美光推出业界首款HBM3 Gen2内存 带宽超过1.2TB/s

美光推出业界首款HBM3Gen2内存带宽超过1.2TB/sHBM3Gen2的解决方案的基础是1β（1-beta）工艺，在行业标准封装尺寸内将24GBDRAM芯片组成了8层垂直堆叠的立方体。此外，美光还在准备12层垂直堆叠的单品36GBDRAM芯片，与现有的竞争解决方案相比，在给定的堆栈高度下，美光提供的容量增加了50%。根据美光公布的最新技术路线图，2026年的“HBMNext”将进一步提高容量，可达到36GB至64GB，带宽也会提升至超过1.5TB/s至2+TB/s。另外，美光明年将会带来GDDR7，容量为16Gb至24Gb，每个数据I/O接口的速率为32Gbps，与三星近期推出的首款GDDR7基本一致。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1373419.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1373419.htm

SK hynix推出24GB容量12层HBM3内存 正向客户提供样品

SKhynix推出24GB容量12层HBM3内存正向客户提供样品"继去年6月量产全球首款HBM3之后，公司成功开发了24GB封装产品，该产品的内存容量比之前的产品增加了50%，"SKhynix说。"我们将从今年下半年开始向市场供应新产品，以配合人工智能驱动的聊天工具行业对高端内存产品不断增长的需求。"SKhynix的工程师通过在最新产品中应用先进的大规模回流模塑（MR-MUF）技术，提高了工艺效率和性能稳定性，而硅通孔（TSV）技术将单个DRAM芯片的厚度减少了40%，实现了与16GB产品相同的堆叠高度水平。"SKhynix通过其在后端工艺中使用的领先技术，能够持续开发一系列超高速和高容量的HBM产品，"SKhynix封装和测试主管SangHooHong说。"公司计划在今年上半年完成新产品的量产准备，以进一步巩固其在人工智能时代的尖端DRAM市场的领导地位。"由SKhynix在2013年首次开发的HBM，因其在实现高性能计算（HPC）系统中运行的生成式人工智能中的关键作用，已经引起了存储芯片行业的广泛关注。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1355881.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1355881.htm

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存 SK海力士出局

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存SK海力士出局而SK海力士因部分工程问题，未能推出12层HBM3E产品，但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。今年2月27日，三星电子官宣成功开发出业界首款36GB12H（12层堆叠）HBM3EDRAM内存。据介绍，HBM3E12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止最大的36GB容量，相比于8层堆叠的HBM38H，在带宽和容量上提升超过50%。同时相比于8层堆叠，其AI训练速度平均提高34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。在此前的GTC2024大会上，英伟达正式发布了B200和GB200系列芯片。据黄仁勋介绍，B200拥有2080亿个晶体管，采用台积电4NP工艺制程，可以支持多达10万亿个参数的AI大模型，还通过单个GPU提供20petaflops的AI性能。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424907.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1424907.htm

路透证实三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试

路透证实三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试HBM即高带宽存储器，这是一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，主要适用于高存储器带宽需求的场景组合，尤其是图形处理器、网络交换和转发设备。英伟达的AI加速产品都需要极高的带宽来提高性能，因此英伟达最初与SK海力士达成合作，由后者独家供应HBM3内存芯片。不过从今年开始英伟达已经开始接受三星电子和美光提供的HBM3内存芯片，三家供应商里当前似乎也只有三星电子遇到问题，目前英伟达的主力供应商仍然是SK海力士。消息称三星从去年开始就一直在尝试通过英伟达的HBM3和HBM3E的测试，其中8层和12层的HBM3E芯片最近的一次失败测试结果在4月公布。既然没有成功通过英伟达测试，那么三星电子自然还不算是该芯片的供应商，这种情况似乎也凸显三星在HBM芯片上落后于SK海力士和美光了。当然英伟达有自己的测试标准，三星其实也已经向其他客户供应此类芯片，可能是英伟达的要求更高所以暂时三星还不搞定技术难题，只能看着SK海力士和美光了。注：HBM3：指的是HBM第三个标准，每个标准里面还有不同的“代”比如HBM3E，所以这里指的并不是第三代。相关文章:SK海力士正在HBM内存芯片领域处于领先地位三星为此撤换芯片主管...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1432158.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1432158.htm

三星将推出代号为"Snowbolt"的HBM3P内存 每个堆栈带宽达5TB/s

三星将推出代号为"Snowbolt"的HBM3P内存每个堆栈带宽达5TB/sZDNetKorea报道，三星于2023年4月26日向专利信息搜索服务机构（KIPRIS）提交了其最新DRAMHBM3PSnowbolt的商标申请。预计它将在今年下半年发布。Snowbolt是三星电子下一代HBMDRAM产品的品牌名称，目前仍未决定该名称是否用于哪一代产品。三星电子HBM分支的前几代产品是：Flarebolt：第一代HBM2内存Aquabolt：三星电子2018年的第二代HBM2内存Flashbolt：该公司的第三代HBM2E内存（2020）Icebolt：这种HBM3内存最初是以原型阶段发布的，但预计将在今年晚些时候量产在上个月给投资者和媒体的电话会议中，引用了三星电子的发言人的话说、我们已经向主要客户提供了HBM2和HBM2E产品，及时提供最高性能和最高能力的产品，满足AI市场的需求和技术趋势，以及HBM3（16GB和12GB）。然而，24GB的产品也正在进行采样，并且已经完成了大规模生产的准备工作。不仅是目前的HBM3，还有市场所需的性能和容量更高的下一代HBM3P产品，都在为下半年的上市做准备，其性能堪称业界一流。这将使HBM3P的整体性能比前代产品提高10%，此外，客户还将利用先进的高多层堆叠和内存宽度实现，预计明年HBM3P内将会出现。路线图还显示，到2025年，HBM3P将采用PIM（内存编程），到2026年将采用HBM4。更多的大型科技巨头正在利用高带宽的内存模块来大幅提高数据的进程，以增强机器学习的AI。在过去的几年里，HBM模块的市场呈指数级增长，HBM的销量慢慢超过了DRAM内存模块。三家公司占据了高带宽内存的市场份额，SK海力士、三星电子和美光。SKHynix占据了50%的市场份额。三星电子紧随SK海力士之后，占40%，美光落到第三位，只占剩余的市场占有率的10%。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1358143.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1358143.htm

SK hynix GDDR7内存将GPU带宽提升至160GB/秒 容量达24Gb

SKhynixGDDR7内存将GPU带宽提升至160GB/秒容量达24Gb虽然有报道称第一代GDDR7内存产品将使用28Gbps的芯片，容量为16GB（2GBVRAM），但DRAM制造商并没有停止展示他们的下一代产品。在GTC2024上，SKhynix展示了其GDDR7内存模块，它将提供40Gbps的针脚速度，每个模块的带宽高达160GB/s。GDDR7标准的基准速度为32Gbps，每个模块的带宽为128GB/s，因此未来的GDDR7变体在带宽方面将提升25%。三星也在加速GDDR7DRAM的生产，该公司还在GTC上展示了其内存模块，不过是16Gb和32Gbps两种规格。该公司还展示了引脚速度37Gbps的模块。此外，该公司还将推出不同容量的x显存，目前已上市的最高容量为24Gb，基准容量为16Gb。使用16Gb模块可获得2GB的VRAM容量，使用24Gb模块可获得3GB的VRAM容量。但我们已经报道过JEDEC公布的规格，这些规格证实GDDR7将达到48Gbps的速度和64Gb的密度（8GBVRAM容量）。这将标志着显存容量的大幅提升，256位标准接口可提供64GB容量。相比之下，目前256位总线接口使用16GbDRAM模块可达到的最大容量为16GB。24GBDRAM模块可将容量提升至24GB。但同样，这些速度和容量也不是我们一开始就能期待的。这样的规格可能要到2026-2027年之后才能实现，而现在距离2026-2027年还有很多年。以下是我们可以期待的第一代GDDR7内存产品：512位/28Gbps/32GB（最大内存）/1792GB/s（最大带宽）384位/28Gbps/24GB（最大内存）/1344GB/秒（最大带宽）256位/28Gbps/16GB（最大内存）/896.0GB/秒（最大带宽）192位/28Gbps/12GB（最大内存）/672.0GB/秒（最大带宽）128位/28Gbps/8GB（最大内存）/448.0GB/s（最大带宽）以下是SKhynix40Gbps和24GbGDDR7DRAM产品上市后的预期：512位/40Gbps/48GB（最大内存）/2560GB/秒（最大带宽）384位/40Gbps/36GB（最大内存）/1920GB/秒（最大带宽）256位/40Gbps/24GB（最大内存）/1280GB/秒（最大带宽）192位/40Gbps/18GB（最大内存）/960.0GB/秒（最大带宽）128位/40Gbps/12GB（最大内存）/640.0GB/秒（最大带宽）除了GDDR7内存模块，SKhynix还展示了DDR5MCRDIMM，每个模块的容量达64GB，速度达8800MT/s，电压为1.1V。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424510.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1424510.htm