三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度 22日讯，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。

三星宣布存储芯片将继续减产，将重点转向高端人工智能芯片

三星宣布存储芯片将继续减产，将重点转向高端人工智能芯片 三星电子在今年第二季度，存储芯片部门运营亏损 34 亿美元后，继续削减其存储芯片生产，包括用于智能手机和 PC 的 NAND 闪存。在过去六个月中，这家全球最大的存储芯片制造商的半导体业务出现了约 70 亿美元的营业亏损。 在今天的财报电话会议上，三星内存部门执行副总裁Jaejune Kim 表示，三星将继续削减内存芯片的产量，并针对特定产品进行调整，但将把包括 HBM 在内的高性能内存芯片的产能提高一倍，因为对这些先进内存芯片的需求预计将持续增长。

存储芯片需求炸裂 韩国芯片库存惊现10年来最大降幅

存储芯片需求炸裂 韩国芯片库存惊现10年来最大降幅 根据韩国国家统计局周五公布的数据，4月份韩国芯片库存同比骤降33.7%，为2014年底以来的最大降幅，很大程度上反映韩国芯片出口规模激增。这也标志着芯片库存连续四个月呈现下降，与此同时，韩国芯片出口规模持续回升。随着人工智能技术发展迭代，全球企业对存储芯片需求激增。SK海力士已成为英伟达核心的HBM供应商，三星也在力争加入这一行列。芯片储备缩减反映出口增长加快对韩国芯片的需求带动了整体出口的上升趋势另外，统计局数据还显示，4月份韩国芯片产量大幅增长22.3%，但是低于3月份的30.2%。韩国工厂出货量则增长18.6%，小幅高于3月份的16.4%。全球存储芯片的供应规模，大部分掌握在韩国人手中韩国是世界上最大的两家存储芯片生产商的所在地，其中，全球HBM霸主SK海力士已经成为英伟达最核心的HBM供应商，英伟达H100 AI GPU所搭载的正是SK海力士生产的HBM存储系统。此外，英伟达H200 AI GPU以及最新款基于Blackwell架构的AI GPU的HBM存储也将搭载SK海力士所生产的最新一代HBM存储系统HBM3E，另一大HBM3E供应商则是来自美国的存储巨头美光科技()。另一大来自韩国的存储巨头三星，则是全球最大规模的DRAM与NAND存储芯片供应商，并且近期也在力争成为英伟达HBM以及更新一代的HBM3E供应商之一。三星在DDR系列存储芯片领域(如DDR4、DDR5)，市场份额遥遥领先于其他存储芯片制造商，不同于HBM大规模应用于AI数据中心，DDR系列存储主要用于PC系统的主存储器，提供足够的内存容量和带宽，支持多任务处理和消费电子端数据集的处理，LPDDR(Low Power DDR)系列则应用于智能手机端。在当前存储领域最为火热的HBM市场方面，截至2022年，三大原厂HBM市占率分别为SK海力士50%、三星电子约40%、美光约10%，由于SK海力士在HBM领域最早发力，早在2016年已涉足这一领域，因此占据着绝大多数市场份额。有业内人士表示，2023年SK海力士HBM市场份额分布将在55%左右，位列绝对主导地位。2023年席卷全球企业的AI热潮已带动AI服务器需求激增，戴尔科技(Dell)以及超微电脑(Supermicro, SMCI)等全球顶级服务器制造商在其AI服务器中通常使用三星DDR系列以及SSD用于系统的服务器主存储体系，而SK海力士HBM存储系统则与英伟达AI GPU全面绑定在一起使用。从芯片出口的主要类型来看，韩国芯片出口主要集中在DRAM与NAND存储芯片，不过HBM这一DRAM细分领域占据的份额不断提高，其次则是模拟/混合信号IC、CMOS影像传感器、显示驱动IC、电源管理IC等，但是占据的出口比例较低。在2013-2015年全球存储芯片的繁荣时期，库存在大约一年半的时间里没有出现任何增加迹象。在2016-2017年的增长周期中，库存则下降持续了近一年。韩国央行的一份研究报告显示，随着“人工智能热潮”以类似于2016年云端服务器扩张的方式大幅推动芯片需求，最新一轮芯片需求复苏浪潮预计将至少持续到明年上半年。全球顶级金融机构野村近日发布报告称，随着周期性技术复苏扩大到其他消费电子终端市场，将支持整个芯片行业进入下一轮的景气度上升周期，预计将从今年下半年全面持续到2025年。两大存储巨头撑起韩国经济芯片行业，尤其是三星与SK海力士所撑起的存储芯片行业，可谓是韩国经济的“核心支柱”，带动了对韩国先进设备和工业建设项目的投资规模。统计数据显示，今年第一季度，韩国芯片出口同比增幅超过两位数，推动韩国经济环比增长1.3%，远高于经济学家普遍预期的0.6%。美国半导体行业协会 (SIA) 近日公布的数据显示，2024 年第一季度全球半导体销售额总计 1377亿美元，较2023年第一季度大幅增长15.2%。关于2024年半导体行业销售额预期，SIA 总裁兼首席执行官 John Neuffer 在数据报告预计2024 年整体销售额将相比于2023年实现两位数级别增幅。因此，韩国央行在上周大幅上调了2024年的韩国经济增长预测，反映出经济表现有望大幅好于预期，同时维持政策利率不变，以抑制通胀压力。不过，韩国央行并没有上调今年的通胀预期。韩国政府计划于周六公布最新的出口统计数据。经济学家们普遍预计，在存储芯片需求激增的趋势之下，5月份的韩国出口规模可能较上年同期增长15.4%，小幅高于4月份的13.8%。 ... PC版： 手机版：

三星开发业界首款36GB HBM3E存储芯片 12层堆叠

三星开发业界首款36GB HBM3E存储芯片 12层堆叠 三星电子存储产品规划执行副总裁Yongcheol Bae表示，业界AI服务供应商越来越需要更高容量的HBM，而我们开发的全新HBM3E 12H产品正是为满足这一需求设计的。技术方面，三星HBM3E 12H采用先进的热压非导电薄膜（TC NCF），使12层产品具有与8层HBM芯片相同的高度，以满足当前HBM封装要求。该技术预计将在未来带来更多优势，特别是更高层数堆叠方面，因为业界正在努力减轻芯片裸片变薄带来的翘曲问题。三星不断降低NCF材料的厚度，并实现了当前业界最小的芯片间隙（7微米），同时消除了层间空隙。与此前的HBM3 8H产品相比，新技术的进步使得垂直密度提高了20%以上。三星表示，TC NCF技术还能够通过在芯片之间使用不同大小的凸块，来改善HBM的热性能。在芯片键合层面，较小的凸块用于信号传输区域，而较大的凸块用于需要散热的区域；该方法还有助于提高产品产量。集微网了解到，英伟达目前的H200旗舰AI芯片宣布采用HBM3E存储，下一代B100预计将同样采用HBM3E，目前三大存储芯片巨头三星、SK海力士、美光均重点发力HBM。三星表示，HBM3E 12H将成为未来最佳解决方案，并降低数据中心总成本（TCO）。性能方面，新产品与HBM3 8H相比，人工智能训练平均速度可提高34%，用于推理服务支持的用户数量最高可增加11.5倍以上。目前三星已开始向客户提供HBM3E 12H样品，计划于今年上半年量产。 ... PC版： 手机版：

三星推出用于人工智能的“迄今为止最高容量”的新型 HBM 存储芯片

三星推出用于人工智能的“迄今为止最高容量”的新型 HBM 存储芯片 三星电子周二表示，它已经开发出一种新型高带宽存储芯片，具有业界“迄今为止最高容量”。三星称 HBM3E 12H “将性能和容量提高了 50% 以上”。三星表示，已开始向客户提供芯片样品，并计划于2024年上半年量产。它将确保已经与三星签约的 Nvidia 在基于更高层 (12L) 的更高密度 (36GB) HBM3E 产品方面的领先地位。 三星表示，HBM3E 12H 具有12层堆叠，但采用先进的热压非导电薄膜，使12层产品具有与8层产品相同的高度规格，以满足当前的HBM封装要求。 其结果是芯片具有更强的处理能力，而不增加其物理占用空间。三星表示：“三星不断降低其 NCF 材料的厚度，实现了业界最小的芯片间隙 (7 微米)，同时还消除了层间空隙。与 HBM3 8H 产品相比，这些努力使垂直密度提高了 20% 以上。”

三星电子拟推出高端存储芯片租赁服务，价格波动时确保稳定收益

三星电子拟推出高端存储芯片租赁服务，价格波动时确保稳定收益 三星电子近期将“内存即服务”（memory as a service，MaaS）敲定为新业务，并正在制定实施计划。三星电子计划将用于高性能计算的内存半导体借给谷歌等云服务公司，并收取租赁费用。消息人士透露，三星电子希望新业务能占其动态随机存取存储器（DRAM）整体销售收入的至少 10%。 来自：雷锋 频道：@kejiqu 群组：@kejiquchat 投稿：@kejiqubot