SK 海力士、三星电子：整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存

SK海力士、三星电子：整体DRAM生产线已超两成用于HBM内存https://www.ithome.com/0/767/877.htm———2024-05-132024-05-022024-04-222024-03-212024-03-142024-03-072024-03-012024-02-232024-02-13

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK海力士加强DRAM先进工艺份额在去年内存半导体低迷之后，三星电子和SK海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对DRAM的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM和DDR5的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和SK海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向10nm第四代(1a)和第五代(1b)节点的过渡，以生产HBM、DDR5和LPDDR5等高价值产品。但另一方面，由于NANDFlash存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。——

三星和 SK 海力士正在提高 DRAM 产量 将恢复至削减前水平

三星和SK海力士正在提高DRAM产量将恢复至削减前水平随着全球需求复苏，韩国内存芯片制造商三星电子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圆投入，有效结束减产。Omdia表示，三星电子已将今年第二季度的平均每月DRAM晶圆投入量调升至60万片，环比增长13%；预计下半年将DRAM晶圆投入量增加至66万片，DRAM产量恢复到削减前的水平。SK海力士将把每月平均DRAM晶圆投入量从第一季度的39万片增加到第二季度的41万片；下半年预计该公司的DRAM晶圆投入量将增加至45万片。

TrendForce：美光、三星、SK 海力士、模组厂已停止 DRAM 报价

TrendForce：美光、三星、SK海力士、模组厂已停止DRAM报价《科创板日报》3日讯，今日中国台湾地区突发7.3级地震，TrendForce指出，存储器行业中，由于美光DRAM产能主要集中在中国台湾地区，因此该公司率先停止DRAM报价，灾后的损失评估后再度启动2024年Q2合约价谈判。除此之外，三星、SK海力士也跟进停止报价，尽管两大供应商并没有DRAM生产位于台湾地区，但也希望观望后市后再行动。存储器现货市场的DRAM与NANDFlash并未在今日产生剧烈波动，整体仅限小幅上涨格局，买气仍然清淡。TrendForce预计，短期DRAM现货价格会有小幅涨幅，但需求疲弱态势不变，涨价的延续性有待观察。同时，因为DRAM供应商目前大致处于停止报价阶段，模组厂也已在今日跟进停止报价。