三星开发业界首款36GB HBM3E存储芯片 12层堆叠

三星开发业界首款36GB HBM3E存储芯片 12层堆叠 三星电子存储产品规划执行副总裁Yongcheol Bae表示，业界AI服务供应商越来越需要更高容量的HBM，而我们开发的全新HBM3E 12H产品正是为满足这一需求设计的。技术方面，三星HBM3E 12H采用先进的热压非导电薄膜（TC NCF），使12层产品具有与8层HBM芯片相同的高度，以满足当前HBM封装要求。该技术预计将在未来带来更多优势，特别是更高层数堆叠方面，因为业界正在努力减轻芯片裸片变薄带来的翘曲问题。三星不断降低NCF材料的厚度，并实现了当前业界最小的芯片间隙（7微米），同时消除了层间空隙。与此前的HBM3 8H产品相比，新技术的进步使得垂直密度提高了20%以上。三星表示，TC NCF技术还能够通过在芯片之间使用不同大小的凸块，来改善HBM的热性能。在芯片键合层面，较小的凸块用于信号传输区域，而较大的凸块用于需要散热的区域；该方法还有助于提高产品产量。集微网了解到，英伟达目前的H200旗舰AI芯片宣布采用HBM3E存储，下一代B100预计将同样采用HBM3E，目前三大存储芯片巨头三星、SK海力士、美光均重点发力HBM。三星表示，HBM3E 12H将成为未来最佳解决方案，并降低数据中心总成本（TCO）。性能方面，新产品与HBM3 8H相比，人工智能训练平均速度可提高34%，用于推理服务支持的用户数量最高可增加11.5倍以上。目前三星已开始向客户提供HBM3E 12H样品，计划于今年上半年量产。 ... PC版： 手机版：

英伟达寻求从三星采购HBM芯片

英伟达寻求从三星采购HBM芯片 黄仁勋表示，英伟达正在对三星的HBM芯片进行资格认证，并将在未来开始使用它们。HBM已成为人工智能热潮的重要组成部分，因为与传统存储芯片相比，它提供了更快的处理速度。黄仁勋表示：“HBM是一个技术奇迹。”他补充说，HBM还可以提高能效，并且随着耗电的人工智能芯片变得更加普遍，将帮助世界保持可持续发展。SK海力士实际上是AI芯片领导者英伟达的HBM3芯片的唯一供应商。虽然没有透露新HBM3E的客户名单，但SK海力士高管透露，新芯片将首先供货英伟达并用于其最新的Blackwell GPU。三星一直在HBM上投入巨资，以追赶竞争对手。三星于2月宣布开发出HBM3E 12H，这是业界首款12层堆栈HBM3E DRAM，也是迄今为止容量最高的HBM产品。三星表示，将于今年上半年开始量产该芯片。 ... PC版： 手机版：

消息称三星电子新设HBM芯片开发团队

消息称三星电子新设HBM芯片开发团队 三星电子副总裁、高性能DRAM设计专家Sohn Young-soo将领导该团队。新团队将专注于下一代HBM4产品以及HBM3和HBM3E产品的研发。此举表明，三星电子将加强对HBM的研发结构。该公司已开发出了业界领先的12层HBM3E产品，并通过了英伟达的质量测试。但该市场一直由三星的竞争对手SK海力士凭借其最新的HBM3E而占据主导地位。为巩固自己的地位，三星电子还重组了先进封装团队和设备技术实验室，以提高整体技术竞争力。最新的举措是为了提高三星在蓬勃发展的HBM市场上的竞争力。 ... PC版： 手机版：

三星否认HBM芯片存在发热/功耗高问题 已严格测试

三星否认HBM芯片存在发热/功耗高问题 已严格测试 HBM技术通过垂直堆叠多个DRAM芯片来显著提高数据处理速度，随着人工智能（AI）市场的快速增长变得越来越重要。HBM需求激增，三星电子和SK海力士陷入激烈的市场主导地位争夺战。尽管三星在存储半导体行业历来处于领先地位，但其在HBM领域处于下风，这种情况促使该公司内部发生重大战略转变。为了应对这些竞争压力，三星最近更换了负责监管半导体业务的设备解决方案（DS）部门的负责人。此次领导层变动凸显了三星重新在HBM市场站稳脚跟的承诺。今年4月，三星开始量产其第五代HBM产品8层HBM3E，并计划在今年第二季度开始量产业界首款12层HBM3E产品。三星电子重申了其对质量和可靠性的承诺。该公司表示：“我们正在努力提高所有产品的质量和可靠性。我们正在严格测试HBM产品的质量和性能，以便为客户提供最佳的解决方案。”尽管有这些保证，一些市场分析师仍然对三星在短期内缩小与其竞争对手差距的能力持怀疑态度。相关文章:路透证实三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试被曝未通过英伟达HBM芯片测试 三星回应：正与客户密切合作优化产品 ... PC版： 手机版：

路透证实三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试

路透证实三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试 HBM 即高带宽存储器，这是一种基于 3D 堆栈工艺的高性能 DRAM，主要适用于高存储器带宽需求的场景组合，尤其是图形处理器、网络交换和转发设备。英伟达的 AI 加速产品都需要极高的带宽来提高性能，因此英伟达最初与 SK 海力士达成合作，由后者独家供应 HBM3 内存芯片。不过从今年开始英伟达已经开始接受三星电子和美光提供的 HBM3 内存芯片，三家供应商里当前似乎也只有三星电子遇到问题，目前英伟达的主力供应商仍然是 SK 海力士。消息称三星从去年开始就一直在尝试通过英伟达的 HBM3 和 HBM3E 的测试，其中 8 层和 12 层的 HBM3E 芯片最近的一次失败测试结果在 4 月公布。既然没有成功通过英伟达测试，那么三星电子自然还不算是该芯片的供应商，这种情况似乎也凸显三星在 HBM 芯片上落后于 SK 海力士和美光了。当然英伟达有自己的测试标准，三星其实也已经向其他客户供应此类芯片，可能是英伟达的要求更高所以暂时三星还不搞定技术难题，只能看着 SK 海力士和美光了。注：HBM3：指的是 HBM 第三个标准，每个标准里面还有不同的 “代” 比如 HBM3E，所以这里指的并不是第三代。相关文章:SK海力士正在HBM内存芯片领域处于领先地位 三星为此撤换芯片主管 ... PC版： 手机版：

三星宣布存储芯片将继续减产，将重点转向高端人工智能芯片

三星宣布存储芯片将继续减产，将重点转向高端人工智能芯片 三星电子在今年第二季度，存储芯片部门运营亏损 34 亿美元后，继续削减其存储芯片生产，包括用于智能手机和 PC 的 NAND 闪存。在过去六个月中，这家全球最大的存储芯片制造商的半导体业务出现了约 70 亿美元的营业亏损。 在今天的财报电话会议上，三星内存部门执行副总裁Jaejune Kim 表示，三星将继续削减内存芯片的产量，并针对特定产品进行调整，但将把包括 HBM 在内的高性能内存芯片的产能提高一倍，因为对这些先进内存芯片的需求预计将持续增长。