三星成立新的HBM团队:推进HBM3E和HBM4开发工作

三星成立新的HBM团队:推进HBM3E和HBM4开发工作 回顾过往,三星自2015年起便在DRAM部门内部深耕HBM技术的蓝海,不仅设立了专项团队,还成立了特别工作组,持续推动技术创新与突破。此次组织架构的升级,无疑是对过往努力的深化与加强,彰显了三星对HBM技术未来发展的坚定信心。为了加速抢占高附加值DRAM市场的制高点,三星展现出了惊人的研发速度与执行力。今年年初,三星便宣布成功研发出HBM3E 12H DRAM,并紧随其后在四月实现了HBM3E 8H DRAM的量产,这一系列成就不仅体现了三星的技术实力,也为其在HBM领域的领先地位奠定了坚实基础。值得注意的是,三星与英伟达等行业巨头的合作也在不断深入。自去年起,三星便积极向英伟达提供HBM3E样品进行严苛验证,涵盖8层与12层堆叠技术,虽历经挑战但进展显著,预计将在今年第三季度末迎来部分验证工作的圆满完成,这一合作无疑将加速HBM技术在高端计算领域的普及与应用。此外,三星还通过官方渠道分享了HBM产品的最新研发进展,并明确透露了HBM4技术的研发时间表,即计划于2025年首次亮相。这一消息不仅引发了业界的广泛关注,也进一步激发了市场对未来高性能计算、人工智能等领域技术革新的期待。更有传言指出,三星正考虑在HBM4中引入革命性的非导电粘合膜(NCF)组装技术和混合键合(HCB)技术,以优化高温环境下的热特性,进一步提升产品的稳定性和可靠性,这将是对现有技术边界的又一次勇敢探索。 ... PC版: 手机版:

相关推荐

封面图片

消息称三星电子新设HBM芯片开发团队

消息称三星电子新设HBM芯片开发团队 三星电子副总裁、高性能DRAM设计专家Sohn Young-soo将领导该团队。新团队将专注于下一代HBM4产品以及HBM3和HBM3E产品的研发。此举表明,三星电子将加强对HBM的研发结构。该公司已开发出了业界领先的12层HBM3E产品,并通过了英伟达的质量测试。但该市场一直由三星的竞争对手SK海力士凭借其最新的HBM3E而占据主导地位。为巩固自己的地位,三星电子还重组了先进封装团队和设备技术实验室,以提高整体技术竞争力。最新的举措是为了提高三星在蓬勃发展的HBM市场上的竞争力。 ... PC版: 手机版:

封面图片

三星电子据悉改组新设 HBM 芯片研发团队

三星电子据悉改组新设 HBM 芯片研发团队 据业界 7 月 4 日消息,三星电子负责半导体业务的设备解决方案(DS)部门当天进行改组,新设 HBM 研发组。三星电子副社长、高性能 DRAM 设计专家孙永洙(音译)担任该研发组组长,带领团队集中研发 HBM3、HBM3E 和新一代 HBM4 技术。此外,三星电子还对先进封装(AVP)团队和设备技术实验所进行重组,以提升整体技术竞争力。(界面)

封面图片

三星组建全新HBM提升团队 并加速AI芯片Mach系列开发

三星组建全新HBM提升团队 并加速AI芯片Mach系列开发 业内消息人士3月29日透露,新团队将负责DRAM、NAND的开发和销售,三星执行副总裁兼DRAM产品和技术主管Hwang Sang-joon将领导新团队,但团队人数尚未确认。据悉,这是三星自2024年1月创建由100名设备和解决方案(DS)部门组成的HBM专职团队之后,成立的第二个HBM专职团队。为了在人工智能芯片市场抢占先机,三星将采取“双轨”战略,同时开发两种类型的尖端存储芯片:HBM和Mach系列。三星计划在年内量产HBM3E,并在2025年量产HBM4。池庆贤3月29日表示,“想要开发定制化HBM4芯片的客户将与我们合作。得益于专业团队的努力,三星将获得HBM市场的领导地位。”此前三星HBM负责人预计,2024年该公司HBM芯片产量将比去年增加2.9倍。三星人工智能芯片Mach-1目前正在开发中,预计今年年内将推出原型产品。这款芯片采用SoC(片上系统)形式,用于人工智能推理加速,可减少GPU与HBM的瓶颈。此外,三星未来还将推出Mach-2芯片,该公司高管表示,客户对此表现出浓厚的兴趣。 ... PC版: 手机版:

封面图片

三星和SK海力士推12层HBM3E内存

三星和SK海力士推12层HBM3E内存 3月19日消息,三星电子和 SK 海力士3月18日在人工智能芯片巨头英伟达年度开发者大会 (GTC) 上双双公开12层堆叠动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片的第五代高带宽存储器 (HBM3E) “HBM3E 12H DRAM”实物。高带宽存储器是指利用先进封装方法垂直堆叠多个DRAM芯片,使数据处理速度取得飞跃性提升的高性能内存。

封面图片

三星开发业界首款36GB HBM3E存储芯片 12层堆叠

三星开发业界首款36GB HBM3E存储芯片 12层堆叠 三星电子存储产品规划执行副总裁Yongcheol Bae表示,业界AI服务供应商越来越需要更高容量的HBM,而我们开发的全新HBM3E 12H产品正是为满足这一需求设计的。技术方面,三星HBM3E 12H采用先进的热压非导电薄膜(TC NCF),使12层产品具有与8层HBM芯片相同的高度,以满足当前HBM封装要求。该技术预计将在未来带来更多优势,特别是更高层数堆叠方面,因为业界正在努力减轻芯片裸片变薄带来的翘曲问题。三星不断降低NCF材料的厚度,并实现了当前业界最小的芯片间隙(7微米),同时消除了层间空隙。与此前的HBM3 8H产品相比,新技术的进步使得垂直密度提高了20%以上。三星表示,TC NCF技术还能够通过在芯片之间使用不同大小的凸块,来改善HBM的热性能。在芯片键合层面,较小的凸块用于信号传输区域,而较大的凸块用于需要散热的区域;该方法还有助于提高产品产量。集微网了解到,英伟达目前的H200旗舰AI芯片宣布采用HBM3E存储,下一代B100预计将同样采用HBM3E,目前三大存储芯片巨头三星、SK海力士、美光均重点发力HBM。三星表示,HBM3E 12H将成为未来最佳解决方案,并降低数据中心总成本(TCO)。性能方面,新产品与HBM3 8H相比,人工智能训练平均速度可提高34%,用于推理服务支持的用户数量最高可增加11.5倍以上。目前三星已开始向客户提供HBM3E 12H样品,计划于今年上半年量产。 ... PC版: 手机版:

封面图片

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存 SK海力士出局

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存 SK海力士出局 而SK海力士因部分工程问题,未能推出12层HBM3E产品,但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。今年2月27日,三星电子官宣成功开发出业界首款36GB 12H(12层堆叠)HBM3E DRAM内存。据介绍,HBM3E 12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止最大的36GB容量,相比于8层堆叠的HBM3 8H,在带宽和容量上提升超过50%。同时相比于8层堆叠,其AI训练速度平均提高34%,同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。在此前的GTC2024大会上,英伟达正式发布了B200和GB200系列芯片。据黄仁勋介绍,B200拥有2080亿个晶体管,采用台积电4NP工艺制程,可以支持多达10万亿个参数的AI大模型,还通过单个GPU提供20 petaflops的AI性能。 ... PC版: 手机版:

🔍 发送关键词来寻找群组、频道或视频。

启动SOSO机器人