三星研发全新4F2内存芯片：首次到达10nm以下 面积缩减30%

三星研发全新4F2内存芯片：首次到达10nm以下面积缩减30%新内存单颗容量16Gb(2GB)，最高速度7.2Gbps(等效频率7200MHz)，相当于每秒可处理两部30GB的超高清电影，对比上代功耗降低了多达23％，同时晶圆生产率提高了20％。12nm之后呢？去年有消息称三星还在开发11nm工艺的内存，但即便11nm内存搞定了，内存行业迟早还要面对10nm以下的内存如何制造的难题，这就需要全面改进内存芯片架构了。日前韩国媒体爆料称，三星已经组建了一个团队，负责研发4F2结构（下图中WL与BL的乘积，数字越小意味着面积越小）的新一代DRAM内存芯片，与现在的6F2结构相比，即便工艺不变，面积也能减少30%，进一步提高存储密度。按照三星的想法，4F2架构的内存芯片有望成为10nm以下工艺节点的关键，工艺提升+架构改进双管齐下进一步推进内存芯片容量、性能等提升。不过4F2结构的内存芯片早在10多年前就有研发了，刚进入DDR3时代就有厂商计划使用，只是一直没有取得实际的进展，制造难度也是非常大的。除了4F2结构的内存之外，其他厂商还在计划别的技术路线，SK海力士的目标就是3DDRAM内存，但是这些新技术都有制造成本高的问题，需要时间来解决。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1361867.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1361867.htm

美光推出基于1β工艺的16 Gb DDR5-7200 MT/s内存

美光推出基于1β工艺的16GbDDR5-7200MT/s内存美光基于1β的DDR5内存采用先进的高K值CMOS器件技术、4相时钟和时钟同步技术，与上一代产品相比，性能提升高达50%，每瓦性能提高33%。随着CPU内核数的增加以满足数据中心工作负载的需求，对更高内存带宽和容量的需求也大幅增长，以克服"内存墙"的挑战，同时优化客户的总体拥有成本。用于客户端和数据中心平台的1βDDR5DRAM的大批量生产和上市也标志着该行业的一个重要里程碑。1βDDR5DRAM允许计算能力以更高的性能进行扩展，从而支持跨数据中心和客户端平台的人工智能(AI)训练和推理、生成式AI、数据分析和内存数据库(IMDB)等应用。新的1βDDR5DRAM产品线提供当前的模块密度，速度从4800MT/s到7200MT/s，适用于数据中心和客户端应用。美光的1β技术使美光能够提供广泛的基于内存的解决方案组合，包括使用16Gb、24Gb和32GbDRAM芯片的DDR5RDIMM和MCRDIMM、使用16Gb和24GbDRAM芯片的LPDDR5X、HBM3E和GDDR7。新的美光16GbDDR5内存产品将通过直销和渠道合作伙伴提供。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1389279.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1389279.htm

三星谋划3D堆叠内存：10nm以下一路奔向2032年

三星谋划3D堆叠内存：10nm以下一路奔向2032年就在进入10nm之后，三星将全面开启3D内存时代，首先引入VCT(垂直通道晶体管)，看起来应该是基础的FinFET类型，而非更先进的GAA。大约2030-2031年的时候，三星将升级到堆叠DRAM，将多组VCT堆在一起，从而获得更大容量、更高性能，看起来还会引入电容器作为辅助。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1426176.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1426176.htm

iPhone 15 Pro和15 Pro Max配备美光"D1β"LPDDR5 DRAM芯片 跳过EUVL工艺

iPhone15Pro和15ProMax配备美光"D1β"LPDDR5DRAM芯片跳过EUVL工艺美光的最新DRAM技术拥有更小的物理尺寸，在提供相同带宽的同时为A17Pro的逻辑板腾出了空间。根据TechInsights的最新发现，美光公司新推出的D1βLPDDR516GbDRAM芯片代号为Y52P。虽然苹果坚持使用与去年相同的LPDDR5标准，但报告指出，美光的新DRAM芯片不仅物理尺寸更小，而且密度也比LPDDR5和LPDDR5XD1α16Gb芯片更高。iPhone15Pro的型号为A3101，采用了美光的D1βLPDDR516GbDRAM芯片，代号为Y52Pdie。该芯片的与众不同之处不仅在于其先进的技术，还在于其更小的物理尺寸。此外，与前代产品LPDDR5/5XD1α16Gb芯片相比，它的密度也有显著提高。新的D1βLPDDR5DRAM芯片也是在避免使用一种名为"极紫外光刻"（EUVL）的方法的情况下批量生产的。对于那些不了解的人来说，EUVL是内存制造商三星和SKhynix为将DRAM的节点缩小到15纳米以下而采用的一种技术。美光公司已经成功地批量生产了D1z、D1α和现在的D1βDRAM芯片，而无需将EUVL引入到制造过程中。在DRAM生产中使用EUVL容易导致延迟，从而对供应和产量问题产生不利影响。鉴于iPhone15Pro和iPhone15ProMax的高需求量，美光需要为苹果优化生产，正如你所看到的，它做到了。同样令人印象深刻的是，这种D1βLPDDR5DRAM技术可以提供51.2GB/s的带宽，同时体积更小，我们期待着明年的产品。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1386393.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1386393.htm

全球最快LPDDR5T内存登场 全大核CPU架构天玑9300完成性能验证

全球最快LPDDR5T内存登场全大核CPU架构天玑9300完成性能验证LPDDR5、LPDDR5X内存标准大家都很熟悉了，已经得到广泛应用。LPDDR5T则是由SK海力士在今年1月份提出来的，其中的T代表“Turbo”(加速)，数据传输率可达9.6Gbps，相比于LPDDR5X8533MHz又提升了13％，是迄今速度最快的移动DRAM内存。更关键的是，LPDDR5T仍然运行在JEDEC组织规定的1.01-1.12V超低电压范围内，并且采用先进的1αnm（第四代10nm级别）工艺制造，从而实现高性能和低功耗的兼容。下一代移动内存标准LPDDR6预计要到2026年之后才会推出，产品落地商用还需要一段时间，因此在接下来的几年时间里，LPDDR5T有望挑起移动旗舰平台的大梁。早在今年2月，SK海力士就向客户提供了LPDDR5T内存样品，采用多芯片整合封装，单颗容量多达16GB，每秒可传出处理77GB数据，相当于15部1080p全高清电影。联发科历代旗舰移动芯片对于内存规格的支持都是顶级，支持最新最先进LPDDR5T内存的天玑9300势必再次引领行业。天玑9300CPU将采用“全大核”这种大胆、创新的架构设计，最直接的好处是性能极高，再搭配超高频率的LPDDR5T内存，可谓如虎添翼，足以让旗舰手机性能再上一个台阶。相信即将到来的天玑9300不会让我们失望。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1376239.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1376239.htm

美国公司宣布全球首款3D内存：64倍容量提升 追上SSD不是梦

美国公司宣布全球首款3D内存：64倍容量提升追上SSD不是梦NEO是美国一家存储芯片技术公司，此前推出的3DX-NAND闪存号称解决了TLC、QLC闪存的性能及耐用性问题，这次推出的3DX-DRAM又号称全球首款类3DNAND的内存技术，将内存带入3D时代，要做内存行业的游戏规则改变者。3DX-DRAM技术的思路跟3DNAND闪存类似，都是通过堆栈层数来提高内存容量，类似于闪存芯片中的FBC浮栅极技术，但增加一层Mask光罩就可以形成垂直结构，因此良率高，成本低，密度大幅提升。NEO公司承诺，2025年推出的第一代3DX-DRAM就可以做到230层堆栈，核心容量128Gb，而当前2DDRAM内存的核心容量还在16Gb，实现了8倍容量。这还不算，NEO公司的目标是每10年将3DX-DRAM容量提升8倍，到2035年的时候推出1Tb核心容量的3DX-DRAM，相比现在总计64倍容量提升。按照他们的说法，未来的内存不仅轻松TB容量起步，追上SSD硬盘也很容易，要知道当前3D闪存的核心容量也就512Gb到1Tb。不过NEO公司的问题在于他们自己没有晶圆厂，因此3DX-DRAM投入生产还要靠合作，他们计划寻找授权厂商，包括三星、SK海力士、美光、西数、铠侠等等。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1358355.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1358355.htm