美放宽对三星、SK海力士在华工厂的芯片设备出口管制

美放宽对三星、SK海力士在华工厂的芯片设备出口管制 美国允许韩国三星电子和SK海力士在中国的工厂进口美国半导体设备。这些韩国芯片制造商在进口过程中，也无需经过单独的审批程序。 根据韩联社，韩国总统办公室经济首席秘书崔相穆星期一（10月9日）在记者会上宣布上述消息。 报道称，美国政府近期通过出口管制部门和国家安全委员会（NSC）经济安全对话渠道向韩方通报，决定将三星电子和SK海力士在华半导体工厂指定为“经验证最终用户”（VEU）。若被纳入该清单，便无需额外获得许可，相当于美国对其出口管制无限期暂停。 来源：

韩国总统府：“美国同意三星、SK 海力士在未经单独许可的情况下向中国工厂供应半导体设备”

韩国总统府：“美国同意三星、SK 海力士在未经单独许可的情况下向中国工厂供应半导体设备” 韩国总统府 9 日宣布，美国政府已做出最终决定，在未经批准的情况下，向三星电子和 SK 海力士的中国工厂提供美国制造的半导体设备，将不需要单独许可程序或豁免期限。 美国政府最近通过美国国家安全委员会(NSC)通知韩国，他们打算将三星电子和 SK 海力士在中国的半导体工厂指定为“已验证最终用户”(VEU)。 VEU 是一种允许出口仅限于预先批准企业的特定物品的综合许可方式。被纳入在 VEU 中实际上意味着美国的出口控制实际上将无限期推迟，因为无需单独的逐案发放许可证。

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额 在去年内存半导体低迷之后，三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对 DRAM 的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM 和 DDR5 的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和 SK 海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向 10nm 第四代 (1a) 和第五代 (1b) 节点的过渡，以生产 HBM、DDR5 和 LPDDR5 等高价值产品。但另一方面，由于 NAND Flash 存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。