三星谋划3D堆叠内存：10nm以下一路奔向2032年

三星谋划3D堆叠内存：10nm以下一路奔向2032年就在进入10nm之后，三星将全面开启3D内存时代，首先引入VCT(垂直通道晶体管)，看起来应该是基础的FinFET类型，而非更先进的GAA。大约2030-2031年的时候，三星将升级到堆叠DRAM，将多组VCT堆在一起，从而获得更大容量、更高性能，看起来还会引入电容器作为辅助。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1426176.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1426176.htm

三星正在为高通制造 2nm 芯片原型

三星正在为高通制造2nm芯片原型三星晶圆制造（SamsungFoundry）正在开发一种非常先进的SF2GAAFET工艺。其周二的新闻稿介绍称，三星已与ARM建立开发合作伙伴关系：“提供基于三星晶圆制造最新的全环绕栅极(GAA)2nm工艺技术开发的优化的下一代ARMCortex-XCPU。”三星电子已经赢得了日本最大AI公司PFN生产2纳米AI加速芯片的订单。高通也已与设计高性能芯片的三星电子系统LSI部门讨论生产2nm原型。高通可能正在评估在骁龙8Gen5芯片组的制造中使用2nmSF2GAAFET工艺，而三星LSI可能正在开发2nm的Exynos2600SoC设计。——,,

三星3nm芯片被证实 中国公司尝螃蟹

三星3nm芯片被证实中国公司尝螃蟹这家公司还是国内的，名为比特微，主要从事矿机芯片开发，这款矿机芯片240-256Th/s算力和22J/T能效。三星的3nm工艺放弃FinFET晶体管技术，直接上了GAA晶体管，技术很激进。根据三星说法，与7nm制造工艺相比，3nmGAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了约35%。不过三星3nm工艺初期的良率确实不高，最近才传闻提升到了60%，比台积电的3nm工艺55%的良率要好。矿机ASIC芯片相对传统的CPU、GPU来说要简单一些，但对能效的要求很高，理论上是非常适合新工艺首发的，之前台积电的新工艺也在一些矿机芯片上尝试过，比特大陆就首发过7nm、5nm工艺，但是产量并不大。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1371869.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1371869.htm

三星宣布与新思科技合作优化2nm芯片 明年量产

三星宣布与新思科技合作优化2nm芯片明年量产按照计划，三星在明年量产2nm芯片，据了解，三星2nm优化了多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构，还引入了独特的外延和集成工艺，与现有的FinFET相比，新工艺显著提升了晶体管性能，幅度高达11%至46%，同时可变性降低了26%，漏电现象减少了约50%。业内人士指出，苹果、英伟达、AMD、英特尔和高通一直都是先进工艺的预定者，在3nm制程争夺战中，三星由于良率问题，导致客户订单都向台积电倾斜。因此，2nm制程对三星来说至关重要，如果三星在2nm工艺上做出成绩，想必会得到客户的青睐。之前高通曾表示，正在考虑三星、台积电双代工模式，因此，不排除骁龙8Gen5交给三星代工的可能。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1435049.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1435049.htm

三星展望HBM4内存 工艺学习Intel 22nm

三星展望HBM4内存工艺学习Intel22nm工艺方面，三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管，改用FinFET立体晶体管，从而降低所需的驱动电流，改善能效。FinFET立体晶体管技术是Intel22nm率先引用的，这些年一直是半导体制造工艺的根基，接下来在Intel20A、台积电2nm、三星3nm上，都将转向全环绕立体栅极晶体管。封装方面，三星计划从微凸点键合转向无凸点键合(bumplessbongding)，将铜层与铜层直接互连。事实上，这在逻辑芯片领域也是相当先进的技术，仍在研发之中。显然，这些都有助于HBM内存继续扩大容量、提升频率和带宽，但成本也将居高不下，注定它不会和普通用户产生多大关联，依然是HPC、AI领域的专属。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1391567.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1391567.htm

三星已找到第二家3nm芯片客户 产能开始供不应求

三星已找到第二家3nm芯片客户产能开始供不应求台积电日前因为Intel几乎取消明年的3nm订单一事备受热议，这被视为3nm工艺的一次打击，不过对三星来说这倒是好事，韩国媒体爆料称三星的3nm客户量已经翻倍了，现在有第二家厂商在用。三星在6月30日宣布全球首发量产3nm工艺，并在7月底出货，他们的3nm首家客户是一家中国矿机芯片厂商PanSemi（上海磐矽半导体技术有限公司）。矿机芯片结构简单，因此很适合新工艺拿来练手，不过矿机芯片的需求并不高，因此三星并不能指望矿机公司带动3nm工艺产能大涨，所以还是要积极扩展新客户，尤其是大型半导体公司。韩国媒体报道称，三星3nm工艺现在已经有第二家客户了，不过具体名单没有公布，三星已经向两家客户都供应了3nm芯片，而且现在需求增长速度超过了产能增长速度，也就是供不应求了。据悉，三星目前量产的是3nmGAE工艺，够降低45%的功耗，减少16%的面积，并同时提升23%的性能。第二代的3nmGAP工艺可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同时面积减少35%，效果更好，不过要到2024年才能量产，还有2年时间。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1301863.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1301863.htm