韩国SK海力士将在2028年前在人工智能、芯片领域投资750亿美元

韩国SK海力士将在2028年前在人工智能、芯片领域投资750亿美元 韩国 SK 集团旗下的半导体子公司 SK 海力士计划在 2028 年前投资 103 万亿韩元 (748 亿美元)，彰显出该集团对其认为对其业务未来发展至关重要的领域的押注。SK 集团周日在声明中表示，其中约 80% (即 82 万亿韩元) 将用于投资高带宽内存 (HBM) 芯片。SK 海力士的 HBM 芯片针对英伟达公司的人工智能加速器进行了优化。作为对人工智能押注的一部分，SK 电讯公司和 SK Broadband Co. 将在其数据中心业务上投资 3.4 万亿韩元。

SK海力士将投资近40亿美元在美建芯片封装厂

SK海力士将投资近40亿美元在美建芯片封装厂 当天，SK海力士首席执行官郭鲁正、韩国驻美大使赵贤东、印第安纳州州长Eric Holcomb、参议员Todd Young、白宫科技政策办公室主任Arati Prabhakar等一众人员出席了签约活动。据悉，该芯片工厂将以下一代高带宽内存（HBM）芯片生产线为中心，这些芯片是训练人工智能系统的图形处理器的关键组件。上个月，SK海力士开始批量生产用于人工智能（AI）服务器的HBM3E芯片。作为HBM芯片的领先设计和制造商，SK海力士已经发展成为人工智能开发热潮中的关键参与者。这推动其股价年内迄今涨逾25%，市值也轻松突破了1000亿美元，使其成为韩国市值规模第二大的公司。大约两年前，SK海力士承诺，将通过研发项目、材料、在美国建立先进的封装和测试工厂，向半导体产业投资150亿美元。该公司在周三表示，最新的合作协议是此前承诺的一部分，公司还向美国政府申请了《芯片与科学法案》提供的补贴。新项目也标志着美国在芯片行业迈出了重要一步，先进封装产能是美国政府重振半导体产业努力中的一个瓶颈。美国的封装能力只占全球的3%，这意味着在美国生产芯片的公司通常还得把芯片运到亚洲组装使用。SK海力士声称：“印第安纳州的工厂预计在2028年下半年开始量产新一代HBM等适于人工智能的芯片，新工厂将在当地创造1000个以上的工作岗位，为地区社会发展做出贡献。”印第安纳州州长Eric Holcomb表示：“印第安纳州是创造将成为未来经济原动力的创新产品的全球领先者。坚信与SK海力士的伙伴关系将带来印第安纳州和普渡大学等地区社会的长期发展。”工厂位于普渡大学附近，该校是美国最大的半导体和微电子工程专业所在地之一。SK海力士此前也曾考虑过亚利桑那州，该州有一个新兴的芯片产业，台积电和英特尔的工厂就位于该州。SK海力士首席执行官郭鲁正表示，考虑到州政府的全力支持、丰富的制造基础设施，以及普渡大学的优秀人才等，最终选择了印第安纳州。 ... PC版： 手机版：

SK 海力士计划斥资40亿美元在美国建首家芯片工厂

SK 海力士计划斥资40亿美元在美国建首家芯片工厂 SK 海力士公司计划斥资38.7亿美元在印第安纳州建造一座先进的封装厂和人工智能产品研究中心。这标志着拜登政府在寻求增加美国本土半导体产量方面的胜利。这家全球第二大的内存芯片制造商表示，将在美国西拉斐特市建设首个工厂，并计划于2028年下半年开始量产。该工厂将重点建设下一代高带宽存储芯片生产线，这些芯片是训练人工智能系统图形处理器的关键组件。在美国当地建厂的决定是在 SK 海力士宣布投资美国的计划约两年后作出的。当时，SK 集团董事长崔泰源表示，该企业将拨出大约150亿美元，在美国建设芯片设施和加强研究项目。这家韩国公司表示，周三的公告是这一总体承诺的一部分。SK 海力士还申请了《芯片与科学法案》的拨款，该法案旨在促进半导体制造业回归美国。

SK海力士计划到2028年在芯片领域投资750亿美元

SK海力士计划到2028年在芯片领域投资750亿美元 SK 集团在周日的一份声明中表示，约 80% 或 82 万亿韩元将用于投资高带宽内存芯片。SK Hynix 的 HBM 芯片经过优化，可与 NVIDIA 公司的人工智能加速器配合使用。作为其人工智能赌注的一部分，SK 电讯公司和SK 宽带公司将投资 3.4 万亿韩元用于其数据中心业务。该计划是在 SK 集团董事长崔泰源（Chey Tae-won）和大约 20 名高层管理人员召开年度战略会议，讨论这个仅次于三星的韩国第二大企业集团的发展方向之后提出的。在过去的两天里，高管们进行了长达 20 个小时的马拉松式讨论，并就如何彻底改革该集团进行了辩论，该集团的业务还包括能源、化工和电池。6 月 28 日，在利川 SKMS 研究中心举行的 SK 集团业务战略会议上，崔泰源在屏幕上发言：SK Hynix Inc.高管们决定，SK 集团的目标是到 2026 年，通过运营和业务改革产生 80 万亿韩元的收入。该目标还包括在三年内确保 30 万亿韩元的自由现金流，将资产负债率控制在 100%以下。声明称，该集团去年亏损 10 万亿韩元，预计今年将实现税前利润 22 万亿韩元。该集团的目标是在 2026 年将税前利润提高到 40 万亿韩元。虽然这是 SK 首次披露其至 2028 年的投资计划，但 SK 海力士今年已宣布了一系列投资计划，其中包括斥资 38.7 亿美元在印第安纳州建设先进封装工厂和人工智能产品研究中心。在国内，SK 海力士将斥资 146 亿美元建造一座新的存储芯片综合设施，并继续进行其他国内投资，包括在龙仁半导体集群的投资。 ... PC版： 手机版：

SK海力士计划在韩国增加20万亿韩元人工智能芯片投资

SK海力士计划在韩国增加20万亿韩元人工智能芯片投资 SK海力士计划追加投资20万亿韩元，扩大该公司在韩国的半导体产能，以满足日益增长的人工智能芯片需求。这家韩国内存芯片生产商周三表示，将斥资超过20万亿韩元扩建其位于首尔西南部清州的DRAM芯片工厂。SK海力士称，根据这项新的长期支出计划，到2025年11月，该公司将首先完成投资5.3万亿韩元的清州芯片制造设施的建设。该公司表示，这项工厂扩建的目的是提高高带宽内存和其他先进人工智能芯片的产量。

SK海力士投资10亿美元开发关键先进封装工艺

SK海力士投资10亿美元开发关键先进封装工艺 SK 海力士封装开发负责人 Lee Kang-Wook 表示，该公司今年将在韩国投资超过 10 亿美元，以扩大和改进其芯片制造流程中的最后几个步骤，特别是先进封装工艺。该工艺的创新是 HBM 作为最受欢迎的 AI 内存的优势的核心，进一步的进步将是降低功耗、提高性能和巩固公司在 HBM 市场领先地位的关键。虽然 SK 海力士尚未披露今年的资本支出预算，但分析师平均估计该数字为105 亿美元。 这表明先进封装（可能占其中的十分之一）是一个主要优先事项。Lee 在接受采访时表示，“半导体行业的前 50 年一直是前端为主”，即芯片的设计和制造。“但接下来的50年将是全部是后端为主”，即封装。Lee 表示，SK 海力士正在将大部分新投资投入到推进大规模回流成型底部填充（MR-MUF）和硅通孔（TSV）技术中，Lee 曾领导这两种技术的发明，现在均已成为 HBM 制造的基础核心技术。