三星将推出代号为"Snowbolt"的HBM3P内存 每个堆栈带宽达5TB/s

三星将推出代号为"Snowbolt"的HBM3P内存每个堆栈带宽达5TB/sZDNetKorea报道，三星于2023年4月26日向专利信息搜索服务机构（KIPRIS）提交了其最新DRAMHBM3PSnowbolt的商标申请。预计它将在今年下半年发布。Snowbolt是三星电子下一代HBMDRAM产品的品牌名称，目前仍未决定该名称是否用于哪一代产品。三星电子HBM分支的前几代产品是：Flarebolt：第一代HBM2内存Aquabolt：三星电子2018年的第二代HBM2内存Flashbolt：该公司的第三代HBM2E内存（2020）Icebolt：这种HBM3内存最初是以原型阶段发布的，但预计将在今年晚些时候量产在上个月给投资者和媒体的电话会议中，引用了三星电子的发言人的话说、我们已经向主要客户提供了HBM2和HBM2E产品，及时提供最高性能和最高能力的产品，满足AI市场的需求和技术趋势，以及HBM3（16GB和12GB）。然而，24GB的产品也正在进行采样，并且已经完成了大规模生产的准备工作。不仅是目前的HBM3，还有市场所需的性能和容量更高的下一代HBM3P产品，都在为下半年的上市做准备，其性能堪称业界一流。这将使HBM3P的整体性能比前代产品提高10%，此外，客户还将利用先进的高多层堆叠和内存宽度实现，预计明年HBM3P内将会出现。路线图还显示，到2025年，HBM3P将采用PIM（内存编程），到2026年将采用HBM4。更多的大型科技巨头正在利用高带宽的内存模块来大幅提高数据的进程，以增强机器学习的AI。在过去的几年里，HBM模块的市场呈指数级增长，HBM的销量慢慢超过了DRAM内存模块。三家公司占据了高带宽内存的市场份额，SK海力士、三星电子和美光。SKHynix占据了50%的市场份额。三星电子紧随SK海力士之后，占40%，美光落到第三位，只占剩余的市场占有率的10%。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1358143.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1358143.htm

相关推荐

封面图片

三星交付HBM3E内存样品：带宽达1.2TB/s 秒传百部电影

三星交付HBM3E内存样品：带宽达1.2TB/s秒传百部电影HBMDRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发，其中HBM3E是HBM3的扩展版本。据相关人士透露，三星已经开始向客户提供Shinebolt样品来进行质量测试，该样品的规格为8层24GB。此外，三星还将很快完成12层36GB产品的开发。与HBM3相比，Shinebolt的最大数据传输速度（带宽）提升了约50%，可达1.228TB/S。相当于在1秒钟内传输了230部FHD高清电影（每部容量5GB）HBM的关键在于每层之间的连接方式，三星从HBM生产之初就一直的采用是热压缩非导电薄膜（TC-NCF）工艺，而其老对手SK海力士则采用的是质量回流成型底部填充（MR-MUF）工艺。当然，这二者孰优孰劣还是要交给市场来评判。由于已经在HBM的开发和生产速度上落后于SK海力士，三星也开始重新制定战略来夺回市场定位。其中最主要的就是加速开发可能改变HBM规则的“混合连接”工艺。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1390807.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1390807.htm
封面图片

英伟达批准三星 HBM3 芯片用于中国市场处理器

英伟达批准三星HBM3芯片用于中国市场处理器三名知情人士表示，三星电子的第四代高带宽内存(或称HBM3)芯片已首次获得英伟达批准用于图形处理器。但知情人士表示，三星电子的HBM3芯片目前仅用于英伟达不太复杂图形处理器的H20，这款是遵守美国出口管制为中国市场开发的。目前尚不清楚英伟达是否会在其他人工智能处理器中使用HBM3芯片，或者芯片是否必须通过额外的测试才能实现。知情人士补充说，三星电子尚未达到英伟达第五代HBM3E芯片的标准，仍在继续芯片测试。——
封面图片

路透证实三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试

路透证实三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试HBM即高带宽存储器，这是一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，主要适用于高存储器带宽需求的场景组合，尤其是图形处理器、网络交换和转发设备。英伟达的AI加速产品都需要极高的带宽来提高性能，因此英伟达最初与SK海力士达成合作，由后者独家供应HBM3内存芯片。不过从今年开始英伟达已经开始接受三星电子和美光提供的HBM3内存芯片，三家供应商里当前似乎也只有三星电子遇到问题，目前英伟达的主力供应商仍然是SK海力士。消息称三星从去年开始就一直在尝试通过英伟达的HBM3和HBM3E的测试，其中8层和12层的HBM3E芯片最近的一次失败测试结果在4月公布。既然没有成功通过英伟达测试，那么三星电子自然还不算是该芯片的供应商，这种情况似乎也凸显三星在HBM芯片上落后于SK海力士和美光了。当然英伟达有自己的测试标准，三星其实也已经向其他客户供应此类芯片，可能是英伟达的要求更高所以暂时三星还不搞定技术难题，只能看着SK海力士和美光了。注：HBM3：指的是HBM第三个标准，每个标准里面还有不同的“代”比如HBM3E，所以这里指的并不是第三代。相关文章:SK海力士正在HBM内存芯片领域处于领先地位三星为此撤换芯片主管...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1432158.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1432158.htm
封面图片

三星电子将于 2025 年推出新一代 HBM4 内存

三星电子将于2025年推出新一代HBM4内存三星量产了HBM2E和HBM3，并开发了每秒9.8千兆比特（Gbps）的HBM3E，我们将很快开始向客户提供样品，以丰富HPC/AI生态系统。展望未来，HBM4预计将于2025年推出，目前正在开发针对高热性能进行优化的技术，如非导电膜（NCF）组装和混合铜键合（HCB）。帖子中提供的信息显示，三星已经获得了潜在客户对其HBM3内存工艺的兴趣，其中英伟达（NVIDIA）等公司处于领先地位。随着人工智能（genAI）的发展，对相关硬件的要求达到了新的高度，因此对HBM3等必要组件的需求也迅速增加。英伟达正试图实现供应链的多元化，而三星电子在这方面就派上了用场，因为该公司拥有充足的设备来满足人工智能加速器对DRAM的需求。除了当前一代的进展，三星还计划快速推进下一代HBM4工艺，预计将于2025年亮相。虽然有关内存类型的具体细节不多，但三星透露，HBM4将采用"非导电薄膜"和"混合铜键合"，这将有助于提高内存工艺的能效和散热性能。HBM4的确将标志着向下一代人工智能加速器的过渡，为业界的计算能力打开新的大门。三星正在成为一家"与众不同"的供应商，尤其是该公司还在专注于开发芯片封装设备。鉴于该公司成功地赢得了潜在客户的信任，我们有可能看到这家韩国巨头的存储器部门在未来几年重振雄风。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1389583.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1389583.htm
封面图片

三星 HBM 芯片因发热和功耗问题未通过英伟达测试

三星HBM芯片因发热和功耗问题未通过英伟达测试三位知情人事表示，由于发热和功耗问题，三星电子最新的高带宽内存(HBM)芯片未能通过英伟达的测试，无法用于这家美国公司的人工智能处理器。消息人士表示，这影响了三星的HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)芯片。这是首次报道三星未能通过英伟达测试的原因。三星在给路透社的声明中表示，HBM是一种定制的内存产品，需要“根据客户需求进行优化过程”，并补充说，该公司正在通过与客户的密切合作来优化其产品。三星拒绝对具体客户发表评论。——
封面图片

英伟达正在努力认证三星 HBM 内存芯片

英伟达正在努力认证三星HBM内存芯片英伟达公司仍在致力于韩国三星电子高带宽内存(HBM)芯片的认证流程。英伟达首席执行官黄仁勋4日告诉记者，他的公司正在研究三星和美光科技公司提供的HBM芯片。“我们只需要完成工程工作。还没有完成。，”黄仁勋在台北国际电脑展的简报会上表示。“我希望昨天能完成。但还没完成。我们必须要有耐心。”黄仁勋发表上述言论之前，路透社报道称，三星最新高带宽内存(HBM)芯片由于散热和功耗问题，导致其尚未通过英伟达的测试认证。当被直接问及那篇文章时，黄仁勋说："根本没有那回事。”——

🔍 发送关键词来寻找群组、频道或视频。

启动SOSO机器人