#本周热读 三星电子公布了制造最先进制程芯片的目标，首次详细说明了它在与台积电备受关注的技术竞赛中，其生产路线图将如何与后者相匹

#本周热读 三星电子公布了制造最先进制程芯片的目标，首次详细说明了它在与台积电备受关注的技术竞赛中，其生产路线图将如何与后者相匹敌。 咨询人士说：“大家都会喜欢在台积电之外有第二个供应商，但这取决于三星电子是否有能力跟上。”

【台积电首次公布2nm制程工艺，2025年量产】今天凌晨举行的台积电北美技术论坛上，台积电（TSMC）正式公布未来先进制程路线图

【台积电首次公布2nm制程工艺，2025年量产】今天凌晨举行的台积电北美技术论坛上，台积电（TSMC）正式公布未来先进制程路线图。其中，台积电3nm（N3）工艺将于2022年内量产，而台积电首度推出采用纳米片晶体管（GAAFET）架构的2nm（N2）制程工艺，将于2025年量产。 #抽屉IT

【造芯江湖没有永远的老大：台积电、三星、英特尔再起先进制程之战】先进制程研发进度上，台积电、三星双方都宣称会在今年实现3nm的量

【造芯江湖没有永远的老大：台积电、三星、英特尔再起先进制程之战】先进制程研发进度上，台积电、三星双方都宣称会在今年实现3nm的量产；英特尔的Intel 4工艺将在今年下半年就绪，还计划在2024年下半年完成18A工艺。 #抽屉IT

三星电子公布半导体技术路线图

三星电子公布半导体技术路线图 三星电子12日在美国硅谷举行“2024年三星代工论坛”，公布半导体技术战略。2027年将引入尖端晶圆代工技术，推出两种新工艺节点，加强跨越人工智能芯片研发、代工生产、组装全流程的人工智能芯片生产“一站式”服务。三星电子正通过封装晶圆代工非内存半导体和高带宽内存 (HBM) 的集成人工智能解决方案致力于研制高性能、低能耗的人工智能芯片产品。据此，与现有工艺相比，从研发到生产的耗时可缩减约20%。 （摘抄部分）

传 ASML 遭砍单，台积电砍逾四成订单

传 ASML 遭砍单，台积电砍逾四成订单 英特尔、三星电子与台积电疯狂争抢 EUV 设备的热度已降温，大客户 台积电 甚至传出大砍逾4成 EUV 设备机台数量或延后拉货。制程技术与客户规模远不及台积电的 三星电子、英特尔，为缩小先进制程烧钱黑洞预估也将跟进，此也让ASML对于2024年展望转趋保守，全年业绩将明显承压。 ====糊==== 如果不制裁的话这产能该由谁来消耗呢

传台积电A16 1.6nm制程不会采用High-NA EUV光刻机

传台积电A16 1.6nm制程不会采用High-NA EUV光刻机 访问：NordVPN 立减 75% + 外加 3 个月时长 另有NordPass密码管理器 据台湾业界消息，台积电并没有为A16制程准备High-NA（高数值孔径）EUV光刻机，而是准备采用现有EUV光刻机生产。相比之下，英特尔、三星都将在这一节点使用最新的High-NA EUV光刻机。关于背面供电技术，英特尔原本计划在20A（2nm）制程导入，称其为“Power Via”，但后来决定推迟至14A制程采用。三星同样开发了类似的背面供电技术BSPDN，根据早些时候消息，三星代工部门首席技术官Jung Ki-tae曾宣布将于2027年将背面供电技术用于1.4nm制程。目前英特尔已经收到了ASML首台High-NA EUV光刻机，并完成组装。业界认为，台积电选择在这时推出A16制程，给英特尔与三星带来了竞争压力。虽然英特尔在High-NA EUV设备上抢先一步，但能否赶上台积电的商业化进度还有待观察。台积电决定在A16制程沿用常规EUV光刻机，也展现了其技术实力，可以在不采用最新设备的情况下，将现有EUV设备的分辨率推进到1.3nm以下。事实上，去年台积电就成功通过调整光刻胶材料、光掩模制程等方式，在提升先进制程的临界尺寸与图形精度的同时，还降低了缺陷密度。台湾分析师表示，台积电、英特尔、三星之间的竞争将进一步刺激对EUV光刻机的需求，尤其是独家供应商ASML。考虑到High-NA EUV设备产能有限，如何在三大晶圆代工巨头之间分配，势必成为一大挑战。 ... PC版： 手机版：