【中芯国际去年已量产7nm工艺？】中芯国际在2021年7月为MinerVa生产MV7的矿机芯片，应该是利用其原有的量产“N＋1”

【中芯国际去年已量产7nm工艺？】中芯国际在2021年7月为MinerVa生产MV7的矿机芯片，应该是利用其原有的量产“N＋1”的产线。而且，中芯国际原有的14nm制程产线如果经过一些改造应该也可以用来生产“N＋1”或“N+2”工艺。 #抽屉IT

芯片拆解显示：中芯国际正在悄悄出货 7nm 芯片

芯片拆解显示：中芯国际正在悄悄出货 7nm 芯片 中芯国际是中国最大的晶圆厂，在工艺技术方面已经慢慢赶上了台积电、三星和各种西方晶圆厂。他们正迅速接近世界第三大晶圆厂的地位，并且比目前排名第三的GlobalFoundries有更高的利润率。中芯国际通过国家的大量补贴、挖走台积电的人才和巨大的本土技术实现了这一点。他们的芯片大量运往从智能手机到世界上最快的超级计算机的各种使用场合。该代工厂现在已经悄悄发布并开始大规模生产他们的7纳米工艺节点，称为N+2。 我们说悄悄地，因为这不是直接来自中芯国际，而是反向工程和拆解公司TechInsights，他们在公开市场上购买了该芯片并将其送到他们的实验室。中芯国际很可能没有在收益报告中公开讨论这个问题，因为他们害怕受到打击。要充分说明的是，中国的中芯国际在公开市场上运送商业化的芯片的代工工艺，比任何美国或欧洲公司都要先进。虽然美国对英特尔成为救世主寄予厚望，但目前还没有英特尔7级代工芯片可供商业化购买，他们仍需建立自己的代工业务。最先进的美国或欧洲代工生产的芯片是基于GlobalFoundries 12纳米。

DUV光刻机从7nm再冲5nm？浸润光刻之父：行！但成本极高

DUV光刻机从7nm再冲5nm？浸润光刻之父：行！但成本极高 不过，林本坚表示，依靠现有的DUV光刻机（浸润式）制造出5nm晶片依然是可行的，但是至少需要进行4重曝光。不幸的是，这种工艺的缺点是不仅耗时，而且价格昂贵，还会影响整体良率。

台积电的光刻机安装了远程自毁功能

台积电的光刻机安装了远程自毁功能 世界最大的先进芯片代工厂台积电为其最先进光刻机来自荷兰 ASML 公司的极紫外光刻机安装了远程自毁功能，以防万一紧急情况下使用。据彭博社报道，此举是为了缓解美国的担忧。来源 ， 频道：@kejiqu 群组：@kejiquchat

ASML正研发超级NA光刻机 2036年冲击0.2nm工艺

ASML正研发超级NA光刻机 2036年冲击0.2nm工艺 ASML第一代Low NA EUV光刻机只有0.33 NA(孔径数值)，临界尺寸(CD)为13.5nm，最小金属间距为26nm，单次曝光下的内连接间距约为25-30nm，适合制造4/5nm工艺。使用双重曝光，可将内连接间距缩小到21-24nm，就能制造3nm工艺了，比如台积电N3B。第二代EUV光刻机提高到了0.55 NA，临界尺寸缩小到8nm，金属间距最小约为16nm，可制造3-1nm，比如Intel就透露会在1.4nm节点上首次使用。ASML CTO Martin van den Brink在接受采访时确认，ASML正在调查开发Hyper NA技术，继续推进各项光刻指标，其中NA数值将超过0.7，预计在2030年左右完成。它表示，这种新型EUV光刻机适合制造逻辑处理器芯片，相比高NA双重曝光成本更低，也可用来制造DRAM内存芯片。ASML已披露的数据显示，低NA光刻机的成本至少1.83亿美元，高NA光刻机更是3.8亿美元起步。根据微电子研究中心(IMEC)的路线图，2030年左右应该能推进到A7 0.7nm工艺，之后还有A5 0.5nm、A3 0.3nm、A2 0.2nm，但那得是2036年左右的事儿了。 ... PC版： 手机版：

俄罗斯完成制造首台 350 纳米制程的光刻机

俄罗斯完成制造首台 350 纳米制程的光刻机 俄罗斯首台光刻机已经制造完成并正在进行测试，俄罗斯联邦工业和贸易部副部长 Vasily Shpak 指出，该设备可支持生产最终到达350纳米工艺的芯片。 Shpak 告诉媒体：“我们组装并制造了第一台国产光刻机。作为泽廖诺格勒技术生产线的一部分，目前正在对其进行测试。”俄罗斯接下来的目标是在2026年制造可以支持130nm工艺的光刻机。