三星将上调SSD、内存价格15-20%

三星将上调SSD、内存价格15-20% 戴尔公司首席运营官杰夫-克拉克(Jeff Clarke)表示,大部分市场需求将围绕功能强大的人工智能服务器展开,这些服务器需要高带宽内存和高速内部及外部存储。预计今年下半年固态硬盘和DRAM的成本将增加15%至 20%,对于厂商来说,则要把压力转嫁给买家。DRAM和NAND芯片行业陷入动荡已有一段时间。2023年,芯片制造商发现自己面临着库存过剩的问题,这导致固态硬盘和内存价格屡创新低,虽然这对消费者来说是好事,但对企业来说就不是那么美好了。几家制造商在今年下半年缩减了生产规模以帮助纠正库存问题,但根据戴尔的最新警告,他们似乎做得太过分了,现在要解决的问题恰恰相反:需求太多,供应不足。 ... PC版: 手机版:

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戴尔预计今年内存和固态硬盘价格将再升20%

戴尔预计今年内存和固态硬盘价格将再升20% 自去年以来,我们就一直听说内存和固态硬盘即将涨价,而这一消息最终被证明是准确的。我们最近更新了固态硬盘价格指南,对五款领先的 500GB 固态硬盘进行了调查,发现从今年 1 月到 4 月,每款产品的价格都比几个月前要高。一些消费类硬盘如 Crucial MX500只上涨了 5 美元,但包括三星 970 Evo Plus 在内的其他硬盘则明显上涨 15 美元,然而预计涨价还会继续。戴尔公司首席运营官杰夫-克拉克(Jeff Clarke)在上周四举行的 2025 年第一季度财报电话会议上表示,他们预计各种形式的成本都将上升,包括运费和零部件成本。克拉克解释说:"各种迹象表明,资本支出不足、工厂利用率低、晶圆开工率不高,都将导致供应量低于市场需求。"戴尔认为,大部分市场需求将围绕功能强大的人工智能服务器展开,这些服务器需要高带宽内存和高速内部及外部存储。预计今年下半年固态硬盘和 DRAM 的成本将增加 15%至 20%。戴尔也很有可能相应地调整价格,把压力转嫁给买家。DRAM 和 NAND 芯片行业陷入动荡已有一段时间。2023 年,芯片制造商发现自己面临着库存过剩的问题,这导致固态硬盘和内存价格屡创新低这对消费者来说是好事,但对企业来说就不是那么美好了。几家制造商在今年下半年缩减了生产规模以帮助纠正库存问题,但根据戴尔的最新警告,他们似乎做得太过分了,现在要解决的问题恰恰相反:需求太多,供应不足。 ... PC版: 手机版:

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需求强劲 三星将把SSD价格最高上调25%

需求强劲 三星将把SSD价格最高上调25% 与此同时,根据调研机构TrendForce的报告,消费级SSD的价格也预计将再次上涨,涨幅预计在10-15%之间。这一趋势的形成,主要是由于上游减产影响的持续,以及供应商库存水平的下降。尽管第二季度的NAND闪存采购量略低于一季度,但闪存合约价依然有望继续上涨。目前,消费级固态硬盘正处于终端销售淡季,下游PC品牌厂由于无法通过调整成品价格来抵消涨价的影响,因此订单需求受到了一定程度的抑制。然而,即便如此,整体产品合约价仍预计将上涨10-15%。值得注意的是,由于先前NAND芯片价格的大幅下跌,芯片厂商目前距离实现盈利还有一段距离。据预测,价格至少需要再上涨四成,才能达到损益平衡。因此,在未来几个季度内,SSD价格可能会保持强势。总的来说,无论是企业用SSD还是消费级SSD,价格都有望在未来一段时间内持续上涨。对于消费者和下游厂商来说,这可能意味着更高的购买成本和更严格的成本控制。而对于三星电子等存储芯片供应商来说,这可能是一个逐步改善盈利状况的机会。然而,市场的不确定性仍然存在,未来的价格走势仍需密切关注市场动态和行业趋势。 ... PC版: 手机版:

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SK海力士内存产品提价约15%-20%,下半年涨幅趋缓 华尔街见闻从供应链独家获悉,SK海力士LPDDR5/LPDDR4/NAND/DDR5等DRAM产品,均有15%-20%的提价。供应链人士告诉华尔街见闻,“海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调,目前已累计上涨约60%-100%不等,下半年涨幅将趋缓。”

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三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产

三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产 首先,三星已开始量产其 HBM3E"Shinebolt"内存,本月将首先出货 8-Hi 堆栈,随后将在第二季度推出 12-Hi 变体。下一代内存解决方案将在 8 模块芯片(如 AMD 的 MI300X)上提供每个堆栈 36 GB 的容量,最高可达 288 GB 的产品。据报道,AMD 已经与三星代工厂签订了协议,后者将提供 HBM3E DRAM,用于现有和下一代产品,如更新的MI350/MI370 GPU,据说这些产品的内存容量都会增加。在 DDR5 DRAM 方面,三星将于 2024 年第二季度推出 1b(nm) 32 Gb 内存模块,并投入量产。这些内存 IC 将用于开发高达 128 GB 的模块。三星已经向客户交付了下一代 DDR5 解决方案的首批样品。最后,三星将在固态硬盘 V-NAND 领域推出 64 TB 数据中心固态硬盘。这些固态硬盘将于 2024 年第二季度向客户提供样品,该公司还预计将于第三季度开始量产第 9 代 V-NAND 固态硬盘。第 9 代 V-NAND 固态硬盘将采用 QLC(四层单元)设计。有报道称, TLC V-NAND(第 9 代)将于本月开始生产,其传输速度将提高 33%,达到 3200 MT/s。这些固态硬盘将采用最新的 PCIe Gen5 标准。 ... PC版: 手机版:

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三星、SK海力士将停止供货 DDR3 带动市场价格上行 业界传出,全球前二大 DRAM 供货商韩国三星和 SK海力士正全力冲刺高带宽内存 (HBM) 与主流 DDR5 规格内存,下半年起将停止供应 DDR3 利基型 DRAM,引起市场抢货潮,导致近期 DDR3 价格飙涨,最高涨幅达20%,且下半年报价还将进一步上涨。业内传出,为了应对高频宽内存和 DDR5 的发展策略,三星已通知客户将于第二季度末停止生产 DDR3;而 SK海力士则在去年底就已将位于中国大陆无锡的工厂转向 DDR4 制程,意味着不再供应 DDR3;同时,美光为扩大 DDR5 和高频宽内存产能,也大幅减少了 DDR3 的供应量。

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