台积电CEO访问ASML总部 预示可能改变其在高数值孔径EUV光刻技术方面的做法

台积电CEO访问ASML总部 预示可能改变其在高数值孔径EUV光刻技术方面的做法 台积电的宿敌英特尔公司（Intel）希望在新兴的高数值孔径超紫外光刻（High-NA EUV lithography）领域取得不可逾越的领先地位。事实上，首批几台这样的机器全部出货给了英特尔的芯片制造部门。英特尔打算在其即将推出的18A（1.8 纳米）工艺节点参数范围内试验高纳极致紫外线（EUV）光刻技术，然后再将其正式纳入 14A（1.4 纳米）制造工艺。相比之下，台积电公开表示，其现有的低噪点 EUV 光刻机阵容可以支持生产到 2026 年。对于即将到来的 A16 工艺节点，该公司显然满足于现有的工艺改进，包括提高生产效率的多重掩模和先进的基于纳米片的晶体管设计。这家台湾芯片制造商似乎还在依靠背面供电来提升其产品在人工智能工作负载方面的性能。这就是问题的关键所在。5 月 26 日，台积电首席执行官魏哲家没有出席 2024 年技术研讨会，而是秘密访问了 ASML 位于荷兰的总部。根据Business Korea 的报道，从 ASML 首席执行官 Christopher Fuke 和通快集团首席执行官 Nicola Leibinger-Kammüller 的社交媒体帖子中可以了解到魏访问的一些细节。根据台积电的既定计划，这家合约芯片制造商希望在推出基于 1.6 纳米的产品后，才采用高数值孔径 EUV 光刻技术。然而，魏哲家对 ASML 总部的秘密访问却让人颇感意外，尤其是这表明台积电目前的发展轨迹存在暗流，或许正在未来的运营策略上进行更广泛的检讨。 ... PC版： 手机版：

英特尔包揽ASML High-NA EUV初期产能

英特尔包揽ASML High-NA EUV初期产能 TheElec 获悉，ASML 截至明年上半年的高数值孔径 EUV (High-NA EUV) 设备订单由英特尔全部包揽，因此三星和 SK 海力士明年下半年后才能获得设备。消息人士称，ASML 的高数值孔径 EUV 设备产能每年约为五至六台，这意味着英特尔将获得所有初始产能。他们还表示，英特尔在宣布重新进入芯片代工业务时抢先购买了这些设备。ASML 的高数值孔径 EUV 设备是芯片制造商制造 2nm 工艺节点芯片的必备设备，每台设备的成本超过 5000 亿韩元。

台积电押注EUV 继续领跑芯片制造

台积电押注EUV 继续领跑芯片制造 访问：NordVPN 立减 75% + 外加 3 个月时长 另有NordPass密码管理器 当台积电于 2019 年开始在其 N7+ 工艺（用于华为海思）上使用 EUV 光刻制造芯片时，它占据了全球 EUV 工具安装基数的 42％，即使 ASML 在 2020 年增加了 EUV 光刻机的出货量，台积电的 EUV 份额安装量实际上增加到了 50%。到 2024 年，台积电的 EUV 光刻系统数量将比 2019 年增加 10 倍，尽管三星和英特尔都在提高自己的 EUV 产量，但台积电目前仍占全球 EUV 安装基数的 56%。可以说，台积电很早就决定大力进军 EUV，因此他们今天仍然拥有 EUV 光刻机的最大份额。值得注意的是，台积电的EUV晶圆产量增幅更大；台积电目前生产的 EUV 晶圆数量是 2019 年的 30 倍。与工具数量仅增加 10 倍相比，台积电产量增长了 30 倍，凸显了台积电如何能够提高 EUV 生产力、减少服务时间和减少工具停机时间全面的。显然，这一切都是通过公司内部开发的创新技术实现的。台积电表示，自 2019 年以来，其 EUV 系统的日晶圆产能已提高两倍。为此，该公司优化了 EUV 曝光剂量及其使用的光刻胶。此外，台积电大幅改进了 EUV 光罩的薄膜，使其寿命提高了四倍（即增加了正常运行时间），将每个薄膜的产量提高了 4.5 倍，并将缺陷率大幅降低了 80 倍（即提高了生产率并增加了正常运行时间）。出于显而易见的原因，台积电没有透露它是如何如此显着地改进其薄膜技术的，但也许随着时间的推移，该公司的工程师将与学术界分享这一点。EUV 光刻系统也因其功耗而臭名昭著。因此，除了提高 EUV 工具的生产效率外，该公司还通过未公开的“创新节能技术”，将 EUV 光刻机的功耗降低了 24%。该公司还没有就此结束：他们计划到 2030 年将每个 EUV 工具每个晶圆的能源效率提高 1.5 倍。考虑到台积电目前已通过低数值孔径 EUV 光刻技术实现的所有改进，该公司对未来能够继续生产尖端芯片充满信心也就不足为奇了。尽管竞争对手英特尔已在其未来的 18A 以下节点中全力采用高数值孔径 EUV，但台积电正在寻求利用其高度优化且经过时间考验的低数值孔径 EUV 工具，以避免主要技术的潜在陷阱如此快的过渡，同时还获得了使用成熟工具的成本效益。 ... PC版： 手机版：

单价4亿美元的光刻机 ASML又卖了一台

单价4亿美元的光刻机 ASML又卖了一台 ASML 首席商务官 Christophe Fouquet 在该公司与分析师和投资者举行的财报电话会议上表示：“关于 High-NA（即 0.55 NA EUV），我们向客户交付了第一个系统，该系统目前正在安装中。” “我们本月开始发货第二个系统，安装也即将开始。”ASML 于 2023 年底开始向英特尔交付其首款高数值孔径 EUV 光刻工具 Twinscan EXE:5000。英特尔将使用该系统来学习如何使用此类机器，并将将该系统与英特尔一起投入14A 制造工艺的大规模生产。这还需要几年时间。通过尽早开始研究基于高数值孔径 EUV 的工艺技术，英特尔将能够制定下一代光刻的行业标准，这有望在未来几年成为竞争优势。ASML方面表示：“在 2 月份的 SPIE 行业会议上，我们首次宣布了位于 Veldhoven 的 ASML-Imec High-NA 联合实验室中的 High-NA 系统的亮相。” “此后，我们获得了第一张图像，分辨率低于 10 纳米，创下了新纪录，并预计在未来几周内开始曝光晶圆。所有高数值孔径客户都将使用该系统来尽早进行工艺开发。”虽然台积电和Rapidus似乎并不急于采用高数值孔径EUV光刻系统进行量产，但他们仍然必须在未来的某个时候这样做，这就是为什么ASML对这项技术的未来持乐观态度。事实上，全球最大的晶圆厂工具制造商正在探索 Hyper-NA、EUV 光刻工具，其投影光学器件的数值孔径高于 0.7。“客户对我们的 [高数值孔径] 系统实验室的兴趣很高，因为该系统将帮助我们的逻辑和内存客户为将高 NA 插入他们的路线图做好准备，”Fouquet 说。“相对于 0.33 NA，0.55 NA 系统提供了更精细的分辨率，在相似的生产率下，晶体管密度几乎增加了 3 倍，支持低于 2 纳米的逻辑和低于 10 纳米的 DRAM 节点。”近日，ASML 宣布其首款具有 0.55 数值孔径 ( High-NA ) 投影光学器件的极紫外 (EUV) 光刻工具已打印出第一个图案。该公告对于 ASML 和高数值孔径 EUV 光刻技术来说都是一个重要的里程碑。ASML 在一份声明中写道：“我们位于 Veldhoven 的高数值孔径 EUV 系统打印了有史以来第一条 10 纳米密集线。” “成像是在光学器件、传感器和平台完成粗略校准后完成的。下一步：使系统充分发挥性能。并在现场取得相同的结果。”ASML 似乎是第一家宣布使用高数值孔径 EUV 光刻系统成功图案化的公司，这对于整个半导体行业来说是一个重要的里程碑。ASML 将仅将其 Twinscan EXE:5000 用于自己的开发和完善自己的技术。相比之下，英特尔将使用其 Twinscan EXE:5000 来学习如何使用高数值孔径 EUV 光刻技术来批量生产芯片。英特尔将通过其英特尔18A（1.8纳米级）工艺技术将该工具用于研发目的，并计划部署下一代Twinscan EXE：5200扫描仪在其14A（1.4纳米级）生产节点上制造芯片。ASML 的 Twinscan EXE:5200 配备 0.55 NA 镜头，设计用于打印 8 纳米分辨率的芯片，这比当前 EUV 工具的 13 纳米分辨率有了显着改进。与低数值孔径工具相比，该技术可通过单次曝光打印尺寸小 1.7 倍的晶体管，并实现高 2.9 倍的晶体管密度 。尽管低数值孔径系统可以匹配此分辨率，但它们必须使用昂贵的双图案技术。实现 8 纳米对于制造 3 纳米以下工艺芯片至关重要，这些芯片预计将于 2025 年至 2026 年问世。高数值孔径 EUV 技术的引入将消除对 EUV 双图案化的需求，从而简化生产流程，潜在地提高产量并降低成本。然而，每个高数值孔径工具的成本高达 4 亿美元，并带来了众多挑战，这使得向领先工艺技术的过渡变得复杂（将在本世纪下半叶发生）。 ... PC版： 手机版：

ASML正在开发hyper-NA EUV光刻机

ASML正在开发hyper-NA EUV光刻机  他表示，在未来十年内，ASML将构建一个集成低数值孔径、高数值孔径和超数孔径EUV系统的单一平台。 这一举措被视为减少工艺步骤数量、降低晶圆加工成本和能源消耗的关键。Van den Brink进一步强调了Hyper-NA EUV工具的重要性，指出它能够简化复杂的双重图案工艺，降低生产难度。他解释说，这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。值得注意的是，高数值孔径EUV（high-NA）光刻技术目前正处于起步阶段。ASML自去年12月开始出货高数值孔径工具，目前仅英特尔一家采用，而台积电则表示短期内不会采用。为了推动该技术的研发和应用，ASML将在几周内正式在费尔德霍芬开设高数值孔径实验室，该实验室将与Imec共同运营，为芯片制造商提供该工具的早期使用权。事实上，该实验室的系统已经投入使用，并成功打印了有史以来第一个10纳米线阵图案。据Van den Brink的最新更新，该系统已经能够产生8nm线阵图案，接近该工具的最大分辨率。这一成果进一步证明了ASML在EUV光刻技术领域的领先地位和持续创新的能力。 ... PC版： 手机版：

阿斯麦今年将向台积电和三星交付价值3.8亿美元的高数值孔径极紫外光刻机

阿斯麦今年将向台积电和三星交付价值3.8亿美元的高数值孔径极紫外光刻机 总部位于荷兰的阿斯麦今年将向台积电和三星电子出货其最新的芯片制造设备。据该公司发言人称，阿斯麦首席财务官罗杰·达森在最近的电话会议上告诉分析师，阿斯麦的三大客户台积电、英特尔和三星都将在今年年底前获得高数值孔径极紫外光刻机。英特尔已经订购了最新的高数值孔径极紫外光刻机，并于去年12月底送往俄勒冈州的制造工厂。目前尚不清楚阿斯麦最大的 EUV 客户台积电何时会收到这台设备。这家台湾芯片制造商的一位代表表示，该公司与供应商密切合作，并拒绝进一步置评。