AMD Ryzen 8000 APU 曝光，配备 RDNA3.5 iGPU 的 Strix Halo 媲美 RTX 4070 M

AMD Ryzen 8000 APU 曝光，配备 RDNA3.5 iGPU 的 Strix Halo 媲美 RTX 4070 Max-Q ====糊==== iGPU First Timp spy Over 9000? 塞了40个CU的集显你会喜欢吗? 但也有传言说是给主机用的(

AMD最强APU Stirx Halo霸气现身：史无前例128GB内存

AMD最强APU Stirx Halo霸气现身：史无前例128GB内存 最新的一份货运清单首先是显示，Stirx Halo会采用Socket FP11封装接口，功耗释放可高达120W，同时搭配了多达128GB板载内存。这可是个新的纪录，之前的类似记录都只有32GB、64GB。考虑到LPDDR5X内存单颗最大容量为16GB，这里就需要多达8颗。根据泄露资料，Stirx Halo内存支持256-bit位宽、LPDDR5X-8000频率，但不同于苹果M1系列、Intel Lunar Lake，并不会和处理器整合封装在一起，而是单独板载。Stirx Halo将会采用类似桌面处理器的chiplet设计，包含两颗CCD、一颗SoC Die，最多16个CPU核心、40个GPU核心，图形性能有说法声称能媲美移动版RTX 4070，但此处存疑。 ... PC版： 手机版：

苏姿丰演讲公布AMD目标：3年内实现能效提升100倍

苏姿丰演讲公布AMD目标：3年内实现能效提升100倍 在获奖后的演讲中，苏姿丰重点提到，AMD正在全力冲刺30x25目标，也就是到2025年将计算能效提升30倍，而到了2026-2027年，AMD将把计算能效提升100倍！这一速度，将远超行业平均水平。处理器、显卡等计算产品的能耗越来越高，AMD早在2014年就设定了名为25x20的目标，也就是到2020年将产品能效提升25倍，最终超额做到了31.7倍。随后，AMD就立下了30x25的新目标，明年就能顺利实现。苏姿丰指出，眼下提升计算产品能效的最大障碍就是AI大模型训练、微调所需的庞大算力，往往离不开成千上万的GPU加速器，以及成千上万兆瓦的电力，而且还在急剧膨胀。为此，AMD将多管齐下，从产品架构、制造工艺、封装技术、互连技术等方面提升能效，比如3nm GAA全环绕栅极工艺，比如2.5D/3D混合封装，等等。她指出，Instinct MI300X就是高能效的典型代表，包含1530亿个晶体管，分为12颗小芯片、24颗共192GB HBM3内存芯片。再比如处理器，2024年的第四代EPYC，对比1984年的AM286(Intel 80286的克隆版本)，40年间，制造工艺从1.5微米进步到6/5纳米，单颗芯片变成13颗小芯片，晶体管从13.4万个增加到900亿个。核心线程数从1/1个增加到96/192个，频率从20MHz提高到3.5GHz，缓存从16MB增加到486MB，内核面积从49平方毫米增加到1240平方毫米。 ... PC版： 手机版：

AMD Zen5旗舰笔记本APU现身：功耗可达120W、GPU被传媲美4060

AMD Zen5旗舰笔记本APU现身：功耗可达120W、GPU被传媲美4060 有趣的是，它会自带内存，容量32GB、64GB，应该是直接焊接在主板上。Strix Halo将采用chiplet整合封装设计，其中CPU部分预计有8个、12个、16个等至少三种配置，还有最多16MB二级缓存、32MB三级缓存。GPU升级到RDNA3+架构，最多40个计算单元，要知道RX 7600 XT也不过是32单元，有厂商透露其性能最高有望媲美移动版RTX 4060，甚至还有的说能达到移动版RTX 4070！内存支持高达LPDDR5X-8000，还有特别的32MB MALL缓存，类似现在显卡里的无限缓存，双双为GPU加速。NPU算力也进一步提高至最多60TOPS。 ... PC版： 手机版：

英特尔首家大批量Foveros封装工厂Fab 9开始运行

英特尔首家大批量Foveros封装工厂Fab 9开始运行 这座位于新墨西哥州里奥兰乔附近的工厂耗资 35 亿美元建造和装备。该工厂被认为是有史以来最昂贵的先进封装工厂，其高昂的价格凸显了英特尔对先进封装技术和生产能力的重视程度。英特尔的产品路线图要求在未来大量使用多芯片/小芯片设计，再加上英特尔代工服务客户的需求，该公司正准备大幅提高Foveros、EMIB和其他先进封装技术的产量。英特尔的 Foveros 是一种芯片到芯片的堆叠技术，它使用该公司的低功耗 22FFL 制造工艺生产的基本芯片，并在其上堆叠芯片。基底裸片可以作为其所承载裸片之间的互连，也可以集成某些 I/O 或逻辑。当前一代 Foveros 支持小至 36 微米的凸块，每平方毫米最多可实现 770 个连接，但随着凸块最终变为 25 微米和 18 微米，该技术将提高连接密度和性能（在带宽和支持的功率传输方面）。一个 Foveros 基本裸片的大小可达 600平方毫米，但对于需要大于 600 平方毫米基本裸片的应用（ 如用于数据中心产品的裸片），英特尔可以使用 co-EMIB 封装技术将多个基本裸片拼接在一起。新的Fab 9（其名称源自曾经的 6 英寸晶圆光刻厂）终于正式投入生产，至少在未来几年内，它将成为英特尔 Foveros 芯片封装的皇冠上的明珠。虽然该公司在马来西亚（PGAT）也拥有"先进封装"能力，但这些设施目前只配备了 EMIB 生产工具，这意味着英特尔所有的 Foveros 封装都是在新墨西哥园区进行的。作为英特尔首家大批量 Foveros 封装工厂，新增产能将大大提高英特尔 Foveros 封装的总产量，但该公司并未提供具体的产量数据。英特尔的 11x 工厂就在隔壁，这对工厂也是英特尔首个共用先进封装厂，使英特尔能够减少从其他英特尔工厂进口芯片的数量。不过，由于 Fab 11x 不是英特尔 4 工厂，就 Meteor Lake 而言，它只适合生产 22FFL 基本芯片。英特尔仍在进口英特尔4代CPU芯片（俄勒冈和爱尔兰），以及台积电（TSMC）生产的显卡、SoC和I/O芯片（台湾）。 ... PC版： 手机版：

Intel史上最失败处理器 流产的初代10nm突然现世

Intel史上最失败处理器 流产的初代10nm突然现世 其实在2018年初，Intel就宣布Cannon Lake已经开始出货，但从未正式发布，公开的只有一款低功耗移动版i3-8121U，名义上属于八代酷睿，2核心4线程，三级缓存4MB，主频2.2-3.2GHz，热设计功耗15W，没有核显。使用它的产品也很少，公开的只有Intel Crimson Canyon NUC迷你机、联想IdeaPad教育平板，而且前者只卖了一年就退市了。其实还有一款超低功耗的m3-8114Y，但鲜为人知，Intel ARK数据库都没有收录。根据第三方资料，它也是2核心4线程，主频仅1.5-2.2GHz，无核显，热设计功耗只有5W。现在我们看到了一块Intel开发板，上边的处理器就是这个m3-8114Y，BGA1392整合封装，由三颗小芯片组成。其中，中间最大的部分就是CPU，70.52平方毫米，左侧较小的是芯片组，46.17平方毫米，而右侧最小的是McIVR(多芯片整合调压器)，用来控制其他两颗芯片的电压。板子上还有三星8GB LPDDR4-3733内存(四颗)、SK海力士128MB eMMC存储、Intel 9560 Wi-Fi 5无线网卡，以及众多开发调试接口、插槽。有趣的是，主板左下角还有一个宝可梦喵喵的简笔画形象，还真有闲情雅致啊。 ... PC版： 手机版：