荷兰以国家安全为由将对芯片出口实施新限制

荷兰以国家安全为由将对芯片出口实施新限制 ASML回应荷兰半导体出口管制新规：并不适用于所有浸润式光刻设备 3月9日上午，荷兰光刻机巨头阿斯麦（ASML）发布声明表示，ASML预计必须申请许可证方可出口DUV设备。同时公司还表示“新的出口管制措施并不针对所有浸润式光刻系统，先进程度相对较低的浸润式光刻系统已能很好满足成熟制程为主的客户的需求。” 荷兰政府在3月8日表示，计划对半导体技术出口实施新的管制。据悉，决定是由荷兰贸易部长Liesje Schreinemacher在致荷兰议会的一封信中宣布的。信中称，这些管制措施将在今天夏天之前开始实施 信中还指出“荷兰认为有必要以最快的速度对这项技术进行监管，因此荷兰政府将会尽快出台一份国家管控清单”。 尽管信中并没有指名道姓地点出ASML和其合作伙伴，但是ASML在最新的声明中指出，这些新的出口管制措施侧重于先进的芯片制造技术，包括最先进的沉积设备和浸润式光刻系统。 标签: #ASML #芯片 #出口管制 频道: @GodlyNews1 投稿: @GodlyNewsBot

华为与中芯国际据报去年利用美国技术生产七纳米芯片

华为与中芯国际据报去年利用美国技术生产七纳米芯片 要求匿名的知情人士说，中国通讯设备巨头华为和芯片制造商中芯国际，去年依靠美国技术在中国生产了一款先进的七纳米芯片。 彭博社星期五（3月8日）引述知情人士报道，总部位于上海的中芯国际去年利用美国应用材料公司（Applied Materials）和半导体生产设备制造商泛林集团（Lam Research）的设备为华为生产了一款先进的七纳米芯片。 知情人士说，中芯国际是在2022年10月美国对先进半导体设备实施禁令前，取得这些设备。 美国近年来与日本、荷兰等半导体生产大国合作对中国实施科技围堵，以期达到遏制其科技进步并获得军事优势的目的。 不过，华为去年8月仍出人意料地推出具有5G功能和尖端处理器的新款智能手机。彭博社委托半导体行业观察机构Tech Insights拆解这款手机后发现，这款芯片由中芯国际生产，且采用了七纳米芯片技术，表明其制造能力远远超出美国试图阻止中国达到的技术水平。 美国去年11月发布的报告认为，尽管面临大范围的限制，中国依然能绕过限制取得先进的半导体制造设备。彭博社去年10月报道，华为新款智能手机的先进处理器，是由中芯国际使用荷兰半导体设备巨头阿斯麦设备生产。 但美国商务部官员认为，他们还没有看到证据表明中芯国际能大规模生产七纳米芯片。阿斯麦首席执行官温彼得（Peter Wennink）也认同这一说法。 温彼得1月底接受彭博社采访时说，如果中芯国际想要在没有阿斯麦最先进极紫外光刻系统的情况下推进技术，他们将面临技术挑战而无法生产具有商业意义的芯片。 2024年3月8日 11:18 AM

韩国研究团队开发出一种亚纳米晶体管的生长方法

韩国研究团队开发出一种亚纳米晶体管的生长方法 半导体器件的尺寸取决于栅电极的宽度和效率。由于光刻技术的限制，目前的制造工艺无法将栅极长度控制在几纳米以下。为了解决这个问题，研究小组使用二硫化钼的镜像孪生边界（MTB）作为栅极电极，这种1D金属的宽度只有0.4纳米。IBS 团队通过在原子水平上改变二维半导体的晶体结构，实现了一维 MTB 金属相。国际器件与系统路线图（IRDS）预测，到2037年，半导体技术将达到约0.5纳米，晶体管栅极长度将达到12纳米。研究团队的晶体管显示，其沟道宽度小至 3.9 纳米，超过了这一预测。基于 1D MTB 的晶体管在电路性能方面也具有优势。与当前一些在高度集成电路中面临寄生电容问题的技术（FinFET 或 GAA）不同，这种新型晶体管由于结构简单、栅极宽度小，可以最大限度地减少此类问题。 ... PC版： 手机版：

美国希望盟国收紧对华芯片技术出口限制

美国希望盟国收紧对华芯片技术出口限制 美国正敦促欧洲和亚洲的盟友国家收紧芯片相关技术和工具的对华出口限制，目前对于华为开发先进半导体的担忧日益加剧。据5名知情人士透露，华盛顿方面希望日本、韩国和荷兰更积极地实施现有的出口管制，包括要阻止来自他们国家的工程师在中国的先进半导体晶圆厂为芯片制造工具提供服务。华盛顿还希望各盟国采取措施让中国更难绕过美国的限制。他们尤其希望各盟国能让第三国的公司更难向中国供应包含在日本、韩国或荷兰研发生产的技术的产品。一位知情人士表示，美国并未要求各盟国建立像“外国直接产品规则”那样的新机制，只希望他们利用现有的出口管制机制来解决这个问题。 （）

AMD与三星将联手开发先进的3纳米芯片

AMD与三星将联手开发先进的3纳米芯片 相比之下，三星为客户提供了使用更新的全周栅极（GAAFET）晶体管的能力，这种晶体管可以让芯片设计人员改善产品内部的电力流动，但也有一些缺点。据《韩国经济日报》报道，三星和 AMD 预计将深化合作，利用 3 纳米工艺技术生产下一代芯片。目前，由于只有苹果公司的 Mac 系列使用台湾台积电生产的芯片，因此大多数个人电脑都无法使用这种技术生产的芯片。三星的 3 纳米与台积电的 3 纳米不同，因为它使用的是栅极环绕（GAAFET）晶体管。GAAFET 是一种升级版晶体管设计，优于 FinFET，它允许设计人员改进电流量，因为改进后晶体管的沟道可以完全被栅极环绕。GAAFET 晶体管使用纳米线或纳米片导电。这些都需要对导线或薄片进行权衡。虽然导线提高了效率，但其较小的面积限制了它们在某些产品（如应用处理器）中的应用。另一方面，纳米片允许更多电流流过，但传导效率却有所降低。三星代工厂的图表显示了晶体管从 FinFET 到 GAAFET 再到 MBCFET 的演变过程。 图片：三星电子报道援引 AMD 首席执行官苏姿丰（Lisa Su）最近在比利时举行的一次会议上分享的 GAAFET 晶体管优于 FinFET 晶体管的观点，证明两家公司有意深化合作关系。据《韩国经济日报》报道，苏姿丰介绍了她的公司采用全方位栅极技术批量生产 AMD 下一代产品的计划。由于三星是世界上唯一一家生产 3 纳米 GAAFET 产品的公司，分析家们认为，苏的评论是这家韩国公司生产 AMD 新芯片的线索，他还认为 3 纳米 GAAFET 在性能和效率方面都优于以前的技术。合同半导体制造行业目前的态势是三星和英特尔与台积电对峙。台积电在市场上占据主导地位，而它的两个大型竞争对手正忙于采用新技术，以确保在实力雄厚的竞争对手面前取得优势。英特尔正在研究名为高 NA EUV 的先进芯片制造设备，看能否降低制造成本和复杂性。另一方面，三星不仅比台积电更早开始生产 3 纳米产品，还在其产品路线图中更早引入先进的 GAAFET 晶体管，试图从台湾公司手中夺走 3 纳米产品的市场份额。另一方面，台积电多年来一直强调可以使用传统的 EUV 机器制造芯片，并宣布将在其 2 纳米工艺中改用纳米片晶体管。栅极周围晶体管也是更小特征尺寸的结果，因为这些晶体管越小，制造商在制造 FinFET 时就越困难。 ... PC版： 手机版：

【重大技术突破，芯片生产关键性原材料单晶纳米铜实现国内量产】单晶纳米铜，成品直径为13微米，约为头发丝十分之一细，是集成电路半导

【重大技术突破，芯片生产关键性原材料单晶纳米铜实现国内量产】单晶纳米铜，成品直径为13微米，约为头发丝十分之一细，是集成电路半导体封装的关键材料。以往我国的半导体关键材料大部分来自进口，且原材料是贵金属金或者银，价格昂贵，成为制约我国芯片生产的“卡脖子”难题之一。 #抽屉IT