占据着绝大多数市场份额。有业内人士表示，2023年SK海力士HBM市场份额分布将在55%左右，位列绝对主导地位。三星电子在存储芯片领域堪称最核心地位韩国是世界上最大规模两家存储芯片生产商SK海力士与三星的所在地，其中，全球HBM霸主SK海力士已经成为英伟达最核心的HBM供应商，英伟达H100 AI GPU所搭载的正是SK海力士生产的HBM存储系统。此外，英伟达H200 AI GPU以及最新款基于Blackwell架构的B200/GB200 AI GPU的HBM也将搭载SK海力士所生产的最新一代HBM存储系统HBM3E，另一大HBM3E供应商则是来自美国的存储巨头美光，美光HBM3E大概率将搭载英伟达H200以及最新推出的性能无比强劲的B200/GB200 AI GPU。另一大来自韩国的存储巨头三星，则是全球最大规模的DRAM与NAND存储芯片供应商，并且近期也在力争成为英伟达HBM以及更新一代的HBM3E供应商之一。三星在DRAM主流应用之一的DDR系列存储芯片领域（如DDR4、DDR5） 以及NAND存储主流应用之一的SSD，市场份额遥遥领先于其他存储芯片制造商。不同于HBM大规模应用于AI数据中心，DDR系列存储主要用于PC系统的主存储器，提供足够的内存容量和带宽，支持多任务处理和消费电子端数据集的处理，LPDDR（Low Power DDR）系列则应用于智能手机端。从上图能够看出，韩国企业在存储市场占据主导地位，三星电子和SK海力士占据全球存储芯片市场绝大多数份额，其中三星电子占比甚至接近50%。自从2023年以来席卷全球企业的AI热潮已带动AI服务器需求激增，戴尔科技（DELL.US）以及超微电脑（SMCI.US）等全球顶级数据中心服务器制造商在其AI服务器中通常使用三星与美光DDR系列产品，以及NAND存储主流应用之一的三星/美光SSD则大量用于计算系统的服务器主存储体系，而SK海力士HBM存储系统则与英伟达AI GPU全面绑定在一起使用。DRAM主要用于计算系统的主存储器，为CPU和GPU提供临时数据存储和中间计算结果，以及数据加载和预处理。虽然NAND存储的读写速度不如整个DRAM以及归属于DRAM细分领域的HBM，但其容量大、成本低，是长时间存储数据的理想选择，在生成式AI计算系统中，NAND通常用于保存规模庞大的训练/推理数据集和已训练模型，当需要进行训练或再推理负载时，将数据极速加载到DRAM或HBM中进行处理。这也是HBM存储系统，以及整个DRAM与NAND存储需求激增的重要逻辑。随着全球存储芯片持续复苏，主流存储芯片厂商已经率先开启了涨价模式，TrendForce集邦咨询最新调查显示，第二季度整个DRAM合约价格环比涨幅高达13%-18%。有业内人士表示，从2023年年底开始，全球半导体存储产业逐步进入上行周期，今年已多次收到上游存储芯片厂提高合约价的通知。服务器制造商戴尔近日预计DRAM和SSD价格将在下半年上涨15%至20%。此外，受AI数据中心对大容量NAND需求的推动，以及苹果Apple Intelligence所引领的端侧AI大模型融入消费电子端的热潮，也有望推动DRAM与NAND需求迈入激增阶段，近期三星电子和SK海力士已将NAND工厂的开工率由去年的20-30%升至70%以上。 ... PC版： 手机版：

SK海力士2025年HBM产品基本售罄

SK海力士2025年HBM产品基本售罄 SK 海力士公司计划在今年第三季度开始量产其下一代内存芯片，以期利用对人工智能发展至关重要的半导体需求激增的机会。这家韩国公司在一份声明中表示，其 2025 年高带宽存储器 (HBM) 产能几乎已被全部预订。海力士上个月表示，计划斥资约 146 亿美元在韩国构建新的存储芯片产能。

芯片需求复苏 SK海力士第四季度实现一年来首次盈利

芯片需求复苏 SK海力士第四季度实现一年来首次盈利 净亏损从上年同期的3.7万亿韩元收窄至1.37万亿韩元。营收同比增长47.4%，至11.3万亿韩元。SK海力士在当天的声明中表示：“在专注于盈利后，时隔1年首次实现了季度盈利，”并补充称：“对人工智能服务器和移动应用程序的需求增加，帮助改善了2023年最后一个季度的整体内存市场状况。”该公司表示，第四季度其AI存储芯片HBM3和大容量移动DRAM等旗舰产品的销售额分别比上年同期增长了4倍和5倍以上。2023年全年，SK海力士报告净亏损9.13万亿韩元，而上年同期为盈利2.24万亿韩元。该公司去年的营业亏损总额为7.73万亿韩元，营收为32.76万亿韩元，同比下降了26.6%。 ... PC版： 手机版：

SK Hynix将投资10亿美元开发关键AI存储芯片技术

SK Hynix将投资10亿美元开发关键AI存储芯片技术 随着现代人工智能及其通过并行处理链消化大量数据的技术的出现，这种技术的重要性与日俱增。虽然 SK 海力士没有披露今年的资本支出预算，但分析师的平均估计是 14 万亿韩元（105 亿美元）。这表明，先进的封装技术可能占到其中的十分之一，是主要的优先事项。Lee 在接受采访时说："半导体行业的前 50 年都是关于前端的，也就是芯片本身的设计和制造。但是，下一个 50 年的重点将是后端，即封装。"在这场竞赛中，率先实现下一个里程碑的公司现在可以跃居行业领先地位。SK Hynix 被 NVIDIA 公司选中，为其制定标准的人工智能加速器提供 HBM，从而将这家韩国公司的价值推高到 119 万亿韩元。自2023年初以来，SK海力士的股价已上涨近120%，成为韩国第二大最有价值的公司，超过了三星和美国竞争对手美光科技。现年 55 岁的 Lee 协助开创了封装第三代 HBM2E 技术的新方法，并很快被其他两家主要制造商效仿。这项创新是 SK Hynix 在 2019 年底赢得 NVIDIA 客户地位的关键。长期以来，Lee 一直热衷于通过堆叠芯片来获得更高的性能。2000 年，他在日本东北大学获得了微系统三维集成技术的博士学位，师从发明了用于手机的堆叠电容 DRAM 的小柳光正。2002 年，Lee 加入三星存储器部门担任首席工程师，领导开发了基于硅通孔 (TSV) 的 3D 封装技术。这项工作后来成为开发 HBM 的基础。HBM 是一种高性能存储器，它将芯片堆叠在一起，并用 TSV 连接，以实现更快、更节能的数据处理。但在前智能手机时代，三星在其他地方下了更大的赌注。全球芯片制造商通常会将组装、测试和封装芯片的任务外包给较小的亚洲国家。因此，当 SK Hynix 和美国合作伙伴 Advanced Micro Devices Inc. 于 2013 年向全球推出 HBM 时，在三星于 2015 年底开发出 HBM2 之前的两年时间里，它们一直没有受到挑战。李在镕三年后加入 SK 海力士。他们不无自豪地开玩笑说，HBM 代表"海力士最好的内存"。里昂证券韩国公司的分析师 Sanjeev Rana 说："SK 海力士的管理层对这个行业的发展方向有更好的洞察力，他们已经做好了充分的准备。当机会来临时，他们用双手抓住了它。至于三星，他们被打了个措手不及"。ChatGPT 于 2022 年 11 月发布，这正是 Lee 翘首以盼的时刻。当时，他的团队在日本联系人的帮助下，已经开发出一种名为大规模回流注塑填充（MR-MUF）的新型封装方法。这种工艺是在硅层之间注入液态材料，然后使其硬化，从而改善了散热和产量。据一位熟悉内情的人士透露，SK 海力士与日本 Namics 公司合作开发了这种材料，并获得了相关专利。Lee 表示，SK Hynix 正在将大部分新投资用于推进 MR-MUF 和 TSV 技术。多年来，三星一直被其高层的接班人问题所困扰，现在三星正在进行反击。NVIDIA 去年向三星的 HBM 芯片点头示意，这家总部位于水原的公司于 2 月 26 日表示，它已开发出第五代 HBM3E 技术，该技术拥有 12 层 DRAM 芯片，容量达到 36GB，为业界最大。同一天，总部位于美国爱达荷州博伊西的美光公司（Micron）宣布开始批量生产 24GB 八层 HBM3E，这将成为 NVIDIA 第二季度出货的 H200 Tensor Core 设备的一部分，令业内观察人士大吃一惊。随着 SK Hynix 致力于扩大和提高国内技术，并计划在美国建立价值数十亿美元的先进封装工厂，面对日益激烈的竞争，Lee 依然看好 SK Hynix 的发展前景。他认为，目前的投资为未来新一代 HBM 满足更多需求奠定了基础。 ... PC版： 手机版：