长江存储 232 层 Xtacking 3.0 闪存 已实现量产

长江存储 232 层 Xtacking 3.0 闪存 已实现量产 Tech Insights 于11月已在 致态 TiPlus 7100 系列 SSD 和海康威视的 CC700 2TB SSD 上发现使用Xtacking 3.0 3D NAND Flash 闪存。此举领先于美光、三星和SK海力士等厂商。

三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产

三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产 首先，三星已开始量产其 HBM3E"Shinebolt"内存，本月将首先出货 8-Hi 堆栈，随后将在第二季度推出 12-Hi 变体。下一代内存解决方案将在 8 模块芯片（如 AMD 的 MI300X）上提供每个堆栈 36 GB 的容量，最高可达 288 GB 的产品。据报道，AMD 已经与三星代工厂签订了协议，后者将提供 HBM3E DRAM，用于现有和下一代产品，如更新的MI350/MI370 GPU，据说这些产品的内存容量都会增加。在 DDR5 DRAM 方面，三星将于 2024 年第二季度推出 1b(nm) 32 Gb 内存模块，并投入量产。这些内存 IC 将用于开发高达 128 GB 的模块。三星已经向客户交付了下一代 DDR5 解决方案的首批样品。最后，三星将在固态硬盘 V-NAND 领域推出 64 TB 数据中心固态硬盘。这些固态硬盘将于 2024 年第二季度向客户提供样品，该公司还预计将于第三季度开始量产第 9 代 V-NAND 固态硬盘。第 9 代 V-NAND 固态硬盘将采用 QLC（四层单元）设计。有报道称， TLC V-NAND（第 9 代）将于本月开始生产，其传输速度将提高 33%，达到 3200 MT/s。这些固态硬盘将采用最新的 PCIe Gen5 标准。 ... PC版： 手机版：

三星宣布启动首批第九代V-NAND闪存量产

三星宣布启动首批第九代V-NAND闪存量产 据悉，第九代V-NAND闪存凭借其超小的单元尺寸和极致的叠层厚度，实现了比上一代产品高约50%的位密度。新技术的运用，如单元干扰避免和单元寿命延长，不仅提升了产品的质量和可靠性，而且通过消除虚通道孔显著减少了存储单元的平面面积。此外，三星展现了其在制造工艺上的卓越能力，通过采用先进的“通道孔蚀刻”技术，该技术能够在双层结构中同时钻孔，达到业界最高的单元层数，从而最大限度地提高了生产效率。随着闪存单元层数的增加，对更复杂蚀刻技术的需求也日益凸显。值得一提的是，第九代V-NAND还配备了新一代的NAND闪存接口“Toggle 5.1”，使数据传速速度提升了33%，最高可达到每秒3.2Gbps。同时，三星还计划通过增强对PCIe 5.0的支持来进一步巩固在高性能固态硬盘市场的地位。与上一代相比，第九代V-NAND还在低功耗设计上取得了显著进步，功耗降低了10%，这一改进使得新型闪存成为未来低能耗应用的理想选择。目前，三星已经开始了第九代1Tb TLC V-NAND的量产，并计划在今年下半年推出四层单元（QLC）的第九代V-NAND产品。 ... PC版： 手机版：

美光发布世界首款 1.5 TB microSD 卡，搭载 176 层 NAND 闪存

美光发布世界首款 1.5 TB microSD 卡，搭载 176 层 NAND 闪存 美光宣布正在向客户提供世界上容量最大的 microSD 卡 i400 样品，其容量达到前所未有的 1.5 TB，搭载 176 层 3D NAND，专为工业级视频安全而设计 md图都没个 ======== oem品，暂时没有零售

长江存储突破QLC闪存寿命 做到4000次P/E

长江存储突破QLC闪存寿命 做到4000次P/E 不过，长江存储凭借独特、优秀的Xtacking晶栈架构设计，走出了属于自己的特色道路，闪存寿命可靠性大大提升。比如长江存储新一代的QLC 3D NAND闪存，内部代号“X3-6070”，就有着极为优秀的素质，可满足企业级、消费级、嵌入式全场景的应用需求。根据官方介绍，长江存储X3-6070 QLC闪存的IO接口传输速度达到了2400MT/s，相比上代的1600MT/s提升了足足50％，同时读取、写入速度都有着接近100％的提升。更不可思议的是可靠性和寿命，它的P/E居然能做到惊人的4000次，是普通QLC闪存的4倍！据长江存储的工作人员透露，他们的QLC闪存之所以能做到这一点，一方面来自独特的Xtacking晶栈架构，另一方面也是工艺和技术日渐成熟的结果。当然，不是所有的QLC都能达到这么高的水平，一要看具体品质和良品率，而要看用在什么领域，比如企业级SSD上使用的肯定寿命更长一些。比如说去年9月份发布的致态Ti600，是长江存储首款采用QLC闪存的SSD产品，面向消费级市场，其性能可媲美高端的PCIe 4.0 SSD。它的具体P/E次数没有公开。考虑到这类产品的写入放大一般在3-5倍，再加上固件算法设置等因素，倒推致态Ti600 SSD的P/E大概在2000次左右，是普通QLC的两倍左右，相当可靠了。同时，致态Ti600 1TB版本的最大写入量多达400TBW，按照五年保质期计算，平均每天可以写入219GB，完全能够满足消费级用户的使用。值得一提的是，在OEM领域，长江存储的下一代PC41Q SSD也将引入QLC，可用于笔记本、台式机、一体机等设备。它支持PCIe 4.0 x4、NVMe 1.4，读写带宽5.5GB/s，动态功耗低于4W，PS4待机功耗低于2mW。可靠性和数据保持能力方面也足以媲美TLC闪存，比如说平均故障间隔时间达200万小时，可以在30℃环境下稳定保存数据1年之久。可以说，QLC闪存已经到了真正可以普及的新阶段，尤其是长江存储的QLC，完全可以让普通消费者乃至企业级客户都放心长期使用，无论性能还是寿命都无需任何顾虑。 ... PC版： 手机版：

三星推出U.2接口的BM1743数据中心级固态硬盘 容量高达61.44TB但采用QLC颗粒

三星推出U.2接口的BM1743数据中心级固态硬盘 容量高达61.44TB但采用QLC颗粒 这款固态硬盘采用数据中心典型的 U.2 接口，协议支持 PCIe 4.0/5.0 x 4，采用三星第七代 V-NAND QLC 闪存颗粒，连续读取速度为 7,200MB / 秒、连续写入速度为 2,000MB / 秒。4K IOPS 性能方面，BM1743 随机读取为 1600K，随机写入为 110K，这个性能其实不算太高，不过对于读取密集型存储场景来说应该是够了。下图是 U.2 常规版，也就是采用 2.5 英寸的普通 SSD 尺寸：三星希望这款数据中心固态硬盘能够被边缘 AI 推理和内容交付所使用，目前在 AI 领域存储需求正在大幅度提升，对 AI 模型提供商来说除了强大的 GPU 外，也确实需要使用性能更好的固态硬盘提升数据快速读取响应时间。这款固态硬盘主要通过 U.2 接口提供兼容性，不过 PCIe 5.0 x 4 版也提供 E3.S 接口版，方便企业根据自己的需要在不同规格的服务器中进行部署。三星在新闻稿中完全没有提到这款固态硬盘的功耗，毕竟这种固态硬盘主要提供的是巨量存储和极高的性能 (相比机械硬盘来说)，因此功耗不是重点。对企业和数据中心提供商来说 BM1743 也确实有足够的吸引力，因为市场上竞争对手并不多，同样提供 61.44TB 的固态硬盘还有 Solidigm 的 D5-P5336 和西部数据的 WD SN655，这两款固态硬盘也采用 PCIe 接口。其他固态硬盘制造商例如铠侠、美光、SK 海力士等暂时还未推出 60TB + 的固态硬盘，所以暂时只有三星、Solidigm 和 WD 共享这块市场。 ... PC版： 手机版：