台媒：华为芯片突破为阿斯麦暗中助攻

台媒：华为芯片突破为阿斯麦暗中助攻 台湾媒体报道，华为9月发布新旗舰机取得芯片突破，帮助达成此举的是荷兰半导体设备制造商阿斯麦（ASML）。 据台湾《联合报》星期一（10月16日）报道，华为9月发布Mate 60 Pro，搭载了中芯国际制造的七纳米制程芯片。据该报掌握的可靠消息，帮助华为和中芯达成此举的应是阿斯麦。 报道称，在美国的科技封锁下，中国持续突破美国管制漏洞，近两年大量购入用于浸没式深紫外光刻机（DUV），其中八成以上的是可进行重复曝光的浸润式光刻机。 虽然阿斯麦未透露实际买主，如果这些机台最终全流到华为手中，估计数量高达120台，机台数量已经超越全球晶圆代工龙头台积电，展现华为掌控自制芯片的决心。 报道推算，以专业机构预估中芯大约50%的良率计算，估计华为每月可产出5万至6万片7纳米芯片，对华为重返手机市场，自行掌控自制芯片来源，将重新扮演关键影响。 荷兰政府颁布的半导体设备出口管制新规今年9月正式生效，但阿斯麦称，该公司已获得在今年底以前向中国运送受限制芯片制造机器的许可。 据彭博社和路透社报道，阿斯麦发言人说，在2023年的剩余时间里，阿斯麦将能继续向中国出口其NXT:2000i和更先进的浸没式深紫外光刻机型号产品，以便公司能够履行与中国客户的合同义务。 不过阿斯麦发言人也表示，公司的中国客户知道，阿斯麦从明年起不太可能获得这些系统的出口许可证。

人民日报说，华为推出新款手机，证明美国的制裁是“搬起石头砸自己的脚”。原来美国的脚还没被砸烂。已知华为新款手机用的芯片是中芯用D

人民日报说，华为推出新款手机，证明美国的制裁是“搬起石头砸自己的脚”。原来美国的脚还没被砸烂。已知华为新款手机用的芯片是中芯用DUV光刻机采用多重曝光的过时方式生产的7纳米芯片，良率只有15%，为了搞“争气机”跟美国叫板不惜成本。但明年起阿斯麦被限制向中国出口DUV光刻机，华为还能靠什么争气？

为何被阿斯麦、台积电反超？ 美媒揭秘美国芯片的“史诗级失误”

为何被阿斯麦、台积电反超？ 美媒揭秘美国芯片的“史诗级失误” 阿斯麦的High-NA EUV光刻机凤凰网科技讯 这是一个史诗级的战略失误。美国在半导体技术发展的早期发挥了至关重要的作用，这项技术已成为当今人工智能(AI)革命的基石。然而，现在的格局是，一家荷兰公司垄断了半导体制造设备，亚洲制造商主导了生产。极紫外光刻机(EUV)可以说是目前世界上最重要的电子设备。它的问世造就了后来的尖端芯片制造，实现了芯片处理能力的重大提升，为新一代AI工具铺平了道路。OpenAI旗下ChatGPT、GoogleGemini等AI平台执行的大量多层次计算，加快了通常由人类完成的大量任务。EUV技术的获取也成为了美国的国家经济安全问题。不过，麻烦的是，只有一家公司在生产EUV光刻机：荷兰的阿斯麦。每台EUV光刻机有一辆公共汽车那么大，造价超过2亿美元。迄今为止，阿斯麦已售出200多台EUV光刻机，这让它成为了欧洲最有价值的科技股，市值超过3500亿美元。英特尔市值已远远落后于台积电、英伟达那么，美国是如何拱手让出这一关键技术的控制权的呢？其中部分原因是，只有相对较少的芯片行业高管认为EUV可行。另一个原因是：美国当时的长期芯片霸主、全球最大芯片制造商英特尔的误判。美国的先发优势硅芯片由晶体管组成，后者本质上是一系列栅极和开关，构成了现代计算中0和1的物理表现。为了使计算机更强大，半导体工程师们一直在寻求把晶体管做得更小。上个世纪中叶发明的第一批晶体管大约有一厘米长。而现在，它们只有几纳米宽，或者说十亿分之几米。在芯片制造的最初几十年里，可见光被用来在硅上刻蚀图案来制造晶体管，这一过程被称为光刻。随后，行业才转向紫外光。20世纪80年代，科学家们开始想知道芯片制造如何才能达到接近原子的尺度水平，这要求他们保持创新的步伐。总部位于新泽西州的贝尔实验室的研究人员开始研究极紫外线技术，紧随其后的是美国能源部的三个国家实验室：劳伦斯利弗莫尔实验室、劳伦斯伯克利实验室和桑迪亚实验室。美国能源部最终为这项研究投入了数千万美元。英特尔随着这些实验室在一些技术要素上取得进展，他们意识到，要将极紫外线技术推向市场，行业支持是必不可少的。1997年，一家名为EUV LLC的公私合营公司成立，它得到了美国公司英特尔、AMD和摩托罗拉的支持。最终，它的规模进一步扩大，纳入了光刻公司硅谷集团和阿斯麦。阿斯麦也加入了欧洲的一个类似EUV研究联盟。当时，日本的尼康、佳能是光刻领域的巨头。日本似乎是美国主导芯片制造领域的最大威胁。因此，美国不愿在下一代技术竞赛中帮助日本，而是支持硅谷集团和阿斯麦。阿斯麦将全部精力都放在了EUV技术上，并在接下来几年里试图发挥其潜能。2001年，阿斯麦斥资11亿美元收购了硅谷集团 ，从而在EUV竞争中独当一面。当时，它预计EUV技术将在2006年具有商业可行性。技术挑战但是，事实证明，阿斯麦的预期过于乐观了。EUV技术非常复杂，其中涉及用高功率激光以每秒5万次的速度轰击锡滴，使其产生能够发射极紫外光的等离子体。由于极紫外光在地球上不会自然产生，它会被空气吸收，这个过程必须在真空中进行。然后，光被一系列镜子聚焦，反射在一个掩膜版(reticle)上。掩膜版上面刻有电路图案，能阻挡并吸收一些光。通过这种方式，电路图案被刻蚀在晶圆上。掩膜版的作用鉴于这些设备的操作精度，由德国蔡司公司制造的镜子必须要光滑得近乎不可思议：最大凸起只有一个原子那么高。阿斯麦表示，如果将镜子比做一个国家，那么最高的凸起将只有1毫米高。而且，用激光轰击熔锡也很棘手。它需要定期清理，这意味着有很多停机时间。这让人很难想象光刻机是如何做到经济实惠的：半导体制造工厂几乎需要每周7天、每天24小时不停地运转，才能证明数十亿美元的建造成本是合理的。直到2012年，半导体产业才开始认为这项技术可能是可行的。但是，它仍然需要注入大量资金。于是，阿斯麦求助其最大客户：台积电投资了14亿美元，三星电子投资了9.74亿美元，英特尔投资高达41亿美元。当时，这三家芯片制造商总共持有阿斯麦约四分之一的股票。误判的代价这一招奏效了。2018年，阿斯麦开始大量出货EUV光刻机。尽管EUV技术的大部分早期工作都是在美国完成的，而且英特尔是阿斯麦的最大业内支持者，但第一代机器没有一台是交付给英特尔的。这并不是阿斯麦有意为之，而是英特尔的选择。英特尔时任CEO科再奇(Brian Krzanich)当时并不相信这项技术能够达到在经济上可行的规模。他继续押宝已有技术，直到他所看到的EUV问题得到解决。当时，他也有理由感到自信：英特尔在尖端芯片制造工艺方面一直领先于同行。事实证明，这是一个误判。台积电使用EUV工艺的在2018年左右首次在技术上超过英特尔。台积电做的是所谓的代工业务：苹果、英伟达和AMD等客户设计自己的芯片，然后委托给台积电制造。英特尔制造工艺被台积电甩开与此同时，英特尔替代EUV的“多图案”芯片光刻技术无法可靠地工作。当英特尔将工艺微调到可以大规模生产时，台积电和三星已经在生产更先进的半导体了。技术上的落后对美国产生了更深层次的影响，因为台积电还向华为等中国公司供货。从2019年开始，EUV技术制造的芯片被搭载在华为智能手机上。这么一来，一项部分由美国资本资助、部分基础研究在美国实验室进行的技术，似乎可能会让它的对手受益。于是，美国开始施压荷兰政府，阻止阿斯麦向中国出售EUV光刻机。亡羊补牢现在，英特尔仍在为当初的误判而痛苦。帕特·基辛格(Pat Gelsinger)在2021年接任英特尔CEO，他在今年4月表示：“我们当初采取了很多措施来避免对EUV的需求，但正如你所看到的，这导致我们在功率、性能、面积和成本方面落后了。”股市表现也说明了这个错误的严重程度。早在2012年投资阿斯麦时，英特尔的市值是英伟达的15倍，几乎是台积电的两倍。现在，它的市值已无法和这两家公司相提并论：英特尔现在的市值为1640亿美元，而台积电的市值达到了6500亿美元，英伟达的市值更是冲到了2.2万亿美元。这在很大程度上是因为英特尔没有采用EUV技术。如今，基辛格正急于确保自己不会重蹈前任的覆辙。英特尔正在大力支持下一代EUV技术：高数值孔径(High NA)，这种技术使用新的光学系统将光线聚焦到一个更小的点。英特尔已经在俄勒冈州的一个工厂安装了第一个预生产模型。 ... PC版： 手机版：

【华为Mate60「国产芯片」背后：中芯国际代工，2年前就开始练手矿机芯片】中芯国际的N+2工艺基于DUV光刻机实现，绕开了美国

【华为Mate60「国产芯片」背后：中芯国际代工，2年前就开始练手矿机芯片】中芯国际的N+2工艺基于DUV光刻机实现，绕开了美国的EUV光刻机禁令。业内普遍认为，N+2工艺相当于7纳米LPP（高性能）工艺。Mate 60 Pro出货似乎也显示中芯国际N+2工艺走向成熟量产。其实2年前中芯国际便已开始为比特币矿机企业代工N+1的7nm芯片。 #抽屉IT

中国唯一在真正研发光刻机的机构上海微电子到现在只能生产90纳米光刻机。2020年宣布2021年交付28纳米光刻机，没下文了。现在

中国唯一在真正研发光刻机的机构上海微电子到现在只能生产90纳米光刻机。2020年宣布2021年交付28纳米光刻机，没下文了。现在又宣布今年年底交付。即使真能交付，和能量产、质量稳定也是两回事。国外2011年已量产28纳米芯片。但如果中芯因为华为被制裁，以后中国就要靠这款期望中的国产28纳米光刻机。但国外咨询机构早扒过，这款光刻机的中国供应商仍然要靠外国提供必需的配件，美国仍然随时可制裁。一个国家想搞完全国产的光刻机是痴心妄想。阿斯麦生产一台EUV光刻机要由24个国家的500多个供应商提供45万个配件。

华为笔记本电脑拆解显示使用了台积电芯片

华为笔记本电脑拆解显示使用了台积电芯片 中国电信通讯设备巨企华为技术有关公司最新笔记本电脑经拆解后，发现所使用的芯片由台积电制造，粉碎了有关中国再取得技术突破的传言。 彭博社星期五（1月5日）引述半导体行业观察机构TechInsights拆解华为擎云L540笔记本电脑报告报道，内含一枚台积电在2020年生产的五纳米芯片，当时适逢美国实施制裁切断华为与台积电的联系。这一发现反驳了有关华为国内芯片制造伙伴中芯国际或已实现了制造技术重大飞跃的猜测。 去年8月，华为低调发布最新旗舰手机Mate 60 Pro，掀起一阵旋风。彭博社引述专业机构TechInsights拆解报告报道，这款手机使用了总部位于上海的中芯国际制造的国产七纳米芯片。这款新型麒麟9000s芯片，采用中芯国际司最先进的七纳米芯片技术，仅落后美国极力阻止华为获得的尖端技术几年。这引起中国科技界热烈欢腾，也令美国质疑所实施的制裁措施是否收效。 在最新的华为设备拆解中，TechInsights发现了华为采用台积电五纳米制程制造的麒麟9006C处理器，在2020年第三季度左右封装。业内专家此前猜测中芯国际通过开发变通办法实现了此里程碑，如果属实，即华为在数月时间里取得的第二次技术胜利。 华为和台积电的代表接受彭博社询问时，均未立即予以置评。 2024年1月5日 1:24 PM