英特尔包揽ASML High-NA EUV初期产能

英特尔包揽ASML High-NA EUV初期产能 TheElec 获悉，ASML 截至明年上半年的高数值孔径 EUV (High-NA EUV) 设备订单由英特尔全部包揽，因此三星和 SK 海力士明年下半年后才能获得设备。消息人士称，ASML 的高数值孔径 EUV 设备产能每年约为五至六台，这意味着英特尔将获得所有初始产能。他们还表示，英特尔在宣布重新进入芯片代工业务时抢先购买了这些设备。ASML 的高数值孔径 EUV 设备是芯片制造商制造 2nm 工艺节点芯片的必备设备，每台设备的成本超过 5000 亿韩元。

英特尔将在"Nova Lake"CPU中采用台积电2nm工艺 苹果也是主要客户之一

英特尔将在"Nova Lake"CPU中采用台积电2nm工艺 苹果也是主要客户之一 据报道，除了苹果之外，英特尔可能也会加入台积电的 2nm 客户名单，因为该公司有望将其用于未来的 Nova Lake CPU 阵容。业界对 Nova Lake 的提及并不多，主要是因为其发布尚需时日，但就在不久前，著名软件应用程序 HWiNFO 增加了对该系列集成显卡的支持，让我们看到了它的蛛丝马迹。虽然我们还不清楚 Nova Lake CPU 的具体细节，但据传它将是英特尔历史上最大的架构升级，甚至比酷睿架构本身变化还要大。这也是英特尔选择台积电 2nm 工艺的原因，因为该公司的代工服务缺乏尖端工艺，为了在下一代市场保持竞争力，该公司需要采用更"成熟"的半导体供应商。CPU 的目标发布时间是 2026 年。英特尔代工业务在稳步前进，尤其是当该公司宣布与台湾第二大代工厂联电合作时，但就目前而言，英特尔代工厂似乎尚未对其即将推出的工艺获得信心。尽管该公司"显然"更优越的 18A 工艺将于 2024 年下半年投产，但选择台积电的 2nm 工艺作为其主流 CPU 架构会让人对英特尔半导体部门的做法产生疑问，但具体表现如何，我们还是很难妄下结论。 ... PC版： 手机版：

ASML已交付第三代EUV 可用于制造2nm芯片

ASML已交付第三代EUV 可用于制造2nm芯片 在ASML看来，Twinscan NXE:3800E代表了Low-NA EUV光刻技术在性能（每小时处理的晶圆数量）和精度方面的又一次飞跃。新的光刻设备可实现每小时处理195片晶圆的处理速度，相比Twinscan NXE:3600D的160片大概提升了22%，将来有可能提高至220片。此外，新工具还提供了小于1.1nm的晶圆对准精度。即便用于4/5nm芯片的生产，Twinscan NXE:3800E也能提升效率，让制造商可以提高芯片生产的经济性，实现更为高效且更具成本效益的芯片生产。更为重要的一点，是Twinscan NXE:3800E对于制造2nm芯片和后续需要双重曝光的制造技术有更好的效果，精度的提升会让3nm以下的制程节点受益。Twinscan NXE:3800E光刻机的价格并不便宜，机器的复杂性和功能是以巨大的成本为代价，每台大概在1.8亿美元。不过比起新一代High-NA EUV光刻机的报价，显然还是要低很多。此前有报道称，业界首款采用High-NA EUV光刻技术的TWINSCAN EXE:5200光刻机报价达到了3.8亿美元。ASML还会继续推进Low-NA EUV光刻设备的开发，接下来将带来新款Twinscan NXE:4000F，计划在2026年发布，这凸显了ASML对EUV制造技术的承诺。 ... PC版： 手机版：

2nm时代来临：ASML本周交付第三代EUV光刻机

2nm时代来临：ASML本周交付第三代EUV光刻机 ASML Twinscan NXE:3800E代表了低数值孔径 EUV光刻技术在性能（每小时处理的晶圆数量）和匹配的加工覆盖方面的飞跃。新系统每小时可在 30 mJ/cm^2 剂量下处理超过 195 个晶圆，并有望通过吞吐量升级将性能进一步提高至 220 wph。此外，新工具还提供小于 1.1 nm 的匹配机器覆盖（晶圆对准精度）。ASML 在 X 上发布的一份声明中透露：“芯片制造商需要速度。第一台 Twinscan NXE:3800E 现已安装在一家芯片工厂中。凭借其新的晶圆台，该系统将为打印先进芯片技术提供领先的生产力。”我们正在将光刻技术推向新的极限。”在为逻辑制造商生产采用4nm/5nm和 3nm 级工艺技术的芯片时，吞吐量的增加将提高 Twinscan NXE:3800E 机器的经济效益。ASML Twinscan NXE:3800E 的性能改进预计将显着缓解EUV 技术的主要缺点之一，即性能相对较低，从而实现更高效、更具成本效益的芯片生产。这将使依赖 EUV 的工艺技术更容易被预算不像苹果、AMD、英特尔、英伟达和高通那样庞大的芯片设计者所接受。此外，该工具对于美光、三星和 SK 海力士等内存制造商也至关重要。此外，Twinscan NXE:3800E 的增强性能对于采用 2nm 以及需要 EUV 双图案化的后续制造技术制造芯片特别有用。匹配机器覆盖层的改进将有利于 3nm 以下生产节点。（图片来源：ASML）然而，像 NXE:3800E 这样的机器的复杂性和功能的代价是高昂的成本，每台的价格约为 1.8 亿美元。如此高的成本意味着这些光刻工具的成本需要一段时间才能折旧。然而，对于 ASML 的客户（包括一组精选的重要逻辑和内存制造公司）来说，NXE:3800E 提供了一条增强其尖端芯片生产能力的途径。这对于这些公司来说至关重要，因为他们努力满足全球对半导体不断增长的需求，扩大生产能力并管理芯片制造的经济性。引入 NXE:3800E 等更先进、更高效的 EUV 扫描仪对于实现这些目标至关重要。展望未来，ASML并没有满足于现状，计划以Twinscan NXE:4000F 的形式进行进一步创新，这是另一代低数值孔径 EUV 扫描仪，预计于 2026 年左右发布。这一持续开发强调了 ASML 致力于推进低数值孔径的承诺-NA EUV 制造技术，尽管即将采用高数值孔径光刻工具。 ... PC版： 手机版：

英特尔包圆 ASML 初始产能，获得今年全部高数值孔径 EUV 光刻机

英特尔包圆 ASML 初始产能，获得今年全部高数值孔径 EUV 光刻机 TheElec 表示，ASML 截至明年上半年绝大部分高数值孔径 EUV 设备的订单已经由英特尔承包，包括今年计划生产的五套设备将全部运给这家美国芯片制造商。 2023-12-22 2024-04-18

三星正在为高通制造 2nm 芯片原型

三星正在为高通制造 2nm 芯片原型 三星晶圆制造（Samsung Foundry）正在开发一种非常先进的 SF2 GAAFET 工艺。 其周二的新闻稿介绍称，三星已与 ARM 建立开发合作伙伴关系：“提供基于三星晶圆制造最新的全环绕栅极(GAA) 2nm 工艺技术开发的优化的下一代 ARM Cortex-X CPU。” 三星电子已经赢得了日本最大 AI 公司 PFN 生产 2nm 的 AI 加速芯片的订单。高通也已与设计高性能芯片的三星电子系统 LSI 部门讨论生产 2nm 原型。高通可能正在评估在骁龙 8 Gen 5 芯片组的制造中使用 2nm SF2 GAAFET 工艺，而三星 LSI 可能正在开发 2nm 的 Exynos 2600 SoC 设计。 ,,