美光推出业界首款HBM3 Gen2内存 带宽超过1.2TB/s

美光推出业界首款HBM3Gen2内存带宽超过1.2TB/sHBM3Gen2的解决方案的基础是1β（1-beta）工艺，在行业标准封装尺寸内将24GBDRAM芯片组成了8层垂直堆叠的立方体。此外，美光还在准备12层垂直堆叠的单品36GBDRAM芯片，与现有的竞争解决方案相比，在给定的堆栈高度下，美光提供的容量增加了50%。根据美光公布的最新技术路线图，2026年的“HBMNext”将进一步提高容量，可达到36GB至64GB，带宽也会提升至超过1.5TB/s至2+TB/s。另外，美光明年将会带来GDDR7，容量为16Gb至24Gb，每个数据I/O接口的速率为32Gbps，与三星近期推出的首款GDDR7基本一致。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1373419.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1373419.htm

三星交付HBM3E内存样品：带宽达1.2TB/s 秒传百部电影

三星交付HBM3E内存样品：带宽达1.2TB/s秒传百部电影HBMDRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发，其中HBM3E是HBM3的扩展版本。据相关人士透露，三星已经开始向客户提供Shinebolt样品来进行质量测试，该样品的规格为8层24GB。此外，三星还将很快完成12层36GB产品的开发。与HBM3相比，Shinebolt的最大数据传输速度（带宽）提升了约50%，可达1.228TB/S。相当于在1秒钟内传输了230部FHD高清电影（每部容量5GB）HBM的关键在于每层之间的连接方式，三星从HBM生产之初就一直的采用是热压缩非导电薄膜（TC-NCF）工艺，而其老对手SK海力士则采用的是质量回流成型底部填充（MR-MUF）工艺。当然，这二者孰优孰劣还是要交给市场来评判。由于已经在HBM的开发和生产速度上落后于SK海力士，三星也开始重新制定战略来夺回市场定位。其中最主要的就是加速开发可能改变HBM规则的“混合连接”工艺。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1390807.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1390807.htm

三星将推出代号为"Snowbolt"的HBM3P内存 每个堆栈带宽达5TB/s

三星将推出代号为"Snowbolt"的HBM3P内存每个堆栈带宽达5TB/sZDNetKorea报道，三星于2023年4月26日向专利信息搜索服务机构（KIPRIS）提交了其最新DRAMHBM3PSnowbolt的商标申请。预计它将在今年下半年发布。Snowbolt是三星电子下一代HBMDRAM产品的品牌名称，目前仍未决定该名称是否用于哪一代产品。三星电子HBM分支的前几代产品是：Flarebolt：第一代HBM2内存Aquabolt：三星电子2018年的第二代HBM2内存Flashbolt：该公司的第三代HBM2E内存（2020）Icebolt：这种HBM3内存最初是以原型阶段发布的，但预计将在今年晚些时候量产在上个月给投资者和媒体的电话会议中，引用了三星电子的发言人的话说、我们已经向主要客户提供了HBM2和HBM2E产品，及时提供最高性能和最高能力的产品，满足AI市场的需求和技术趋势，以及HBM3（16GB和12GB）。然而，24GB的产品也正在进行采样，并且已经完成了大规模生产的准备工作。不仅是目前的HBM3，还有市场所需的性能和容量更高的下一代HBM3P产品，都在为下半年的上市做准备，其性能堪称业界一流。这将使HBM3P的整体性能比前代产品提高10%，此外，客户还将利用先进的高多层堆叠和内存宽度实现，预计明年HBM3P内将会出现。路线图还显示，到2025年，HBM3P将采用PIM（内存编程），到2026年将采用HBM4。更多的大型科技巨头正在利用高带宽的内存模块来大幅提高数据的进程，以增强机器学习的AI。在过去的几年里，HBM模块的市场呈指数级增长，HBM的销量慢慢超过了DRAM内存模块。三家公司占据了高带宽内存的市场份额，SK海力士、三星电子和美光。SKHynix占据了50%的市场份额。三星电子紧随SK海力士之后，占40%，美光落到第三位，只占剩余的市场占有率的10%。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1358143.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1358143.htm

八路并联1.1TB HBM3e高带宽内存 NVIDIA奉上全新HGX H200加速器

八路并联1.1TBHBM3e高带宽内存NVIDIA奉上全新HGXH200加速器对比H100，容量增加了76％，带宽增加了43％，而对比上代A100，更是容量几乎翻番，带宽增加2.4倍。得益于NVLink、NVSwitch高速互连技术，H200还可以四路、八路并联，因此单系统的HBM3e内存容量能做到最多1128GB，也就是1.1TB。只是相比于AMDInstinctMI300X还差点意思，后者搭载了192GBHBM3，带宽高达5.2TB/s。性能方面，H200再一次实现了飞跃，700亿参数的Llama2大语言模型推理性能比H100提高了多达90％，1750亿参数的GTP-3模型推理性能也提高了60％，而对比前代A100HPC模拟性能直接翻番。八路H200系统下，FP8深度学习计算性能可以超过32PFlops，也就是每秒3.2亿亿次浮点计算，堪比一台大型超级计算机。随着未来软件的持续升级，H200还有望继续释放潜力，实现更大的性能优势。此外，H200还可以与采用超高速NVLink-C2C互连技术的NVIDIAGraceCPU处理器搭配使用，就组成了GH200GraceHopper超级芯片，专为大型HPC、AI应用而设计的计算模块。NVIDIAH200将从2024年第二季度开始通过全球系统制造商、云服务提供商提供。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1396823.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1396823.htm

三星官宣GDDR7显存 带宽可达1.5TB/s

三星官宣GDDR7显存带宽可达1.5TB/s据三星所说，三星的GDDR7产品将有助于提升需要高性能显存的用户体验，例如工作站、个人电脑和游戏机等，并有望扩展到人工智能、高性能计算和汽车等领域。三星表示，新一代显存将根据需求推向市场，我们希望继续保持在该领域的前沿技术能力。与GDDR6显存24Gbps的速度、1.1TB/s的带宽相比，三星GDDR7显存速度可达32Gbps，带宽可达1.5TB/s，提升40%。这主要得益于GDDR7采用了脉幅调制（PAM3）信号方式，取代前几代产品的不归零（NRZ）信号方式，从而实现性能大幅提升。在相同信号周期内，PAM3信号方式可比NRZ信号方式多传输50%的数据。另外，GDDR7的设计采用了适合高速运行的节能技术，相比GDDR6能效提高了20%。针对笔记本电脑等注重功耗的设备，三星提供了一个低工作电压的选项。为最大限度地减少显存芯片发热，除集成电路（IC）架构优化外，三星还在封装材料中使用具有高导热性的环氧成型化合物（EMC）材料。与GDDR6相比，这些改进不仅显著降低70%的热阻，还帮助GDDR7在高速运行的情况下，实现稳定的性能表现。至于首发搭载的产品，三星透露GDDR7显存年内将首先搭载于主要客户的下一代系统上验证，不过具体是哪家的产品就没提了。显卡上首发应该要等到RTX50系列，正常进度应该是2024年下半年发布，但由于市场需求变化，此前NVIDIA提到会等到2025年才推出RTX50系列，所以还得等等。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1371795.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1371795.htm