ASML High NA EUV光刻机晶圆制造速度提升150% 可打印8nm线宽

ASML High NA EUV光刻机晶圆制造速度提升150% 可打印8nm线宽 根据ASML前总裁兼首席技术官、现任公司顾问的Martin van den Brink的说法，新的High NA EUV光刻机晶圆生产速度达到了每小时400至500片晶圆，是当前标准EUV每小时200片晶圆的2-2.5倍的速度，即提升了100%至150%，将进一步提升产能，并降低成本。现阶段经过进一步调整，ASML已经可用其试验性质High-NA EUV光刻机打印生产8nm线宽，这是的新纪录，这打破了该公司在4月初当时创下的记录。当时ASML宣布，已使用位于ASML荷兰总部与imec联合实验室的试验型High-NA EUV光刻机打印了10nm线宽。就发展路线来说，ASML的标准EUV光刻机可以打印13.5nm的线宽，而新的High-NA EUV光刻机则是可以通过打印8nm线宽来创建更小的晶体管。ASML现在已经证明其设备可以满足其基本规格。Martin van den Brink强调，ASML当前已经取得了进展，能够在整个打印线宽作业上将其低至8奈米记录，并进行校正，而且还具有一定程度的重叠覆盖。因此，ASML对High NA EUV光刻机的发展充满信心，预计未来将能够在突破其极限。而除了ASML自己在进行High NA EUV光刻机的测试之外，目前唯一安装完成High NA EUV光刻机的英特尔，也在美国俄勒冈州的D1X工厂投入测试工作。预计将在Intel 18A节点制程上进行技术的研发与训练工作，之后再将其投入到Intel 14A节点制程的大量生产当中。Martin van den Brink指出，ASML已经可以开发更新一代的Hyper-NA EUV光刻机了，以进一步扩展其High-NA EUV光刻机的潜在路线图。 ... PC版： 手机版：

ASML 正在开发 Hyper-NA EUV 光刻机

ASML 正在开发 Hyper-NA EUV 光刻机 Van den Brink进一步强调了Hyper-NA EUV工具的重要性，指出它能够简化复杂的双重图案工艺，降低生产难度。他解释说，这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。 ASML 正在规划 0.77 NA 的 EUV 光刻机 ASML首席技术官Martin van den Brink在ASML 2023年年度报告中写道：“NA高于0.7的Hyper-NA无疑是一个机会，从2030年左右开始，这种机会将变得更加明显。”“它可能与Logic最相关，并且需要比“高NA EUV”双图案化更实惠，但它也可能是DRAM的一个机会。对我们来说，关键是Hyper-NA正在推动我们的整体EUV能力平台，以改善成本和交货时间。” 台积电 “冷落” High-NA EUV 光刻机启示录 尤其是在当下大陆在EUV光刻机获取全面受阻的情况下，李弈建议，台积电通过深入挖掘现有EUV光刻机的潜力，可支撑未来的1.6nm工艺，而大陆代工业如何借助DUV光刻机向7nm乃至下一步5nm制程发起冲刺应当有希望，应着力在光刻胶、光罩、多重曝光技术等领域持续创新突破，以全面提升利用DUV实现更先进制程的可能性。

ASML 首次公开展示 High NA EUV 光刻机

ASML 首次公开展示 High NA EUV 光刻机 2月10日，ASML 在荷兰总部向媒体展示新一代 High NA EUV 光刻机 Twinscan EXE:5000。 这台光刻机尺寸等同于一台双层巴士；重达150吨，相当于两架空客A320客机；价值高达3.5亿欧元（约合27亿元人民币）；全套系统需要250个货箱装运，需要250名工程人员、历时6个月才能安装完成，不仅价格高昂也相当耗时。 Twinscan EXE:5000 可以制造8nm线宽电路，从而实现晶体管密度比前一代提高至2.9倍。

佳能希望用更便宜的5纳米纳米压印光刻机挑战ASML

佳能希望用更便宜的5纳米纳米压印光刻机挑战ASML "我们希望在今年或明年......趁着市场热度开始出货。"佳能负责纳米压印光刻技术开发的工业部门负责人竹西宏明（Hiroaki Takeishi）说："这是一项非常独特的技术，它将使尖端芯片的生产变得简单而低成本。纳米压印光刻机的半导体节点宽度为 5 纳米，目标是最终达到 2 纳米。"Takeishi 说，这项技术主要解决了以前的缺陷率问题，但成功与否将取决于能否说服客户将其集成到现有的制造工厂是值得的。有人怀疑佳能是否有能力扰乱由 ASML 昂贵但复杂的极紫外（EUV）光刻工具引领的市场。然而，如果纳米压印能以更低的成本将产量提高到近 90%，它就能开辟出一片天地，尤其是在极紫外光供应难以满足激增的需求的情况下。据称，佳能的纳米压印设备成本仅为 ASML 设备的 40%，而运行功耗却降低了 90%。佳能最初专注于用此技术生产 3D NAND 存储器芯片，而不是复杂的处理器，因此同样需要应对限制对华销售的出口管制。Takeishi 表示，佳能将 "谨慎关注"制裁风险，但由于可选方案不多。佳能的纳米压印技术经过 15 年多的研发，如果能成功实现商业化应用，将能改变竞争格局，使新的竞争者能够以更低的成本生产领先的半导体产品。但是，新机器的缺陷率、集成挑战和地缘政治阻力能否让佳能在与芯片制造巨头的竞争中脱颖而出，还有待观察。 ... PC版： 手机版：

DUV光刻机和EUV光刻机的主要区别是激光光源。DUV光源波长为193纳米，分辨率差，而EUV光源波长为13.5纳米。圣地亚哥C

DUV光刻机和EUV光刻机的主要区别是激光光源。DUV光源波长为193纳米，分辨率差，而EUV光源波长为13.5纳米。圣地亚哥Cymer公司（在4SRanch边上）是生产EUV光源的唯一厂家，于2013年被阿斯麦用37亿美元收购成为其子公司。为EUV光刻机供货的500个厂商分属24个国家，都被拜登拉进去共同打压中国芯片产业。中国官媒声称美国越制裁越促进中国发展，有当年慈禧太后向所有列强宣战的勇气，

ASML正在开发hyper-NA EUV光刻机

ASML正在开发hyper-NA EUV光刻机  他表示，在未来十年内，ASML将构建一个集成低数值孔径、高数值孔径和超数孔径EUV系统的单一平台。 这一举措被视为减少工艺步骤数量、降低晶圆加工成本和能源消耗的关键。Van den Brink进一步强调了Hyper-NA EUV工具的重要性，指出它能够简化复杂的双重图案工艺，降低生产难度。他解释说，这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。值得注意的是，高数值孔径EUV（high-NA）光刻技术目前正处于起步阶段。ASML自去年12月开始出货高数值孔径工具，目前仅英特尔一家采用，而台积电则表示短期内不会采用。为了推动该技术的研发和应用，ASML将在几周内正式在费尔德霍芬开设高数值孔径实验室，该实验室将与Imec共同运营，为芯片制造商提供该工具的早期使用权。事实上，该实验室的系统已经投入使用，并成功打印了有史以来第一个10纳米线阵图案。据Van den Brink的最新更新，该系统已经能够产生8nm线阵图案，接近该工具的最大分辨率。这一成果进一步证明了ASML在EUV光刻技术领域的领先地位和持续创新的能力。 ... PC版： 手机版：