【三星发布先进芯片工艺路线图：新版2纳米制程2027年量产，研发生产时间缩短20%】

【三星发布先进芯片工艺路线图：新版2纳米制程2027年量产，研发生产时间缩短20%】 三星电子在“2024年三星代工论坛”上，发布未来多项芯片技术的进展，并表示其代工业务计划为客户提供一站式服务，整合其全球排名第一的存储芯片、代工和芯片封装服务，以更快地生产人工智能芯片，以利用人工智能热潮。三星表示，客户只需一个沟通渠道，就能同时调度三星的存储芯片、晶圆制造和封装团队，与现有工艺相比，从研发到生产的耗时有望缩短20%。

三星放缓汽车半导体项目开发 未来将以人工智能芯片为战略核心

三星放缓汽车半导体项目开发 未来将以人工智能芯片为战略核心 据外媒报道，近期三星调整了半导体领域的开发计划，将以人工智能芯片为战略核心，同时放缓汽车半导体项目的开发速度，这将对三星未来的芯片战略产生重大影响。三星正在进行业务和组织结构调整，对开发中的下一代Exynos Auto系列车用处理器（代号KITT3）重新做评估。原有开发团队里的部分工程师已被重新分配到人工智能SoC团队，这是现阶段三星芯片开发的重点，集中了100到150名专业的芯片设计人员。三星在2018年推出了“Exynos Auto”品牌，开始进军高性能汽车半导体市场。去年三星推出了Exynos Auto V920芯片，这是其面向新型车载信息娱乐（IVI）系统推出的第三代汽车芯片，并与现代汽车展开合作，将芯片搭载到后者2025年的新车型里。除了各种车用芯片外，三星还针对汽车半导体市场推出了针对性的存储解决方案和半导体工艺。有三星内部人士透露，将重点转向人工智能芯片开发是明确的，但目前还没有确定组织结构调整的具体内容。 ... PC版： 手机版：

三星电子将为日本 Preferred Networks 生产人工智能芯片

三星电子将为日本 Preferred Networks 生产人工智能芯片 三星电子赢得日本 Preferred Networks, Inc. 的订单，生产采用 2 纳米工艺和先进芯片封装的人工智能芯片。

三星CXL全球首创 3D DRAM路线图公布

三星CXL全球首创 3D DRAM路线图公布 该扩展卡混合了高速DRAM和NAND闪存，旨在提供一种经济高效的方式来提高服务器的内存容量，而无需使用本地安装的DDR5内存，而这在超额认购的服务器中通常是不可行的。三星的解决方案在Compute Express Link (CXL)上运行，这是一种开放式行业标准，可在 CPU 和加速器之间提供缓存一致性互连，从而允许 CPU 使用与利用 CXL 的连接设备相同的内存区域。远程存储器（或者在本例中为混合 RAM/闪存设备）可通过 PCIe 总线访问，但代价是大约 170-250 纳秒的延迟，或者大约是 NUMA 跳的成本。CXL 于 2019 年推出，目前处于第三个版本，支持 PCIe 6.0。CXL 规范支持三种类型的设备：Type 1 设备是缺乏本地内存的加速器，Type 2 设备是具有自己内存的加速器（例如具有 DDR 或 HBM 的 GPU、FPGA 和 ASIC），Type 3 设备由内存设备组成。三星设备属于 Type 3 类别。CMM-H TM 是三星CMM-H CXL 内存解决方案的一个分支。三星表示，它是世界上第一个基于FPGA的分层 CXL 内存解决方案，旨在“应对内存管理挑战，减少停机时间，优化分层内存的调度，并最大限度地提高性能，同时显着降低总拥有成本。”这种新的 CMM-H 速度不如 DRAM；然而，它通过闪存增加了强大的容量，但通过扩展卡内置的巧妙的内存缓存功能隐藏了大量延迟。热数据被转移到卡的 DRAM 芯片中以提高速度，而较少使用的数据则存储在 NAND 存储中。三星表示，这种行为会自动发生，但某些应用程序和工作负载可以通过 API 向设备发出提高性能的提示。当然，这会增加缓存数据的一些延迟，这并不适合所有用例，特别是那些依赖严格 99% 性能的用例。三星的新型扩展卡将为客户提供扩展服务器内存容量的新方法。随着更先进的大型语言模型继续要求其主机和加速器提供更多内存，这种新的设计范例变得越来越重要。三星公布3D DRAM规划全球最大的存储芯片制造商三星电子公司计划于2025年推出人工智能行业游戏规则改变者三维(3D) DRAM，目前以规模较小的竞争对手SK海力士公司主导的全球人工智能半导体市场。3D为主导的DRAM芯片通过垂直互连单元而不是像目前那样水平放置它们，能将单位面积的容量增加了三倍。相比之下，高带宽内存（HBM）垂直互连多个DRAM芯片。据首尔的半导体行业消息知情人士周二透露，三星上个月在加利福尼亚州圣何塞举行的全球芯片制造商聚会Memcon 2024上公布了其3D DRAM开发路线图。这家总部位于韩国水原的巨头计划于2025年推出基于垂直沟道晶体管技术的早期版本3D DRAM，该技术在构成单元的晶体管中该垂直设置沟道（电子流动的通道），并用充当开关的门。公司还计划在2030年推出一个式DRAM，将包括在内部的所有单元都在一起。目前 DRAM 在主板上包含多达 620 亿个单元，晶体管在平面上密集集成，这使得不可能避免漏电流和干扰。由于 3D DRAM 中的晶体管由于可以在同一上放置更多单元，因此3D DRAM预计将增加单位芯片内的容量。3D DRAM的基本容量为100 GB，几乎是当前可用DRAM最大容量36 GB的三倍。有消息称，到2030年，全球3D DRAM市场可能会增长到1000亿美元，但由于市场仍处于起步阶段AI半导体市场的领导者该技术有望帮助三星审视全球AI半导体行业的王座，击败目前在AI芯片领域主导地位的SK海力士，他们在AI应用的HBM、DRAM全球市场中占有90%的份额”业内人士表示。尽管三星的竞争对手（包括SK海力士和美光科技公司）一直在研究该技术，但尚未公布任何3D DRAM的路线图。SK海力士在各个行业会议上介绍了其3D DRAM的概念。美光于2019年开始开发3D DRAM，拥有约30项该技术专利，是三大芯片制造商中最多的。十多年来，随着智能手机等配备DRAM的电子设备变得更小、功能更多，全球DRAM行业一直在开发具有更大数据处理能力的更小芯片。人工智能的快速发展需要快速大规模处理数据，这一趋势正在加剧。3DDRAM预计将满足此类芯片的需求，因为它比现有的DRAM更小，容量更大。短期内，新型半导体可能用于智能手机和笔记本电脑等小型信息技术设备，这些设备需要高性能 DRAM 来实现设备上的 AI 功能。汽车行业预计将长期使用 3D DRAM，因为电动汽车和自动驾驶汽车需要能够实时处理从道路收集的 DRAM 的大数据。三星正在开发主导3D DRAM领域的技术，以期到2027年至2028年将其关键尺寸缩小到8-9纳米(nm)。最新的DRAM预计为12 nm左右。该公司还积极扩大3D DRAM研发人员队伍它在其半导体研究中心针对该技术成立了下一代工艺开发团队。 ... PC版： 手机版：

【报道：三星电子改组新设HBM芯片研发团队】

【报道：三星电子改组新设HBM芯片研发团队】 据韩联社，在全球人工智能市场的规模持续扩张的背景下，三星电子进行大规模改组，组建一个专注于高带宽存储器（HBM）的研发团队，力争在半导体市场确保“超级差距”。

三星放缓汽车半导体开发 专注于人工智能芯片

三星放缓汽车半导体开发 专注于人工智能芯片 三星负责芯片设计的系统 LSI 部门正在进行业务和组织重组，将优先发展 AI 芯片。此次从事汽车处理器 “Exynos Auto”（代号 KITT3）开发的的人员已在该部门内重新分配到 AI 系统级芯片（SoC）团队，该团队现在是三星设计工作的重点。目前，该部门集中了 100-150 名专门设计人员，致力于 AI 芯片设计。 (科创板日报)