韩国SK海力士将在2028年前在人工智能、芯片领域投资750亿美元

韩国SK海力士将在2028年前在人工智能、芯片领域投资750亿美元 韩国 SK 集团旗下的半导体子公司 SK 海力士计划在 2028 年前投资 103 万亿韩元 (748 亿美元)，彰显出该集团对其认为对其业务未来发展至关重要的领域的押注。SK 集团周日在声明中表示，其中约 80% (即 82 万亿韩元) 将用于投资高带宽内存 (HBM) 芯片。SK 海力士的 HBM 芯片针对英伟达公司的人工智能加速器进行了优化。作为对人工智能押注的一部分，SK 电讯公司和 SK Broadband Co. 将在其数据中心业务上投资 3.4 万亿韩元。

【SK海力士CEO：SK Square计划向芯片和区块链领域投资16亿美元】

【SK海力士CEO：SK Square计划向芯片和区块链领域投资16亿美元】 3月28日消息，韩国芯片制造商SK海力士的首席执行官Park Jung-ho周一表示，其最大股东（持有SK海力士20.1%股权）SK Square正在考虑涉及芯片及区块链公司的并购交易，计划确保获得超过2万亿韩元（16.3 亿美元）的自身投资资源，建立国内外投资者联合投资基地，集中投资在芯片和区块链等领域。 据悉，SK Square成立于2021年，是由韩国最大通讯业者SK Telecom分拆成立的投资公司，掌握非电信与技术部门，专注投资于新兴高科技技术与半导体方面的业务，旗下子公司包括韩国半导体制造的 SK Hynix、App应用商品经营业者ONE Store、电商平台11Street等等。

SK海力士计划在韩国增加20万亿韩元人工智能芯片投资

SK海力士计划在韩国增加20万亿韩元人工智能芯片投资 SK海力士计划追加投资20万亿韩元，扩大该公司在韩国的半导体产能，以满足日益增长的人工智能芯片需求。这家韩国内存芯片生产商周三表示，将斥资超过20万亿韩元扩建其位于首尔西南部清州的DRAM芯片工厂。SK海力士称，根据这项新的长期支出计划，到2025年11月，该公司将首先完成投资5.3万亿韩元的清州芯片制造设施的建设。该公司表示，这项工厂扩建的目的是提高高带宽内存和其他先进人工智能芯片的产量。

SK海力士将投资近40亿美元在美建芯片封装厂

SK海力士将投资近40亿美元在美建芯片封装厂 当天，SK海力士首席执行官郭鲁正、韩国驻美大使赵贤东、印第安纳州州长Eric Holcomb、参议员Todd Young、白宫科技政策办公室主任Arati Prabhakar等一众人员出席了签约活动。据悉，该芯片工厂将以下一代高带宽内存（HBM）芯片生产线为中心，这些芯片是训练人工智能系统的图形处理器的关键组件。上个月，SK海力士开始批量生产用于人工智能（AI）服务器的HBM3E芯片。作为HBM芯片的领先设计和制造商，SK海力士已经发展成为人工智能开发热潮中的关键参与者。这推动其股价年内迄今涨逾25%，市值也轻松突破了1000亿美元，使其成为韩国市值规模第二大的公司。大约两年前，SK海力士承诺，将通过研发项目、材料、在美国建立先进的封装和测试工厂，向半导体产业投资150亿美元。该公司在周三表示，最新的合作协议是此前承诺的一部分，公司还向美国政府申请了《芯片与科学法案》提供的补贴。新项目也标志着美国在芯片行业迈出了重要一步，先进封装产能是美国政府重振半导体产业努力中的一个瓶颈。美国的封装能力只占全球的3%，这意味着在美国生产芯片的公司通常还得把芯片运到亚洲组装使用。SK海力士声称：“印第安纳州的工厂预计在2028年下半年开始量产新一代HBM等适于人工智能的芯片，新工厂将在当地创造1000个以上的工作岗位，为地区社会发展做出贡献。”印第安纳州州长Eric Holcomb表示：“印第安纳州是创造将成为未来经济原动力的创新产品的全球领先者。坚信与SK海力士的伙伴关系将带来印第安纳州和普渡大学等地区社会的长期发展。”工厂位于普渡大学附近，该校是美国最大的半导体和微电子工程专业所在地之一。SK海力士此前也曾考虑过亚利桑那州，该州有一个新兴的芯片产业，台积电和英特尔的工厂就位于该州。SK海力士首席执行官郭鲁正表示，考虑到州政府的全力支持、丰富的制造基础设施，以及普渡大学的优秀人才等，最终选择了印第安纳州。 ... PC版： 手机版：

SK 海力士计划斥资40亿美元在美国建首家芯片工厂

SK 海力士计划斥资40亿美元在美国建首家芯片工厂 SK 海力士公司计划斥资38.7亿美元在印第安纳州建造一座先进的封装厂和人工智能产品研究中心。这标志着拜登政府在寻求增加美国本土半导体产量方面的胜利。这家全球第二大的内存芯片制造商表示，将在美国西拉斐特市建设首个工厂，并计划于2028年下半年开始量产。该工厂将重点建设下一代高带宽存储芯片生产线，这些芯片是训练人工智能系统图形处理器的关键组件。在美国当地建厂的决定是在 SK 海力士宣布投资美国的计划约两年后作出的。当时，SK 集团董事长崔泰源表示，该企业将拨出大约150亿美元，在美国建设芯片设施和加强研究项目。这家韩国公司表示，周三的公告是这一总体承诺的一部分。SK 海力士还申请了《芯片与科学法案》的拨款，该法案旨在促进半导体制造业回归美国。

SK海力士市值增长惊人 超越LG和现代汽车集团总和

SK海力士市值增长惊人 超越LG和现代汽车集团总和 这一辉煌成就的核心驱动力非SK海力士莫属。SK海力士的市值实现了质的飞跃，从103.6675万亿韩元激增至171.8086万亿韩元，增幅惊人地达到了68.1411万亿韩元，即65.7%，一举超越了LG集团（约163万亿韩元）与现代汽车集团（约160万亿韩元）的市值总和，成为行业瞩目的焦点。业内专家深入剖析指出，SK海力士市值飙升的奥秘在于其成功占据了英伟达新一代AI半导体所需高带宽内存（HBM）供应的近乎垄断地位。鉴于高带宽内存在推动高级计算应用发展中的不可或缺性，这一战略布局极大地提振了投资者的信心，进而推动了市场估值的飙升。在当前的韩国企业市值版图中，三星集团以721.5250万亿韩元的雄厚实力稳坐榜首，而SK集团则以247.2104万亿韩元的市值紧随其后，位居第二。LG集团和现代汽车集团分别以163.3307万亿韩元和160.1852万亿韩元位列第三、四位，但SK海力士的卓越表现无疑为SK集团的整体市值增长贡献了决定性力量。SK海力士市值的显著增长，不仅是对其自身实力的有力证明，也凸显了半导体行业在全球经济格局中的核心地位，尤其是在人工智能技术需求持续高涨的当下。展望未来，随着SK海力士继续巩固并扩大在英伟达AI半导体HBM市场的领导地位，其市场估值预期将持续保持强劲增长态势，为SK集团乃至整个韩国经济注入更多活力与希望。 ... PC版： 手机版：