Intel告别的14nm CPU工艺 时间跨度长达9年

Intel告别的14nmCPU工艺时间跨度长达9年Intel的14nm工艺随着2014年Broadwell处理器问世，不过这代处理器不算太成功，真正量产算是2015年的Skylake处理器，从5代酷睿一直用到11代酷睿，时间跨度达到了9年，如果算上2024年才彻底停止出货，那14nm工艺可以说用了10年。在Intel的CPU工艺历史中，14nm都是最长寿的了。不仅如此，Intel内部对14nm工艺评价颇高，Intel技术开发高级副总、总经理AnnB.Kelleher之前就解释过，14nm工艺具备最好的性能和产能，比她在Intel公司工作了24年见过的所有工艺都要好。即便是放在今天，14nm工艺制造的11代酷睿性能依然不算落伍，主要是吃亏在能效及晶体管密度上了，移动平台不适合了，但桌面市场依然能打，退役也不是因为产品不行，而是有了更好的选择。11代酷睿的停产也意味着Intel的CPU工艺命名不再用之前的+、++、+++模式了，毕竟这种命名在商业竞争上吃亏，友商升级一版工艺就改数字命名，14nm可以改成12nm，10nm一路改进到8nm，很容易让外界以为工艺大升级。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1344145.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1344145.htm

Intel 3工艺官方揭秘：面积缩小10％、能效飙升17％

Intel3工艺官方揭秘：面积缩小10％、能效飙升17％按照Intel的最新官方数据，Intel3相比于Intel4逻辑缩微缩小了约10％(可以理解为晶体管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)则提升了17％。Intel解释说，半导体行业目前的惯例是，制程工艺节点的命名，不再根据晶体管实际的物理特征尺寸，而是基于性能和能效一定比例的提升进行迭代。可以粗略地理解为，Intel3的性能水平，大致相当于其他厂商的3nm工艺。Intel3其实就是Intel4的升级版本，主要变化之一是EUV极紫外光刻的运用更加娴熟，在更多生产工序中使用了EUV。二是引入了更高密度的设计库，提升晶体管驱动电流，并通过减少通孔电阻，优化了互连技术堆栈。此外，得益于Intel4的实践经验，Intel3的产量提升更快。未来，Intel还将推出Intel3的多个演化版本，满足客户的多样化需求。其中，Intel3-T将引入采用硅通孔技术，针对3D堆叠进行优化；Intel3-E将扩展更多功能，比如射频、电压调整等；Intel3-PT将在增加硅通孔技术的同时，实现至少5%的性能提升。Intel强调说，Intel3是一个重要的节点，大规模量产标志着“四年五个制程节点”计划进入“冲刺阶段”，还是Intel对外开放代工的第一个节点。接下来，Intel将开启半导体的“埃米时代”。Intel20A首发应用于ArrowLake消费级处理器，2024年下半年量产发布。Intel18A则是Intel20A的升级版，将在2025年用于代号ClearwaterForest的服务器处理器，以及代号PantherLake的消费级处理器，并向代工客户大规模开放。再往后，就是Intel14A。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1434634.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1434634.htm

日本富士通宣布下代超级CPU“Monaka” 能效2倍于Intel/AMD

日本富士通宣布下代超级CPU“Monaka”能效2倍于Intel/AMD富士通A64FX采用台积电7nm工艺制造，集成87.86亿个晶体管，Arm架构，集成52个核心，包括48个计算核心(分为四组每组8MB二级缓存)、4个结构管理核心，主频2.2GHz，并集成HBM2高带宽内存。富岳超算一共用了近16万颗A64FX处理器，总核心数量多达7630848个。去年11月，富士通就曾披露，将设计更先进的处理器，采用台积电2nm工艺，预计2026年推出。现在，富士通官方宣布，下代超级处理器代号“Monaka”(日本点心最中/もなか)，依然基于Arm架构指令集(可能Armv9或更高)，重点提升能效。Monaka现定于2027年推出，号称对比届时的竞品，应用性能可领先1.7倍，能效可领先2倍，包括Intel、AMD的方案。同时，它的应用潜力和范围也会更广，包括超大规模运算、HPC高性能计算、AI人工智能、数据分析等等。不过，官方未公开制造工艺、核心数量等细节。日本也会基于富士通Monaka，打造下一代超算，暂时名为FugakuNext，日本理化学研究所正在进行设计评估。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1349173.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1349173.htm

2025重返CPU王者 Intel“1.8nm”工艺传喜讯：已测试流片

2025重返CPU王者Intel“1.8nm”工艺传喜讯：已测试流片现在Intel7工艺已经在12代、13代酷睿上量产了，Intel中国研究院院长宋继强在会议上透露了最新工艺进展。接替Intel7的Intel4工艺已经准备就绪，为投产做好了准备，预计2023年下半年在新一代酷睿MeteorLake上首发，也就是14代酷睿。Intel3工艺则是Intel4的改进版，正在按计划进行。在之后的20A、18A工艺对Intel来说尤为重要，预计在2024年上半年及下半年量产，是Intel2025年重夺半导体王者的关键工艺。宋院长透露，20A及18A工艺已经有测试芯片流片，不过具体是什么芯片就没有透露了，很大可能是Intel自家CPU，也有一定可能是Intel的代工客户，此前Intel确认18A工艺会有多家半导体设计公司感兴趣。Intel还会在20A、18A上首发两大突破性技术，也就是RibbonFET和PowerVia，其中RibbonFET是Intel对GateAllAround晶体管的实现，它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。PowerVia是Intel独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1346249.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1346249.htm

消息称Intel正在规划新架构高性能CPU内核

消息称Intel正在规划新架构高性能CPU内核在Intel的14nm节点生产的6代到10代酷睿处理器中，其架构本质上都是Skylake内核，后续各种打磨改进，12代酷睿上才换了全新的GoldenCove内核架构，IPC性能大涨，今年的13代酷睿同样是改良版。大家都知道，没有全新的架构，CPU性能是很难提升的，那么GoldenCove再往后呢？Intel已经在规划新的高性能CPU内核了，Intel高性能CPU首席架构师、GoldenCove核心的设计者AdiYoaz日前在采访中确认了这一点。AdiYoaz表示Intel正在谋划下一个大事件（NextBigThing），也就是能带来性能飞跃的新一代核心架构，这种架构的开发周期要比改良版架构要长一些。这种全新的架构什么时候问世没说，不过AdiYoaz提到是在RaptorLake、MeteorLake，也就是13代、14代酷睿之后才能见到飞跃性的高性能架构。这也就是说，要等到至少15代酷睿ArrowLake箭湖了，它是2024年的产品，工艺也会升级到20A，此前有消息称其微内核为LionCove，IPC性能相比GoldenCove有双位数的提升，也就是超过10%以上。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1307117.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1307117.htm

Intel 3工艺官方深入揭秘：号称性能飙升18％

Intel3工艺官方深入揭秘：号称性能飙升18％Intel3作为现有Intel4的升级版，带来了更高的晶体管密度和性能，并支持1.2V电压的超高性能应用，不但用于自家产品，还首次开放对外代工，未来多年会持续迭代。首先强调，Intel3工艺的定位一直就是需要高性能的数据中心市场，重点升级包括改进设计的晶体管、晶体管通孔电阻更低的供电电路、与客户的联合优化等等，还支持0.6V以下的低电压、1.3V以上的高电压，以实现最大负载。为了获得性能、密度的最佳均衡，Intel还同时使用了240nm高性能库、210nm高密度库的组合——Intel4只有前者。客户如果有不同需求，还可以在三种不同的金属堆栈层数中选择：14层的成本最低，18层的性能和成本最均衡，21层的性能最高。此外，Intel3工艺的EUV极紫外光刻运用更加娴熟，在更多生产工序中使用了EUV。最终的结果是，Intel保证新工艺可以在同等功耗、晶体管密度之下，相比Intel4带来最多18％的提升！Intel之前还曾表示，Intel3相比于Intel4逻辑缩微缩小了约10％(可以理解为晶体管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)则提升了17％。不过在关键尺寸方面，Intel3、Intel4是基本一致的，接触孔多晶硅栅极间距(CPP)都是50nm，鳍片间距、M0间距都是30nm，另外库高度xCPP的面积除了12K，还增加了10.5K版本，也是为了优化性能和成本平衡。Intel3后续还会优化推出不同的版本，针对性加强某个角度：Intel3-T：重点引入采用硅通孔(TSV)技术，针对3D堆叠进行优化。Intel3-E：扩展更多功能，比如1.2V原生电压、深N阱、长通道模拟设备、射频等，可用于生产芯片组、存储芯片等。Intel3-PT：在3-E的基础上，增加9微米间距的硅通孔，以及混合键合，性能再提升至少5％，使用也更简单，可用于AI、HPC芯片以及通用计算芯片。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1435481.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1435481.htm