#本周热读 据知情人士所述和公开的公司记录，被指控泄露敏感技术用于在中国建立芯片厂的专家，曾在三星电子获得过几个内部奖项，还曾帮

#本周热读 据知情人士所述和公开的公司记录，被指控泄露敏感技术用于在中国建立芯片厂的专家，曾在三星电子获得过几个内部奖项，还曾帮助SK海力士的前身扭转局面，并获得过韩国政府颁发的行业杰出奖，之后转向了助推中国半导体行业的角色。

晶片出现在华为手机 SK海力士：已展开调查

晶片出现在华为手机 SK海力士：已展开调查 针对中国通讯巨头华为最新旗舰手机使用了韩国半导体厂商SK海力士的晶片，SK海力士澄清，目前公司已没有与华为进行业务往来，并表示已对此展开调查。 彭博社委讬TechInsights对华为最新旗舰手机Mate 60 Pro拆解的调查显示，该手机的组件使用了SK海力士的LPDDR5记忆体和NAND闪存晶片，其中绝大多数组件是在中国制造，而SK海力士是华为唯一的国际供应商。 对此，SK海力士星期四（9月7日）在给彭博社的一份声明中说，“自美国对华为实施限制以来，该公司已不再与华为有业务往来。针对这个问题，我们已开始调查以了解更多细节。SK海力士严格遵守美国政府的出口限制。” 报道称，SK海力士绝大部分半导体都是在中国的工厂制造，因此一种可能性是，在美国2020年对华为实施全面贸易限制前，华为就已存储了部分零部件库存。

韩国SK海力士改造中国无锡芯片厂计划因美国反对而遇险

韩国SK海力士改造中国无锡芯片厂计划因美国反对而遇险 三位知情人士表示，SK 海力士 的生产计划要求公司以荷兰艾司摩尔(ASML)的最新极紫外光(EUV)微影技术的芯片制造机为无锡厂的一个量产设施进行升级。 无锡这家工厂对全球电子行业至关重要，因其生产SK海力士约半数的动态随机存取记忆体芯片，占全球总量的15%。 一位了解SK海力士在中国运营情况的消息人士说，随着两到三年后新型芯片在SK海力士的生产中占据更大份额，该公司将需要EUV光刻机来控制其成本并加速生产。 美国官员不希望该过程中使用的先进设备进入中国。 （）

SK 海力士计划斥资40亿美元在美国建首家芯片工厂

SK 海力士计划斥资40亿美元在美国建首家芯片工厂 SK 海力士公司计划斥资38.7亿美元在印第安纳州建造一座先进的封装厂和人工智能产品研究中心。这标志着拜登政府在寻求增加美国本土半导体产量方面的胜利。这家全球第二大的内存芯片制造商表示，将在美国西拉斐特市建设首个工厂，并计划于2028年下半年开始量产。该工厂将重点建设下一代高带宽存储芯片生产线，这些芯片是训练人工智能系统图形处理器的关键组件。在美国当地建厂的决定是在 SK 海力士宣布投资美国的计划约两年后作出的。当时，SK 集团董事长崔泰源表示，该企业将拨出大约150亿美元，在美国建设芯片设施和加强研究项目。这家韩国公司表示，周三的公告是这一总体承诺的一部分。SK 海力士还申请了《芯片与科学法案》的拨款，该法案旨在促进半导体制造业回归美国。

SK海力士2025年HBM产品基本售罄

SK海力士2025年HBM产品基本售罄 SK 海力士公司计划在今年第三季度开始量产其下一代内存芯片，以期利用对人工智能发展至关重要的半导体需求激增的机会。这家韩国公司在一份声明中表示，其 2025 年高带宽存储器 (HBM) 产能几乎已被全部预订。海力士上个月表示，计划斥资约 146 亿美元在韩国构建新的存储芯片产能。

丢掉AI芯片大单三星计划改用对手SK海力士的技术

丢掉AI芯片大单三星计划改用对手SK海力士的技术 分析人士普遍认为，三星之所以丢掉大单，很大程度上源于其坚持采用非导电薄膜（NCF）芯片工艺；而SK海力士使用的批量回流模制底部填充（MR-MUF）工艺，则有效解决了NCF技术的弊端。分析师认为，三星HBM3芯片的良率表现并不理想，仅维持在10-20%的水平；相比之下，其竞争对手SK海力士的HBM3良率高达60-70%。无奈之下，三星也开始计划采用SK海力士使用的MR-MUF工艺，而非此前坚持的NCF技术。知情人士称，三星最近已发出了处理MR-MUF技术的设备采购订单，还在与包括日本长濑公司在内的材料制造商洽谈采购MUF材料的事宜。但尽管如此，由于需要进行更多的测试和优化，三星使用这一技术的芯片最早要到明年才能实现量产。 ... PC版： 手机版：