三星最先进的2nm半导体工艺可能只是改名后的第二代3nm节点

三星最先进的2nm半导体工艺可能只是改名后的第二代3nm节点据报道，一位来自无晶圆厂半导体行业的不愿透露姓名的官员向ZDNet透露，公司更名已经确定，同时还提到合同是最近才写好的。"我们已接到三星电子的通知，他们将把第二代3纳米技术更名为2纳米技术。去年，三星电子晶圆代工厂签订的第二代3纳米技术合同也更名为2纳米技术，最近合同又被改写了。"三星最近还为一家名为PreferredNetworks(PFN)的日本初创公司完成了一份2纳米订单。虽然人们认为这家韩国巨头在2nm工艺竞赛中领先于台积电，但最新的报道称，已完成的订单实际上是该制造商第二代3nm晶圆所制造的，目前尚不清楚PFN是否知道这一更名。高通公司最近还要求三星和台积电提供其2nm样品，很可能是用于即将推出的骁龙8Gen5，但芯片组制造商有可能正在评估3nmSoC，而不是2nmSoC。这位业内官员还表示，之所以更改名称，是因为通过优化缩小了晶体管尺寸。虽然他说三星可能是出于营销策略的转变而选择了这一改变，但技术的实际效果才是真正的关键。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1422467.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1422467.htm

功耗降低34% 三星发布第二代3nm工艺：4年后直奔1.4nm

功耗降低34%三星发布第二代3nm工艺：4年后直奔1.4nm三星的3nm工艺很激进，相比台积电2nm工艺才会转向GAA晶体管的保守，三星在第一代3nm工艺上就使用了GAA晶体管技术，而且是MBCFET多桥通道场效应晶体管，被称为SF3E，也就是3GAE工艺。这次宣布的是SF3工艺，也就是之前的3GAP高性能工艺，三星提到该工艺相比SF4（4nmLPP）工艺，在相同功耗及晶体管密度下速度提升22%，或者功耗降低34%，面积缩小21%。这个提升幅度很大，但是三星对比的是二代3nm与4nm，没有直接提及两代3nm工艺之间的变化。根据三星公布的路线图，SF3工艺预计在2024年量产，之后还会有增强版的SF3P，也就是3GAP+，2025年量产。再往后还有2nm节点的SF2、SF2P工艺，2027年甚至连1.4nm节点的SF1.4工艺也规划好了。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1358973.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1358973.htm

14代酷睿无缘首版3nm 消息称Intel明年上台积电第二代3nm

14代酷睿无缘首版3nm消息称Intel明年上台积电第二代3nmIntel在3nm节点使用外包的台积电3nm工艺已经不是新闻，此前说是明年14代酷睿MeteorLake的GPU核显就能首发3nm，然而现在不可能了，Intel取消了大部分3nm订单，只留下了少量测试用的。Intel此前也回应过延期的事，表示14代酷睿会在2023年推出，生产计划不变，但拒绝提供更多细节。Intel不是不会再上3nm工艺，而是要晚一点，14代酷睿是无缘3nm工艺了，但是2024年的15代酷睿ArrowLake应该会上3nm代工的tGPU核显，CPU部分则是Intel自己的20A工艺。Intel再使用的3nm工艺也是不一样的，不是台积电初代的N3A工艺，而是第二代的N3B工艺，预计在2022年下半年为Intel量产芯片，这次应该赶得上15代酷睿的进度。事实上台积电今年底量产的N3A工艺产量并不多，主力还是明年的N3B工艺，苹果、AMD及高通等公司未来使用的也主要是这一版工艺。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1303101.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1303101.htm

三星晶圆代工厂最新消息：2nm工艺6月亮相 第二代SF3 3nm今年投产

三星晶圆代工厂最新消息：2nm工艺6月亮相第二代SF33nm今年投产SF2将于六月亮相三星计划在6月19日举行的2024年超大规模集成电路研讨会（VLSISymposium2024）上披露其SF2制造技术的关键细节。这将是该公司基于全栅极（GAA）多桥沟道场效应晶体管（MBCFET）的第二个主要工艺节点。与前代产品相比，SF2将采用"独特的外延和集成工艺"，这将使该工艺节点比基于FinFET的传统节点具有更高的性能和更低的漏电率（尽管三星并未透露与之比较的具体节点）。三星表示，SF2使N型和P型窄晶体管的性能分别提高了29%和46%，使宽晶体管的性能分别提高了11%和23%。此外，与FinFET技术相比，它还将晶体管的全局变化减少了26%，并将产品漏电率降低了约50%。该工艺还通过加强与客户的设计技术合作优化(DTCO)为未来的技术进步奠定了基础。在SF2的背景下，三星没有提到的一点是背面电源传输，因此至少目前没有迹象表明三星将在SF2上采用这种下一代电源路由功能。三星表示，SF2的设计基础架构（PDK、EDA工具和授权IP）将于2024年第二季度完成。一旦完成，三星的芯片开发合作伙伴就可以开始为这一生产节点设计产品。同时，三星已经开始与Arm合作，针对SF2工艺共同优化Arm的Cortex内核。SF3：2024年下半年有望实现作为首家推出基于GAAFET节点的工厂，三星一直处于芯片制造的最前沿。但与此同时，这也意味着他们是第一个遇到并解决如此重大的晶体管设计变更所带来的不可避免的磨合问题的工厂。因此，虽然三星的第一代SF3E工艺技术已经投产不到两年时间，但迄今为止公开披露的采用该工艺制造的芯片都是相对较小的加密货币挖矿芯片--这正是在新工艺节点上表现出色的流水线部件。有了这些经验，三星正准备利用GAAFET制作更大更好的芯片。作为其财报公告的一部分，该公司已确认其去年推出的更新SF3节点仍将按计划于2024年下半年投入生产。SF3从一开始就是一个更加成熟的产品，准备用于制造更大的处理器，包括数据中心产品。与它的前身SF4相比，SF3承诺在相同功耗和晶体管数量下性能提升22%，或在相同频率和复杂度下功耗降低34%，逻辑面积减少21%。总体而言，三星对这项技术寄予厚望，因为这一代3nm级技术有望与台积电的N3B和N3E节点相抗衡。SF4：准备进行3D堆叠最后，三星还在准备将其最终FinFET技术节点SF4的一个变体用于3D芯片堆叠。随着晶体管密度的提高不断放缓，三维芯片堆叠已成为不断提高整体芯片性能的一种方法，尤其是在现代多层处理器设计中。有关该节点的详细信息还很有限，但三星似乎正在做出一些改变，以考虑/优化在三维堆叠设计中使用SF4芯片的情况，在这种设计中，芯片需要能够上下层通信。根据该公司的第一季度财务报告，三星预计将在本季度（第二季度）完成堆叠芯片SF4变体的准备工作。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1429312.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1429312.htm

消息称Intel已下单第二代3nm工艺 赶上15代酷睿量产

消息称Intel已下单第二代3nm工艺赶上15代酷睿量产最快10月份，Intel就要发布13代酷睿RaptorLake了，明年则是14代酷睿MeteorLake顶上，这代会使用3DFoveros封装，处理器内部集成CPU、GPU、SoC及IOE等多个模块。14代酷睿的CPU模块采用Intel自己的Intel4工艺生产，GPU模块则是台积电5nm工艺，其他部分则是台积电6nm工艺。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1319457.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1319457.htm