中央社央视:美国同意三星SK海力士提供在中国工厂设备 ||

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美放宽对三星、SK海力士在华工厂的芯片设备出口管制

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传 SK 海力士 HBM 团队来自三星,海力士声明否认

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美放宽对三星、SK海力士在华工厂的芯片设备出口管制

美放宽对三星、SK海力士在华工厂的芯片设备出口管制 美国允许韩国三星电子和SK海力士在中国的工厂进口美国半导体设备。这些韩国芯片制造商在进口过程中,也无需经过单独的审批程序。 根据韩联社,韩国总统办公室经济首席秘书崔相穆星期一(10月9日)在记者会上宣布上述消息。 报道称,美国政府近期通过出口管制部门和国家安全委员会(NSC)经济安全对话渠道向韩方通报,决定将三星电子和SK海力士在华半导体工厂指定为“经验证最终用户”(VEU)。若被纳入该清单,便无需额外获得许可,相当于美国对其出口管制无限期暂停。 来源:

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韩国总统府:“美国同意三星、SK 海力士在未经单独许可的情况下向中国工厂供应半导体设备”

韩国总统府:“美国同意三星、SK 海力士在未经单独许可的情况下向中国工厂供应半导体设备” 韩国总统府 9 日宣布,美国政府已做出最终决定,在未经批准的情况下,向三星电子和 SK 海力士的中国工厂提供美国制造的半导体设备,将不需要单独许可程序或豁免期限。 美国政府最近通过美国国家安全委员会(NSC)通知韩国,他们打算将三星电子和 SK 海力士在中国的半导体工厂指定为“已验证最终用户”(VEU)。 VEU 是一种允许出口仅限于预先批准企业的特定物品的综合许可方式。被纳入在 VEU 中实际上意味着美国的出口控制实际上将无限期推迟,因为无需单独的逐案发放许可证。

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消息称三星和SK海力士对美国数据索求有保留:不提供敏感信息

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丢掉AI芯片大单三星计划改用对手SK海力士的技术

丢掉AI芯片大单三星计划改用对手SK海力士的技术 分析人士普遍认为,三星之所以丢掉大单,很大程度上源于其坚持采用非导电薄膜(NCF)芯片工艺;而SK海力士使用的批量回流模制底部填充(MR-MUF)工艺,则有效解决了NCF技术的弊端。分析师认为,三星HBM3芯片的良率表现并不理想,仅维持在10-20%的水平;相比之下,其竞争对手SK海力士的HBM3良率高达60-70%。无奈之下,三星也开始计划采用SK海力士使用的MR-MUF工艺,而非此前坚持的NCF技术。知情人士称,三星最近已发出了处理MR-MUF技术的设备采购订单,还在与包括日本长濑公司在内的材料制造商洽谈采购MUF材料的事宜。但尽管如此,由于需要进行更多的测试和优化,三星使用这一技术的芯片最早要到明年才能实现量产。 ... PC版: 手机版:

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