业内最高I/O速度,长江存储128层QLC闪存首次公开亮相https://www.ithome.com/0/503/390.htm「长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量」可惜是个QLC

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消息:苹果暂缓采购长江存储NAND闪存

消息:苹果暂缓采购长江存储NAND闪存日媒引述消息人士报道,苹果暂缓了从中国新崛起NANDflash存储芯片供货商长江存储科技采购iPhone零部件的计划。据日经中文网报道,多位相关人士接受采访时透露,苹果一直计划在iPhone上采用长江存储科技生产的“NAND型闪存”,但由于地缘政治风险加大和受到美国当局批判,苹果改变了方针。一位相关人员说:“苹果进行了长江存储的产品验证,但开始量产(9月上市的)新款iPhone时,并没有把这些长江存储的存储芯片投入正式量产生产线”。苹果和长江存储科技对此均未发表评论。NANDflash芯片在智能手机、个人计算机及服务器等多种电子产品上都是必须的重要关键零组件。知情人士介绍,长江存储科技的产品虽然比韩国三星电子和美国美光科技落后一到二代,但是是中国企业中最领先拥有最强的技术实力的一家,同时如果采用长江存储芯片,采购成本会比采购世界一流供货商如三星,美光,铠侠要低20%以上。10月7日,美国政府以无法确认产品最终供货客户及用途为由,将长江存储科技列入了限制企业名单(UnverifiedList)。熟悉美国出口管制法律的哈利·克拉克(HarryClarke)律师介绍:“基本上,从清单上的企业采购零部件本身不会受限”,但美国企业如果没有获得批准,任何美国公司无法向这些企业提供设计、技术和档案。发布:2022年10月19日10:56AM

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长江存储突破QLC闪存寿命 做到4000次P/E

长江存储突破QLC闪存寿命做到4000次P/E不过,长江存储凭借独特、优秀的Xtacking晶栈架构设计,走出了属于自己的特色道路,闪存寿命可靠性大大提升。比如长江存储新一代的QLC3DNAND闪存,内部代号“X3-6070”,就有着极为优秀的素质,可满足企业级、消费级、嵌入式全场景的应用需求。根据官方介绍,长江存储X3-6070QLC闪存的IO接口传输速度达到了2400MT/s,相比上代的1600MT/s提升了足足50%,同时读取、写入速度都有着接近100%的提升。更不可思议的是可靠性和寿命,它的P/E居然能做到惊人的4000次,是普通QLC闪存的4倍!据长江存储的工作人员透露,他们的QLC闪存之所以能做到这一点,一方面来自独特的Xtacking晶栈架构,另一方面也是工艺和技术日渐成熟的结果。当然,不是所有的QLC都能达到这么高的水平,一要看具体品质和良品率,而要看用在什么领域,比如企业级SSD上使用的肯定寿命更长一些。比如说去年9月份发布的致态Ti600,是长江存储首款采用QLC闪存的SSD产品,面向消费级市场,其性能可媲美高端的PCIe4.0SSD。它的具体P/E次数没有公开。考虑到这类产品的写入放大一般在3-5倍,再加上固件算法设置等因素,倒推致态Ti600SSD的P/E大概在2000次左右,是普通QLC的两倍左右,相当可靠了。同时,致态Ti6001TB版本的最大写入量多达400TBW,按照五年保质期计算,平均每天可以写入219GB,完全能够满足消费级用户的使用。值得一提的是,在OEM领域,长江存储的下一代PC41QSSD也将引入QLC,可用于笔记本、台式机、一体机等设备。它支持PCIe4.0x4、NVMe1.4,读写带宽5.5GB/s,动态功耗低于4W,PS4待机功耗低于2mW。可靠性和数据保持能力方面也足以媲美TLC闪存,比如说平均故障间隔时间达200万小时,可以在30℃环境下稳定保存数据1年之久。可以说,QLC闪存已经到了真正可以普及的新阶段,尤其是长江存储的QLC,完全可以让普通消费者乃至企业级客户都放心长期使用,无论性能还是寿命都无需任何顾虑。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1425929.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1425929.htm

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长江存储展示其QLC闪存PE寿命:4000次P/E擦写

长江存储展示其QLC闪存PE寿命:4000次P/E擦写据长江存储的工作人员透露,他们的QLC闪存之所以能做到4000次P/E,一方面来自独特的Xtackig精湛架构,另一方面也是工艺和技术日渐成熟的结果。当然,不是所有的QLC都有这么高的水平,要看品质和良率。在OEM领域,长江存储的下一代PC41Q将引入QLC,可用于笔记本、台式机、一体机等。它支持PCIe4.0x4、NVMe1.4,读写带宽5.5GB/s,动态功耗低于4W,PS4待机功耗低于2mW,并拥有媲美TLC的高可靠性和数据保持能力,平均故障间隔时间达200万小时,可以在30℃环境下稳定保存数据1年之久。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1425379.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1425379.htm

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长江存储232层闪存揭秘:设计独特 存储密度世界第一

长江存储232层闪存揭秘:设计独特存储密度世界第一研究显示,长江存储1TbTLC芯片的存储密度已达15.47Gb每平方毫米,1TbQLC更是高达19.8Gb每平方毫米,在两种闪存类型中都无出其右者。两种闪存均基于晶栈3.0架构,数据传输率均为2400MT/s,可以搭配PCIe4.0、PCIe5.0主控,打造旗舰级SSD。不同之处在于,QLC用的是4-plane结构,可以理解为4颗芯片并排放在一起,总长度12.88毫米、宽度4.02毫米,重点优化与缩小核心面积。TLC用的则是6-plane结构,并排放置6颗芯片,追求性能最大化。TechInsights对于长江存储的成就予以了高度评价,尤其是在美国封锁之下,无法获取最新尖端技术和工具,仍然达成了世界最高存储密度,是非常了不起的,进一步凸显了其晶栈架构的优越性。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1393639.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1393639.htm

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长江存储新一代长寿命QLC闪存已实现4000次PE

长江存储新一代长寿命QLC闪存已实现4000次PE它的IO接口速度达到了2400MT/s,相比上代的1600MT/s提升了足足50%,同时读取、写入速度都有着接近100%的提升。更不可思议的是可靠性和寿命,P/E编程擦写循环居然能做到惊人的4000次,是上代产品的4倍!要知道,常规的MLC闪存也只能做到3000次左右的P/E,TLC闪存初期仅为100-150次,成熟后不过1000次左右,企业级增强版也只有3000次。据长江存储的工作人员透露,他们的QLC闪存之所以能做到4000次P/E,一方面来自独特的Xtackig精湛架构,另一方面也是工艺和技术日渐成熟的结果。当然,不是所有的QLC都有这么高的水平,仅限企业级产品,而且要看良品率,消费级最高可以做到2000次左右。具体到实际产品中,情况也会有所不同,要看产品定位和设计,要结合写入放大因素,比如长江存储自有品牌的首款QLC产品,致态Ti600,估计只有600次左右。在OEM领域,长江存储的下一代PC41Q将引入QLC,可用于笔记本、台式机、一体机等。它支持PCIe4.0x4、NVMe1.4,读写带宽5.5GB/s,动态功耗低于4W,PS4待机功耗低于2mW,并拥有媲美TLC的高可靠性和数据保持能力,平均故障间隔时间达200万小时,可以在30℃环境下稳定保存数据1年之久。除了QLC闪存外,长江存储还展示了企业级SSD和嵌入式UFS/eMMC等产品。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424644.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1424644.htm

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iPhone 16 或将改用密度更高、速度更慢的QLC闪存,以降低成本

iPhone16或将改用密度更高、速度更慢的QLC闪存,以降低成本据报道,苹果公司可能会改变其高容量iPhone16机型所使用的闪存类型,考虑使用密度更高、但速度可能更慢的四层单元NAND。据DigiTimes的业内人士透露,苹果可能会改变存储容量,不再使用三层单元(TLC)NAND闪存,而是在存储容量达到或超过1TB的机型上使用四层单元(QLC)NAND闪存。与TLC相比,QLC的优势在于每个存储单元可以存储四位数据,而不是三位。这使得QLCNAND闪存在使用相同数量的单元时比TLC储存更多的数据,或者使用更少的单元储存更多的数据。理论上,这可以降低生产成本。投稿:@TNSubmbot频道:@TestFlightCN

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