长江存储 232 层 Xtacking 3.0 闪存 已实现量产

长江存储 232 层 Xtacking 3.0 闪存 已实现量产 Tech Insights 于11月已在 致态 TiPlus 7100 系列 SSD 和海康威视的 CC700 2TB SSD 上发现使用Xtacking 3.0 3D NAND Flash 闪存。此举领先于美光、三星和SK海力士等厂商。

三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产

三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产 首先，三星已开始量产其 HBM3E"Shinebolt"内存，本月将首先出货 8-Hi 堆栈，随后将在第二季度推出 12-Hi 变体。下一代内存解决方案将在 8 模块芯片（如 AMD 的 MI300X）上提供每个堆栈 36 GB 的容量，最高可达 288 GB 的产品。据报道，AMD 已经与三星代工厂签订了协议，后者将提供 HBM3E DRAM，用于现有和下一代产品，如更新的MI350/MI370 GPU，据说这些产品的内存容量都会增加。在 DDR5 DRAM 方面，三星将于 2024 年第二季度推出 1b(nm) 32 Gb 内存模块，并投入量产。这些内存 IC 将用于开发高达 128 GB 的模块。三星已经向客户交付了下一代 DDR5 解决方案的首批样品。最后，三星将在固态硬盘 V-NAND 领域推出 64 TB 数据中心固态硬盘。这些固态硬盘将于 2024 年第二季度向客户提供样品，该公司还预计将于第三季度开始量产第 9 代 V-NAND 固态硬盘。第 9 代 V-NAND 固态硬盘将采用 QLC（四层单元）设计。有报道称， TLC V-NAND（第 9 代）将于本月开始生产，其传输速度将提高 33%，达到 3200 MT/s。这些固态硬盘将采用最新的 PCIe Gen5 标准。 ... PC版： 手机版：

美光发布世界首款 1.5 TB microSD 卡，搭载 176 层 NAND 闪存

美光发布世界首款 1.5 TB microSD 卡，搭载 176 层 NAND 闪存 美光宣布正在向客户提供世界上容量最大的 microSD 卡 i400 样品，其容量达到前所未有的 1.5 TB，搭载 176 层 3D NAND，专为工业级视频安全而设计 md图都没个 ======== oem品，暂时没有零售

三星宣布启动首批第九代V-NAND闪存量产

三星宣布启动首批第九代V-NAND闪存量产 据悉，第九代V-NAND闪存凭借其超小的单元尺寸和极致的叠层厚度，实现了比上一代产品高约50%的位密度。新技术的运用，如单元干扰避免和单元寿命延长，不仅提升了产品的质量和可靠性，而且通过消除虚通道孔显著减少了存储单元的平面面积。此外，三星展现了其在制造工艺上的卓越能力，通过采用先进的“通道孔蚀刻”技术，该技术能够在双层结构中同时钻孔，达到业界最高的单元层数，从而最大限度地提高了生产效率。随着闪存单元层数的增加，对更复杂蚀刻技术的需求也日益凸显。值得一提的是，第九代V-NAND还配备了新一代的NAND闪存接口“Toggle 5.1”，使数据传速速度提升了33%，最高可达到每秒3.2Gbps。同时，三星还计划通过增强对PCIe 5.0的支持来进一步巩固在高性能固态硬盘市场的地位。与上一代相比，第九代V-NAND还在低功耗设计上取得了显著进步，功耗降低了10%，这一改进使得新型闪存成为未来低能耗应用的理想选择。目前，三星已经开始了第九代1Tb TLC V-NAND的量产，并计划在今年下半年推出四层单元（QLC）的第九代V-NAND产品。 ... PC版： 手机版：

美光推出Crucial英睿达P3系列NVMe SSD

美光推出Crucial英睿达P3系列NVMe SSD Crucial 英睿达 P3 Plus SSD 产品系列顺序读取速度最高可达 5000MB/秒，顺序写入速度最高可达 4200MB/秒，而具备下一代性能的 Crucial 英睿达 P3 SSD 的读取速度最高可达 3500MB/秒，写入速度最高可达 3000MB/秒。 两款 SSD 均采用了 Micron 美光自家的 176 层 3D NAND 和创新控制器技术 p3+是pcie4.0 p3是pcie3.0 p3系列大概可以认作为p2的小幅升级版 虽然镁光没公布颗粒存储类型 我猜测还是qlc (好像镁光 176 layer 3d nand就是qlc？

三星推出U.2接口的BM1743数据中心级固态硬盘 容量高达61.44TB但采用QLC颗粒

三星推出U.2接口的BM1743数据中心级固态硬盘 容量高达61.44TB但采用QLC颗粒 这款固态硬盘采用数据中心典型的 U.2 接口，协议支持 PCIe 4.0/5.0 x 4，采用三星第七代 V-NAND QLC 闪存颗粒，连续读取速度为 7,200MB / 秒、连续写入速度为 2,000MB / 秒。4K IOPS 性能方面，BM1743 随机读取为 1600K，随机写入为 110K，这个性能其实不算太高，不过对于读取密集型存储场景来说应该是够了。下图是 U.2 常规版，也就是采用 2.5 英寸的普通 SSD 尺寸：三星希望这款数据中心固态硬盘能够被边缘 AI 推理和内容交付所使用，目前在 AI 领域存储需求正在大幅度提升，对 AI 模型提供商来说除了强大的 GPU 外，也确实需要使用性能更好的固态硬盘提升数据快速读取响应时间。这款固态硬盘主要通过 U.2 接口提供兼容性，不过 PCIe 5.0 x 4 版也提供 E3.S 接口版，方便企业根据自己的需要在不同规格的服务器中进行部署。三星在新闻稿中完全没有提到这款固态硬盘的功耗，毕竟这种固态硬盘主要提供的是巨量存储和极高的性能 (相比机械硬盘来说)，因此功耗不是重点。对企业和数据中心提供商来说 BM1743 也确实有足够的吸引力，因为市场上竞争对手并不多，同样提供 61.44TB 的固态硬盘还有 Solidigm 的 D5-P5336 和西部数据的 WD SN655，这两款固态硬盘也采用 PCIe 接口。其他固态硬盘制造商例如铠侠、美光、SK 海力士等暂时还未推出 60TB + 的固态硬盘，所以暂时只有三星、Solidigm 和 WD 共享这块市场。 ... PC版： 手机版：