长江存储实现了232层3D NAND的量产 击败了前四大闪存供应商

长江存储实现了232层3DNAND的量产击败了前四大闪存供应商这家中国内存和NAND闪存巨头早在2022年8月就宣布了这种内存型号：YMTCX3-9070，以及其新的Xtacking3.0架构--一种该公司能够可靠地堆叠大量NAND闪存层的专有方法。与此同时，美光科技已经准备好自己的232层3DNAND闪存，但还没有进入生产阶段。考虑到长江存储在2016年才涉足这一业务，与其他参与者相比，这是一个令人难以置信的壮举，其它闪存供应商各自都有超过20年的市场存在。长江存储向232层的攀升紧随其2020年出人意料的128层3DNAND生产的壮举，其开创性足以赢得苹果公司的供应合同，然后在2022年10月由于非技术原因失去了合同。Xtacking3.0架构涉及存储单元晶圆的背面源连接（BSSC），与Xtacking2.0（最多128层）相比，它带来了更简单的工艺和更低的成本，它引入了硅化镍（NiSi），而不是硅化钨（WSi），以提高CMOS晶圆的器件性能和I/O速度。长江存储最初的Xtacking架构早在2016年首次亮相，层数达64层，依靠的是具有成本效益的晶圆对晶圆粘接。长江存储的232层3DNAND闪存可以再消费电子行业找到大量的客户，包括智能手机、消费存储设备、电视和其他电器，较高的层数对存储容量密度有直接影响，这可以帮助设计者通过使用更少的芯片降低成本，或增加容量。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1334071.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1334071.htm

铠侠计划在2031年批量生产超过1000层堆叠的3D NAND闪存

铠侠计划在2031年批量生产超过1000层堆叠的3DNAND闪存至于使用什么样的新技术、新工艺才能达到1000多层，铠侠没有明说。目前堆叠层数最多的闪存技术来自SK海力士，达到了321层，不过要到2025年上半年才能量产。有趣的是，三星方面此前声称，计划在2030年实现1000层闪存(SSD容量也规划到了1000TB)，不知道和铠侠谁能最先做到。三星的V-NAND已经推进到第九代，将在明年初量产，基于双堆栈架构，可达成业界最高堆叠层数，预计超过300层，再往后的第十代则会达到430层左右。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1426484.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1426484.htm

三星准备于5月推出290层3D NAND 计划于明年提升到430层

三星准备于5月推出290层3DNAND计划于明年提升到430层据报道，三星是通过改进闪存层堆叠技术实现290层垂直堆叠密度的，这种技术依赖于通过在闪存层中增加存储孔来增加层数。这样做的代价是每个晶圆的数据密度，但增加层数带来了净收益。报道第9代V-NAND的同一消息来源还称，该公司计划在2025年初推出其后续产品--第10代V-NAND。第10代V-NAND闪存预计将达到430层，比第9代V-NAND闪存增加140层（第9代V-NAND闪存比上一代增加54层）。这将使三星与其竞争对手Kioxia、SKHynix、美光科技和YMTC重新走上正轨，向2030年实现1000层3DNAND闪存的宏伟目标发起冲击。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1427377.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1427377.htm

光威首发长江存储128层闪存SSD：2TB要价1769元

光威首发长江存储128层闪存SSD：2TB要价1769元10月17日，光威(Gloway)宣布推出新款PCIe4.0SSDUltimate系列，首次采用长江存储128层堆叠3DTLCNAND闪存芯片。新品是标准的M.22280形态，基于长江存储第三代闪存X2-9060，Xtacking2.0技术架构，性能强劲，品质可靠，素质过硬，具备更高的IO传输速度。更高的密度，在各项测试中表现卓越，大容量1TB、2TB。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1328047.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1328047.htm

三星将在明年量产300层NAND闪存芯片 2030年实现1000层

三星将在明年量产300层NAND闪存芯片2030年实现1000层该负责人还表示，对于DRAM三星正在研发3D堆叠结构和新材料；对于NAND闪存，正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。这一计划也将使三星的进度超过SK海力士，SK海力士曾在不久前宣布计划在2025年开始量产321层NAND芯片。预计三星第9代NAND闪存芯片仍将采用双堆叠技术，其中包括在两个独立过程中创建NAND存储器，然后将它们组装在一起。与老对手三星不同，SK海力士的300层NAND产品采用的是三重堆叠技术，每组分别堆叠120层、110层和91层，最后组合成一个芯片。相比于三重堆叠，双堆叠工艺在生产成本和效率上存在着不小的优势。三星此举也是为了用成本优势来超越对手，从而巩固其市场领先地位。在去年举办的三星技术日上，三星表示将在2030年实现堆叠多达1000层的技术。然而如果不采用三重堆叠工艺，要实现超过400层的堆叠将是一个挑战。因此业内人士表示三星可能会在第10代430层产品中开始采用三重堆叠技术。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1390553.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1390553.htm

西数、铠侠宣布218层闪存：技术很像中国长江存储 但有232层

西数、铠侠宣布218层闪存：技术很像中国长江存储但有232层值得一提的是，西数、铠侠开发了新的CBA技术，也就是将CMOS直接键合在阵列之上(CMOSdirectlyBondedtoArray)，每个CMOS晶圆、单元阵列晶圆都使用最适合的技术工艺独立制造，再键合到一起，从而大大提升存储密度、I/O速度。是的没错，妥妥的长江存储晶栈Xtacing3.0技术的既视感。根据官方数据，新闪存的NANDI/O接口传输速度达到3.2Gbps，比上代提升多达60％，同时在写入性能、读取延迟方面改善了20％，整体性能、可用性再上新台阶。再加上工艺、架构方面的革新，成本方面也进一步优化。闪存类型方面，TLC、QLC都可以。不过，西数、铠侠并未透露218层新闪存何时商用，会首先用在哪些产品上。事实上，长江存储去年发布的晶栈3.0闪存就已经做到了232层，还有2400MT/sI/O速度，并应用于致态TiPlus7100SSD系列，但因为你懂的原因没有公开宣传。去年7月份，美光第一家公开了232层闪存，但受市场需求疲软影响，官方称暂时不会商用。随后，SK海力士宣布了238层堆叠，三星一般认为做到了236层。现在看来，NAND闪存这一轮的竞争，西数、铠侠不但速度最慢，反而还是最落后的了。长江存储232层闪存美光232层闪存...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1352187.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1352187.htm