三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK海力士加强DRAM先进工艺份额在去年内存半导体低迷之后，三星电子和SK海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对DRAM的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM和DDR5的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和SK海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向10nm第四代(1a)和第五代(1b)节点的过渡，以生产HBM、DDR5和LPDDR5等高价值产品。但另一方面，由于NANDFlash存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。——

SK 海力士大幅扩产第 5 代 1b DRAM 以应对 HBM 及 DDR5 需求增加

SK海力士大幅扩产第5代1bDRAM以应对HBM及DDR5需求增加据业内人士透露，SK海力士正在扩产其第5代1bDRAM，以应对HBM及DDR5DRAM需求增加。SK海力士已向多家设备公司下订单。通过这项投资，SK海力士的1bDRAM产能预计将从第一季度的每月1万片晶圆增加到年底的每月9万片，SK海力士还计划到明年上半年将1bDRAM产量增加到14万至15万片。“如果SK海力士的销量要求100辆，生产或投资部门只接受70-80%”，业内人士表示，“我们非常谨慎。”另一位业内人士表示，“设备订单数量的增长超出了我们最初的预期。”(科创板日报)

SK海力士5层堆叠3D DRAM新突破 良品率已达56.1%

SK海力士5层堆叠3DDRAM新突破良品率已达56.1%SK海力士透露，目前其5层堆叠的3DDRAM良品率已高达56.1%，这一数据意味着在单个测试晶圆上，能够成功制造出约1000个3DDRAM单元，其中超过一半（即561个）为良品，可用于实际应用。此外，SK海力士的实验性3DDRAM在性能上已展现出与现有2DDRAM相媲美的特性。尽管3DDRAM技术拥有巨大的市场潜力和技术优势，但SK海力士也坦诚地指出，在实现商业化之前，仍需进行大量的技术验证和优化工作。值得一提的是，与2DDRAM的稳定运行不同，3DDRAM在性能上还存在一定的不稳定性。因此，SK海力士认为，要达到广泛应用的目标，需要进一步提升3DDRAM的堆叠层数，实现32层至192层堆叠的存储单元。这一目标的实现，将极大地推动3DDRAM技术的商业化进程。在当前的DRAM市场中，三星、SK海力士和美光等少数几家主要参与者依然占据主导地位，共同占据了全球市场份额的96%以上。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1436079.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1436079.htm